首先得有,28nm/65nm突破为何被工信部列为“重大技术”

需要说明的是,套刻精度与制程工艺是两码事,新光刻机的套刻精度小于8纳米,不意味着能够量产8纳米工艺制程的芯片,实际上也不存在所谓的8纳米制程工艺芯片,不少人认为套刻精度与量产工艺节点大约有1:3的关系。因此,尽管目前国产光刻机的套刻精度达到了8纳米,但这并不意味着可以直接生产8纳米制程的芯片,而是可能更...

光刻技术,有了新选择_投资界

投影式曝光通过控制电子束照射掩模图形,将掩模图形投影至光刻胶表面,把掩模板上的图案转移到光刻胶上,原理类似于照相机,拍摄对象好比掩模板,光刻胶就像是胶卷,通过光线的照射把拍摄对象投影到胶卷上。直写式光刻不需要掩模版,通过磁场直接控制电子束斑按照预设的轨迹在光刻胶表面照射,完成图案转移,就像是画画,铅笔...

光刻技术的过去、现在与未来

这一过程以曝光为核心,通过将光源通过掩模形成的图案投射到涂覆在硅片表面的光刻胶上。光刻胶是一种光敏感材料,在曝光后会发生化学变化。曝光后,光刻胶固化形成所需图案的模板。接着进行显影和蚀刻等步骤,将模板转移到硅片表面。曝光过程:曝光是将掩模上的图案投影到光刻胶表面的过程。掩模上的图案被光源通过光学...

全球芯片关键技术研究最新进展

(a)光刻胶组成;(b)光刻胶聚集态结构;(c)在不同衬底上加工的有机晶体管阵列;(d)有机晶体管阵列结构示意图及光学显微镜照片;(e)有机光电晶体管成像芯片(PQD-nanocellOPT)与现有商用CMOS成像芯片以及其他方法制造有机成像芯片的像素密度对比。图表来源:复旦大学官网团队负责人魏大程表示,他们正在积极寻求产业界...

超声波清洗及化学清洗实例-智渍洁

硼、磷扩散前硅片的清洗主要是为了清除硅片表面的光刻胶,以及各种溶剂引入的一些杂质。清洗步骤为:用浓硫酸煮沸至冒白烟(加入少量浓硝酸,防止暴沸)→用大量冷、热去离子水冲洗→将硅片在稀氢氟酸(HF:H2O=1:9)中漂洗→用王水煮沸→用冷、热去离子水冲洗→用稀氢氟酸漂洗→用大量冷、热去离子水冲洗→在红外灯下...

摩尔定律的极限,光刻胶产业逻辑的拐点

图1.3光刻胶技术参数(资料来源:CNKI,本翼资本整理)光刻半导体芯片二氧化硅的主要步骤是:涂布光致抗蚀剂;套准掩模版并曝光;用显影液溶解未感光的光致抗蚀剂层;用腐蚀液溶解掉(www.e993.com)2024年11月23日。光刻胶根据在显影过程中曝光区域的去除或保留,分为正性光刻胶和负性光刻胶。正性光刻胶在能量束的照射下会发生以降解为...

解析投资:电子领域的皇冠—“光刻胶”

光刻的原理起源于印刷技术中的照相制版,光刻胶作为一种特殊化学材料,最初主要是用于工业印刷的,随着技术的发展,它开始更多地应用于电子工业领域。到目前为止,光刻胶已成为了电子领域微细图形加工的关键材料之一,可以说没有光刻胶参与前期半导体集成电路芯片的工艺制作就很难有后续产品创新产品的出现,因此它被誉为电子...

ASML分享新一代光刻机进展,国产的怎么样了?

ASML光刻机的工作原理ASML光刻机的简易工作原理图简单介绍一下图中各设备的作用:测量台、曝光台:承载硅片的工作台,也就是双工作台。一般的光刻机需要先测量,再曝光,只需一个工作台,而ASML有个专利,有两个工作台,实现测量与曝光同时进行。而本次“光刻机双工件台系统样机研发”项目则是在技术上突破ASML对...

每天都在看的手机屏,是怎么做出来的?

显色原理因为CF彩色滤光片上印刷有RGB三种颜色的色块,那等到屏幕背光源的光线穿过时,来~我们对照上图看个顺序:光线先是穿过透明的TFT薄膜晶体管基板,再透过液晶分子,然后再透过CF彩色滤光片,受各个色块下液晶分子的穿透率不同的影响,色块就会发出下图这样亮暗不同的红绿蓝三色,从而混合成显示所需要...

中金看海外 | 半导体设备系列三:工业皇冠上的明珠,光刻机及其零部件

(脱水烘焙),在晶圆表面涂覆光刻胶,并进行软烘干;2)晶圆由涂胶显影设备送入光刻机,经过扫描对准后,光线透过掩膜版对光刻胶进行曝光,一部分光刻胶受到光照,另外一部分则因为掩模版的遮挡不受到光照;3)晶圆由光刻机送回给涂胶显影设备,在晶圆表面加入显影液,显影液能够溶解此前受到曝光的区域,光刻胶表面出现图形,...