美卖力施压,中国造出来了,德媒中国突破7纳米芯片光刻机技术

氟化氩光刻机里比较先进的那种，照明波长是193nm，分辨率最多是65nm，套刻最多是8nm。看这台光刻机的技术参数就能知道，我国的光刻机技术有重大突破了，它8纳米的套刻精度在全球都算比较高的。这款新的国产光刻机一问世，好多外国媒体都惊叹中国先进技术的发展速度真快。还有啊，光刻机的研制牵扯到好多不同的...

重大喜讯!中国自主研发芯片光刻机,已顺利投入使用!

而能够自主研发出28纳米光刻机，意味着中国在这些关键技术上已经积累了丰富的“技术积累”。自主光刻机：不仅推动“芯片制造”的转折这台28纳米光刻机的出现，不仅为中国芯片产业带来了“技术跨越”，更为国内相关行业提供了“战略安全保障”。当前国际局势复杂多变，一旦海外供应链出现“断供”风险，国内的芯片制造...

荷兰光刻机限令刚出,中国发布氟化氩光刻机,能突破8纳米限制吗

我国自主研发的氟化氩光刻机,套刻精度达到≤8nm,性能接近全球最先进水平,且是全球首款完全依赖自主技术完成的产品。这不仅打破了荷兰的技术垄断,更是对美荷两国在光刻机领域的“技术封锁”策略的有力回击。荷兰的忧虑:失去我国市场的潜在危机在光刻机技术上,美国与荷兰的合作由来已久。作为全球半导体产业链的重...

台积电说中国能造8nm,华为却认为制造先进芯片面临很大困难背后

他表示:“国产氟化氩光刻机它的波长大概193纳米,用193纳米要做一个8nm的技术,绝对是可能的,它要把193再除以2再除以2,就除到一个程度就会变成接近8nm,只要它在那个地方印好几次,就像一个东西,他这样印一遍就变成一半,于是再来玩一次再变成一半,这种东西在技术上是可行的。”我们知道,芯片制造商在使用光刻机...

中国光刻机再创辉煌:从436纳米到7纳米,国产技术直逼阿斯麦

中国光刻机的重大突破：从436纳米到7纳米，国产光刻技术力追阿斯麦尔近日，工信部发布的相关文件提到了氟化氩和氟化氪两款光刻机的精度能够达到8纳米以下。为了更直观地理解这一进展，可以将其与荷兰ASML公司推出的DUV光刻机——NXE:1980Di进行对比，其官方称其套刻精度为3.5纳米。由此可见，虽然我国新推出的DUV...

台积电用旧光刻机生产1.6纳米,中国成ASML先进光刻机的救命稻草

台积电已公布了A16工艺(相当于1.6纳米)的技术参数,预计2026年量产,让人意外的是它决定采用现有的EUV光刻机,而不是采用ASML刚刚推出的2纳米EUV光刻机,这对于ASML来说无疑是一大打击(www.e993.com)2024年11月24日。ASML的第一代EUV光刻机已量产8年多时间,随着台积电、三星和Intel三大客户得到满足,ASML的EUV光刻机最后一个大客户就是中国市场了...

国产光刻机能否造8纳米芯片?台积电前高管给出答案,网友惊喜了

对于深藏在网友们心中的这个谜底,近日全球最大的芯片制造商台积电前高管、研发处处长杨光磊给出了答案。杨高管表示:“首先很佩服中国能自己研发出光刻机,在他的眼中,这是一件很困难的事,对于这款光刻机究竟能造多少纳米的芯片?他认为技术上造出8纳米是绝对有可能的,只是造出来的良率会有多少?这是一个存疑!”...

(2024.11.18)半导体一周要闻

公开信息显示,目前国内28nm芯片工艺的薄膜沉积、离子注入、刻蚀、CMP、涂胶显影、清洗、量测检测、去胶等,国产替代率似乎都不太理想,最关键的光刻机攻关也暂时还没有明显进展。中微董事长尹志尧曾经提到,目前国内半导体国产化率大概在15%-30%,5年到10年的时间能赶上美国,不知道这个估测是否靠谱。

中国高端光刻机问世,分辨率突破65纳米,能制造8纳米的芯片吗

西方媒体的舆论阵地果然没有底线,从中国不可能自主研发出先进的光刻机,到中国不可能摆脱西方供应链,再到中国不可能完成光刻机整个生产线。如今随着我国成功制造出65纳米光刻机,西媒的话术又变成了中国不可能生产出28纳米的芯片。他们完全看不到,中国已经成为全球唯一一个拥有光刻机完整生产线的国家。

国产光刻机“套刻≤8nm”意味着什么?接近ASML 2015年的水平

《中国经营报》记者注意到,该文件一经发布后,关于国产光刻机取得大突破的言论“喜大普奔”,还有人把“套刻≤8nm”误认为8nm光刻机。事实上,套刻精度指的是每一层光刻层之间的对准精度,而≤8nm的套刻精度并不一定代表能制造8nm工艺的芯片。“光刻机套刻小于8纳米,逻辑上对应的区间,也能上到成熟区间,甚...