德国光刻机suss 观察光刻机厂家

特点：该系列光刻机为双面对准接触式紫外光刻机，曝光波长为UV400，曝光面积可达100mm（4英寸及以内）。它具备高分辨率（≤0.8μm）和高正反面套刻精度（≤±0.5μm）。应用领域：适用于需要高精度对准和双面加工的微纳加工领域。MA8Gen5系列特点：该系列光刻机是最新一代的半自动工具，专门用于压印光刻。...

中国光刻机产业崛起:50亿投资将改变半导体市场格局

最近，中国光刻机的进展让许多人耳目一新，特别是关于8毫米制程的突破。这让人们意识到，中国人不再只是观众，而是正在逐步成为这个行业的参与者。对此，美国的一些声音开始质疑，甚至对中国的独立研发表示不满，但这无疑是对中国创新努力的无知与误判。为什么选择浙江作为这个重要项目的基地？这背后其实是经过了深思熟...

关于国家工信部突然官宣的“国产光刻机”,你需要知道的10件事

“此次官宣的国产光刻机,是一个套刻≤8nm,分辨率65nm,干式,波长193nm,DUV光刻机。”句子不算长,没有一个生僻字。但,如果不是对这行有了解的专业人士,有多少人能看懂?又能看懂多少个词?或许,要真的对这件事有概念,不被轻易带节奏,至少得先了解10件事。先从,1年前刷屏的那件开始。一声惊雷一年前...

俄罗斯绕过制裁,为35年前的光刻机续命:自研光刻机已亮相

ASML的PAS5500系列200毫米光刻工具最初于1991年推出,并在20世纪90年代和2世纪初不断发展。如今,PAS5500系列包括i-line、氟化氪(KrF)步进机以及i-line、KrF和氟化氩(ArF)步进扫描系统。虽然ASML不再生产这些光刻工具,但它销售翻新的PAS5500机器,并计划将其支持到2035年,因此市场上有大量的备件,尤其是在...

EUV光刻机,大结局?

这导致晶片上的最大曝光场尺寸为26毫米×16.5毫米,原来的NA为0.33的EUV光刻机的最大曝光场尺寸为26毫米×33毫米,这对制造大面积芯片以及EUV光刻机产率都有较大影响。IRDS对光刻技术发展的需求IRDS也给出了2037年光刻机的发展预测。从长远来看,一方面,有更高NA(比如NA提高到0.70)的EUV光刻机和波长为6.X...

联合光电涨3.24%,中期趋势方面,下方累积一定获利筹码。近期该股获...

所属概念板块包括:智能眼镜、光学、无人机、光刻机、毫米波雷达等(www.e993.com)2024年11月23日。截至10月31日,联合光电股东户数2.68万,较上期增加12.60%;人均流通股7854股,较上期减少11.19%。2024年1月-9月,联合光电实现营业收入13.29亿元,同比增长5.92%;归母净利润3576.33万元,同比减少27.27%。分红方面,联合光电A股上市后累计派现2.24亿元...

??光刻机之战

再看机台,光刻机一次曝光的区域,只有指甲那么大,一块直径12英寸的晶圆全部曝光一遍,要移动好几百次。如今的光刻机每次移动的定位,要精确到几十纳米,相当于头发丝直径的几万分之一。如果两辆车以每小时3万公里的速度并行,两者差值必须小于0.5毫米,才能达到与光刻机一样的精度。

中国造光刻机无望?中科大高层放狠话:中国永远也造不出来

提到光刻机，许多人自然会联想到芯片和半导体，这些与我们的日常生活密切相关。无论是电脑、手机，还是各种智能设备，它们的核心都来源于这种只有几毫米的小芯片，而光刻工艺在生产过程中则是最具挑战性的环节之一。这些极为精确的设备不仅依赖于各国尖端技术的支撑，同时也离不开多方技术专家的合作。即便是享有国际声誉...

牟林:中国半导体产业发展的艰辛与奋斗之路

研发出氟化氩光刻机。2024年,我国研发出首台氟化氩光刻机,其光源为波长193纳米的激光,分辨率小于或等于65纳米,套刻精度小于或等于8纳米,可用于制造先进制程的芯片。这是中国光刻机研发技术走上快车道的标志,尽管与国际最先进水平仍有一定差距,但为我国芯片制造设备的自主研发奠定了基础,有助于减少对国外...

联合光电:9月12日召开业绩说明会,投资者参与

问:您好,请公司的毫米波雷达的量产良率去到什么样的行业水平?另外雷达的算法是自主研发的么?答:您好!公司毫米波雷达产品的整体良率符合公司经营管理的目标需求。公司在毫米波雷达产品上拥有全栈研发能力,谢谢!问:您好,邱总能否介绍下近年来在光刻机镜头研发方面所获得的成果?在商用方面有无进展?