天大的好消息,全新国产光刻机曝光,套刻≤8纳米,什么水平?

全球最牛的光刻机得数阿斯麦的“EXE:5000”了，它用的是13.5纳米的极紫外光源，分辨率能达到8纳米呢，这是朝着3纳米制程去研发的。不过啊，这玩意儿现在少得很，就英特尔买了一台，还在样机阶段呢。估摸着看到这儿，好多人就得失望了。可实际上我刚瞧见这消息的时候，心里就想，咱妈手里的牌那可老多了，不...

Canalys:2024年Q3全球High-NA EUV光刻机市场竞争分析 英特尔独占...

早在2023年12月,英特尔就拿下了全球首台HighNAEUV光刻机,并于今年4月宣布其已在位于美国俄勒冈州希尔斯伯勒的FabD1X研发晶圆厂完成世界首台商用High-NA(0.55NA)EUV光刻机的组装工作,目前已进入光学系统校准阶段,并计划在其18A(1.8nm)和14A(1.4nm)节点上使用。今年8月,英特尔又宣布成功接收全球第二台价值...

350纳米!俄罗斯发布国产光刻机,荷兰ASML最不愿看到的局面出现

原因就在于,俄罗斯此次生产的光刻机,其制程为350纳米,和“高精尖”还有差距。目前,这台俄罗斯产的光刻机已经开始测试,并且其成本仅有不到5万美元。虽然350纳米的制程相比ASML较为落后,但标志着俄罗斯已经掌握了光刻机的相关技术。要知道,目前全球完全掌握光刻机技术的国家只有4个,俄罗斯的出现也打破了这个格局。...

350纳米工艺!俄罗斯第一台自研光刻机问世!这是什么水平?

目前在半导体制造行业,DUV(深紫外)光刻机可以用于制造7nm及以上工艺的芯片,涵盖了大部分数字芯片和几乎所有的模拟芯片,随着工艺向5nm、3nm进化,EUV(极紫外光)设备成为未来光刻技术和先进工艺的核心。而用于7nm及以下先进芯片制造工艺的光刻机设备中,ASML公司是唯一的供应商。Gartner数据显示,2020年,ASML在全球光刻机...

纳米压印能否打破EUV光刻机垄断?佳能需要先兑现今年量产的诺言

ASML生产的EUV光刻机是全世界唯一能量产7纳米以下先进制程芯片的设备。今年1月,其又向外界首次公开展示了制造2纳米芯片的最新一代HighNAEUV光刻机。佳能希望纳米压印设备能够做到与其“共存”。而这一切的前提,都建立在佳能能否兑现量产诺言,真正将纳米压印技术推广至行业规模化生产芯片。

艰苦奋斗、自力更生,俄罗斯国产350纳米光刻机问世,正在测试

也就是说,350纳米光刻机和350纳米芯片,大致相当于主流厂商三十年前的水平,差距非常悬殊(www.e993.com)2024年11月23日。然而,虽然非常落后,350纳米芯片也不是毫无是处,目前仍然在商用,可用于制造某些汽车和电源芯片,并非所有的芯片都需要最顶级的制程。总体来看,350纳米芯片基本没有现实的商业价值和实用价值,尽管如此,俄罗斯制造出纯国产的350纳...

ASML High-NA EUV光刻机取得重大突破:成功印刷10纳米线宽图案

实现8nm制程对于制造计划在2025-2026年上市的3nm以下制程芯片至关重要。高数值孔径EUV技术的引入将消除对EUV双重曝光的需求,从而简化生产流程、有可能提高产量并降低成本。然而,每台高数值孔径光刻机的价格高达4亿美元(IT之家备注:当前约28.96亿元人民币),并且在应用于尖端制程工艺的过程中会遇到...

东海研究 | 深度:光刻机:国产设备发展任重道远,零组件企业或将...

但光刻机的精密度远远超过照相机的精度,光刻机需要将电路线宽缩小到目前的5/3nm的大小。这样的技术需要非常庞大的机器来完成,一个光刻机中需要集成数万个零组件,集中了全球的顶级光学、机械、电子等各项专业技术。(3)典型的光刻工艺流程一般包括8个步骤,分别是底膜准备、涂胶、软烘、对准曝光、曝光后烘、显影...

【深度】芯片巨头开战2纳米

05目前,台积电在2纳米制程上领先竞争对手多个身位,三星和英特尔也在加速追赶。以上内容由腾讯混元大模型生成,仅供参考界面新闻记者|李彪界面新闻编辑|文姝琪今年1月,荷兰ASML生产的第一台High-NAEUV光刻机首次开箱面世。这台总重约150吨、需250个集装箱才能装下的庞然巨物,可将世界上最先进的芯片制程...

...像预期的一样完美?盘点2020-2024年,金刚石、石墨烯、碳纳米管...

另外,碳基芯片对于光刻机的制程工艺要求并不高。采用90nm工艺的碳基芯片有望制备出性能和集成度相当于28nm技术节点的硅基芯片,采用28nm工艺的碳基芯片则可以实现等同于7nm技术节点的硅基芯片。也就是说采用28nm的光刻机,就能获得全球最先进EUV光刻机的效果。