解锁半导体工艺:硅片晶圆制造与氧化工艺全览

通过单晶生长工艺得到的单晶硅锭,需要去头去尾,留区硅锭的中间段的若干个硅坯,把硅坯的外围按所需直径尺寸做研削加工,(常见的有6英寸,8英寸,12英寸),并在硅坯周边切出Plat或notch的标志。再通过金刚石切割或者线切割(对于12寸晶圆,大多采用线切割),将硅坯切成厚度均匀的薄硅片。第三阶段硅片表面抛光/(Lap...

中欣晶圆申请改善背封硅片背面晶点的工艺方法专利,解决了背封硅片...

专利摘要显示,本发明涉及一种改善背封硅片背面晶点的工艺方法,所属硅片加工技术领域,包括如下操作步骤:第一步:对硅片背面进行BSD加工,将含有SiO2的浆料通过压缩空气喷在硅片背面,在硅片背面产生背损伤,使之产生缺陷,进行外吸杂。第二步:完成BSD后进行SC1药液清洗,在SC1药液中以65℃温度下清洗5～10min。第三步:在65...

凯德石英申请一种石英异型冷加工件加工工艺及石英异型冷加工件...

专利摘要显示,本申请涉及一种石英异型冷加工件加工工艺及石英异型冷加工件,其中主要技术方案为石英异型冷加工件加工工艺,其包括以下步骤:S1铣削成型、S2磨削基准面、S3切断分件、S4平面研磨、S5酸洗、S6火焰抛光、S7组合焊接、S8退火。本申请能够提高承托部的平面度,提高硅片的定位效果,同时减少硅片的划伤。

海纳股份申请超薄氧化硅片及其加工工艺专利,专利技术能达到减小...

金融界2024年2月9日消息,据国家知识产权局公告,浙江海纳半导体股份有限公司申请一项名为“一种超薄氧化硅片及其加工工艺“,公开号CN117542725A,申请日期为2023年10月。专利摘要显示,本发明涉及半导体硅片生产制造技术领域,具体地说,涉及一种超薄氧化硅片及其加工工艺。该超薄氧化硅片由硅片经抛光、氧化加工制成,包括超...

水晶技术之微纳光学系列 | 光计算的前世今生

为了实现小型化、集成化的光计算系统,集成光学技术应运而生。这项技术通过将多种光学元件(如激光器、调制器、探测器等)集成在一个芯片上,不仅可以减少系统体积,还能显著提高系统的稳定性和可靠性。硅基光子学是集成光学技术的一个重要分支,它利用半导体加工技术,在硅片上制造出各种光学器件,从而实现光电一体化。

【光电集成】芯片制造工艺流程.图文详解.一文通

(5)晶片外延加工(Waferepitaxialprocessing)??外延工艺(EPI)被用来在高温下从蒸汽生长一层单晶硅到单晶硅衬底上(www.e993.com)2024年11月24日。??气相生长单晶硅层的工艺被称为气相外延(VPE)。SiCl4+2H2??Si+4HCl该反应是可逆的,即如果加入HCl,硅就会从晶圆片表面蚀刻出来。

光刻工艺技术专题(三):低成本光刻技术之激光直写光刻

通过硅片或激光束的扫描运动控制光刻胶曝光位置。利用工件台与2D扫描振镜可以在超过几毫米的大面积上制造微纳结构。工件台一般为3D线性压电传感器(PZT)驱动型工件台或电机驱动型工件台。无需光刻胶的激光直写材料加工工艺(LDWP)也采用了类似的工作原理。LDWL使用标准的激光光源。LDWP的光源为高功率飞秒脉冲激光器,...

晶圆级封装(WLP),五项基本工艺

晶圆承载系统工艺晶圆承载系统是指针对晶圆背面减薄进行进一步加工的系统,该工艺一般在背面研磨前使用。晶圆承载系统工序涉及两个步骤:首先是载片键合,需将被用于硅通孔封装的晶圆贴附于载片上;其次是载片脱粘,即在如晶圆背面凸点制作等流程完工后,将载片分离。

一万八干字详解半导体刻蚀工艺_腾讯新闻

应用:广泛应用于金属加工、微电子制造中的图案转移。半导体制造技术在过去几十年经历了显著的演变,这一进程在刻蚀工艺的转变中尤为明显。半导体技术节点的演进标志着制造工艺的精细度,其中最小特征尺寸(CriticalDimension,CD)是关键指标。在1970年代,这一尺寸从10微米(10μm)迅速减小至5微米(5μm),这一变化推动...

科普丨什么是N型硅片?为何N型硅片涨价?

硅片是多晶硅的下游环节,按照应用场景可以划分为光伏硅片与半导体硅片。根据原料和工艺的不同可以分为单晶硅片与多晶硅片。根据掺杂与导电类型的不同分为P型硅片与N型硅片。随着光伏技术迭代,目前,N型硅片已经取代P型硅片,成为硅片行业的“主流”。那么什么是N型硅片,N型硅片有何优势,近期光伏龙头纷纷调涨N型硅片...