中国研发光刻机,比ASML早20年,为什么还被美国卡脖子?

据《半导体产业协会》（SEMI）的报告显示，ASML的EUV光刻机已经在7纳米及以下节点的芯片制造中广泛应用，而中国在这方面显然还有很长的路要走。不过，中国自研光刻机何时能赶超国际水平，这并不是今天文章探讨的焦点。中国的光刻机研发始于上世纪60年代，比ASML成立的时间早近20年，这意味着，在光刻机的研发与发展...

美卖力施压,中国造出来了,德媒中国突破7纳米芯片光刻机技术

看这台光刻机的技术参数就能知道，我国的光刻机技术有重大突破了，它8纳米的套刻精度在全球都算比较高的。这款新的国产光刻机一问世，好多外国媒体都惊叹中国先进技术的发展速度真快。还有啊，光刻机的研制牵扯到好多不同的领域呢。中国要是能研制出水平比较高的光刻机，那就表明在其他领域也有重大突破了。这对...

荷兰光刻机限令刚出,中国发布氟化氩光刻机,能突破8纳米限制吗

我国自主研发的氟化氩光刻机,套刻精度达到≤8nm,性能接近全球最先进水平,且是全球首款完全依赖自主技术完成的产品。这不仅打破了荷兰的技术垄断,更是对美荷两国在光刻机领域的“技术封锁”策略的有力回击。荷兰的忧虑:失去我国市场的潜在危机在光刻机技术上,美国与荷兰的合作由来已久。作为全球半导体产业链的重...

中国高端光刻机问世,分辨率突破65纳米,能制造8纳米的芯片吗

此次推出的65纳米光刻机,虽然与全球最顶尖的7纳米光刻机仍有差距,但已经能够满足大部分工业芯片的生产需求。尤其是在汽车制造、家电智能化等领域,28纳米及以上的芯片需求庞大,而中国自主研发的光刻机正好填补了这一市场空白。更重要的是,随着国产光刻机的不断改进,中国芯片产业逐步摆脱了对外技术的依赖。这不...

特大喜讯!中国第一台芯片光刻机成功交付使用!

2024年初，中国自行研发的28纳米光刻机问世，这一成就引起了国内外的广泛关注。国内媒体和技术论坛上，很多声音都在讨论这台机器的实际应用价值和技术水平。虽然28纳米在全球范围内可能已属于落后，但对于国内许多芯片制造来说，这无疑是一种进步。它的出现，意味着在一些非高端市场，比如家电和汽车领域，国产芯片制造...

国产氟化氩光刻机实现8纳米以下的套刻精度

氟化氩光刻机作为集成电路生产的关键设备,其光源波长为193纳米,能够实现65纳米以下的分辨率和8纳米以下的套刻精度(www.e993.com)2024年11月23日。这不仅意味着中国芯片制造商将能够使用更先进的国产设备,还有助于推动芯片产业链的国产化进程,增强国内芯片产业的竞争力。工信部发布《指引目录》,旨在促进首台(套)重大技术装备的创新发展和推广应用,...

350纳米工艺!俄罗斯第一台自研光刻机问世!这是什么水平?

目前,俄罗斯有两家主要的晶圆厂,分别是Mikron和Angstrem公司,前者提供65-250nm芯片制造能力,后者(2019年破产重组)提供90-250nm芯片制造,拥有8英寸晶圆厂,两家都以提供军用、航天和工业领域芯片产品为主。因此,预计新的国产光刻机设备将会供应到两家企业当中。

3纳米制程芯片为什么需要EUV光刻机和多重曝光技术?

图:EUV光刻机第二步:引入EUV技术。EUV(极紫外光刻)使用13.5纳米的波长,可以更好地刻蚀出精细的图案。EUV技术有助于缩小芯片尺寸并提高密度。然而,即便是EUV,也面临着分辨率和准确性的问题,尤其是当我们试图在3纳米制程中实现更小的特征尺寸时。图:EUV光刻机原理...

重大突破!俄罗斯研造出首台光刻机,350纳米到底啥水平?

那就是他们国内第一台光刻机已经成功制造了出来,这一台光刻机能够生产的芯片,是350纳米工艺的,现在已经对其进行测试了,当这台光刻机出来后没多久,俄罗斯又把自己接下来的举动给公布了出来,那就是想要把130纳米工艺的光刻机给制造出来,现在很多国家都已经研究五纳米的光刻机了,为何俄罗斯研究的光刻机和其他国家...

纳米压印能否打破EUV光刻机垄断?佳能需要先兑现今年量产的诺言

ASML生产的EUV光刻机是全世界唯一能量产7纳米以下先进制程芯片的设备。今年1月,其又向外界首次公开展示了制造2纳米芯片的最新一代HighNAEUV光刻机。佳能希望纳米压印设备能够做到与其“共存”。而这一切的前提,都建立在佳能能否兑现量产诺言,真正将纳米压印技术推广至行业规模化生产芯片。