【突破】工信部推广国产重大技术装备突破,套刻精度≤8nm的光刻机...

中国首台(套)重大技术装备是指国内实现重大技术突破、拥有知识产权、尚未取得明显市场业绩的装备产品,包括整机设备、核心系统和关键零部件等。《目录》中的电子专用装备目录下提到,集成电路生产设备方面包括化氟化氪光刻机,光源248纳米,分辨率≤110nm,套刻≤25nm;氟化氩光刻机,光源193纳米,分辨率≤65nm,套刻≤8nm。

中国研发光刻机,比ASML早20年,为什么还被美国卡脖子?

这一成绩标志着中国在干式DUV（深紫外线）光刻技术上取得了重大突破。然而，与行业领头羊ASML相比，国产光刻机仍有明显的差距。ASML的浸润式DUV光刻机已经能够实现10纳米及以下的分辨率，甚至在EUV（极紫外）光刻技术上也处于领先地位。据《半导体产业协会》（SEMI）的报告显示，ASML的EUV光刻机已经在7纳米及以下节...

中国自研光刻机曝光,吓懵了三大光刻机厂,相继下调财测目标

尽管中国光刻机技术取得了突破，但与全球最先进的光刻设备相比，仍存在一定差距。荷兰ASML公司生产的先进DUV光刻机分辨率可以达到38纳米以下，叠层精度更是低至1.3纳米。此外，EUV技术波长仅为13.5纳米，比DUV技术的波长锐利14倍，显示出技术差距。近年来，中国于光刻机技术层面斩获了斐然成就。相关数据表明，当下中...

光刻机第一龙头,重仓数亿,与ASML合作,有望大涨240%!

在关键器件方面,公司向上海微电子提供了其半导体领域投影式光刻机用的定位光栅尺部件。第五家:国林科技(300786)子公司国林半导体臭氧设备产品从2022年下半年开始进行市场导入,2023年以来陆续在半导体、面板、科研等行业领域出货验证,该产品用于化学气相沉积(CVD)、原子层薄膜沉积(ALD)、晶圆清洗、污染物及光刻胶去除...

首台纳米压印光刻机,佳能出货了

光刻主要采用化学手段,利用紫外光辅以光刻胶等特殊化学品发生反应在硅片上「投影」出电路图。纳米压印则主要采用物理手段,利用制作好的集成电路图模板通过机械加压「复印」到硅片之上。由于没有采用光刻中的投影成像原理,纳米压印省去了光刻机造价最昂贵的光学曝光机等成像系统,理论上认为是一种更低成本的方案。按照...

我们还需要多长时间才能突破科技封锁,独立自主搞定光刻机?

光刻机作为半导体产业的关键钥匙，在全球半导体产业的发展历程中占据着举足轻重的地位(www.e993.com)2024年11月23日。光刻机的发展历程可以追溯到20世纪60年代，当时接触式光刻技术出现，成为小规模集成电路时期最主要的光刻技术。随着技术的不断进步，接近式光刻技术、投影光刻技术相继出现，光刻机的分辨率不断提高，从亚微米级逐渐发展到纳米...

佳能纳米压印光刻机迎来重大突破!

佳能纳米压印光刻机迎来重大突破!汽车芯片设计资料包佳能去年推出了第一台纳米压印光刻(NIL)机器,该机器可用于生产芯片,而无需使用传统的DUV或EUV系统,这引起了不小的轰动。然而,由于芯片制造商不熟悉它,因此对该工具和一般的NIL方法都存在很多怀疑。据日经新闻报道,本周,这家日本公司将其FPA-...

专家访谈精华:国产光刻机突破65纳米

建议的设备分辨率为65纳米或更高,相比此前最先进的国产设备(上海微电子的90纳米光刻机),实现了重大提升。■该公告虽未提及具体供应商,但包括氧化炉、干法刻蚀机等设备在内的多个国产芯片制造设备已被推荐使用。■当前,中国的芯片制造设备研发依然面临挑战,特别是与阿斯麦(ASML)等国际领先供应商的技术差距,尽管...

纳米压印能否打破EUV光刻机垄断?佳能需要先兑现今年量产的诺言

ASML生产的EUV光刻机是全世界唯一能量产7纳米以下先进制程芯片的设备。今年1月,其又向外界首次公开展示了制造2纳米芯片的最新一代HighNAEUV光刻机。佳能希望纳米压印设备能够做到与其“共存”。而这一切的前提,都建立在佳能能否兑现量产诺言,真正将纳米压印技术推广至行业规模化生产芯片。

工信部公开推广两款国产DUV光刻机!最小套刻≤8nm!多只光刻机概念...

9月9日,工信微报微信公众号发文披露《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录(2024年版)》。其中,在电子专用设备一栏,氟化氪光刻机、氟化氩光刻机位列其中。该资料显示,氟化氩光刻机具有65纳米以下的分辨率和8纳米以下的套刻精度。据东兴证券研报,光刻机可分为直写光刻机与掩膜光刻机,市场主流有i-Iine(汞...