国产FRAM PB85RS2MC(MB85RS2MT)以独特性能发力智能物联网领域
其中铁电存储器(FRAM)是一种理想的存储器,在计算机、航天航空、军工等领域具有广阔的应用前景。与EEPROM和闪存等现有类型的非易失性存储器相比,FRAM具有高写入速度、高读/写耐久性和低功耗的特点,广泛应用于IC卡、RFID标签、功率计和工业机械等,同时由于其尺寸小的特性也非常适合可穿戴设备和传感器网络。国芯思辰P...
存储技术,未来怎么发展?
这是因为英特尔和美光科技(以下简称“美光”)退出了3DXPoint存储器,人们认为研究热情已经降温。下面我们将介绍“DRAM”、“3DNAND闪存”、“XPoint存储器”、“磁阻存储器(MRAM)”和“铁电存储器(FRAM)”的著名讲座。下一代DRAM技术使用垂直晶体管来最小化存储单元面积关于下一代DRAM单元技术,已经公布...
这种新型存储,国内要爆发了?
新型存储器主要包括4种:阻变存储器(ReRAM/RRAM),相变存储器(PCM),铁电存储器(FeRAM/FRAM),磁性存储器(MRAM)。主要新型存储参数对比,制表丨电子工程世界MRAM就是新型存储中非常重要,且离产业很近的一种,简单说,就是更强更快。不过,存储界并不存在什么六边形战士,所以都是看应用需要什么,选择什么技术。四类...
对标FM25V01-G,拍字节铁电存储器(FRAM)PB85RS128用于舞台音响上
下图为舞台音响的原理框图,在本方案中,存储采用拍字节的铁电存储器(FRAM)PB85RS128,该FRAM采用SPI接口,同时支持工业级-40℃~85℃的温度范围,也被广泛用于仪器仪表、安全系统、便携式医疗设备以及工业设备等。PB85RS128是拍字节的一款容量为128Kb的FRAM,应用于舞台音响有如下优势:1.PB85RS128支持SPI接口,25MHz...
铁电存储器FRAM的优劣势
1.FRAM的优势:FRAM是一种新型存储器,具有高速、高密度、低功耗和抗辐射等优点,与EEPROM、FLASH相比,FRAM的读写更快、寿命更长,FRAM已经应用于IC卡和MCU中,预计未来具有广阔的市场前景。FRAM产品具有明显的高新技术特点,符合科创板属性,目前上市公司中尚没有从事该产品的开发。
富士通FRAM+NRAM引领计量存储技术变革
日前,富士通电子元器件(上海)有限公司产品管理部总监冯逸新在一次公开研讨会上表达了同样的观点:“智能表计行业是富士通长期关注的重点业务,在未来几年具有很大的市场潜力(www.e993.com)2024年9月29日。”对此,富士通推出了众多创新型存储产品,如FRAM铁电存储器在智能电表行业已经作为标准存储器被广泛采用,在中国、欧洲、北美等地区拥有很大的市场...
卡位“下一代”存储,一文看懂富士通FRAM、NRAM、ReRAM产品线
在第七届EEVIA年度中国ICT媒体论坛暨2018产业和技术展望研讨会上,富士通电子元器件产品管理部总监冯逸新对《国际电子商情》记者介绍了其FRAM铁电存储器,具有像E2PROM一样的非易失性的优势,在没有电源的情况下可以保存数据。FRAM是车载存储最佳选择?据了解,自从1999年开始,富士通推FRAM产品已经连续推了18年,应该说...
国芯思辰拍字节新型3D铁电存储器(VFRAM)弥补两大主流存储器鸿沟
拍字节新型3D铁电存储器优势型号P95S128KSWSP3TFP95S128KSWSP3TF描述该FRAM芯片(铁电随机存取存储器)配置为16,384×8位,通过铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元和SRAM不同,该芯片不需要电池就可以保持数据。该芯片中使用的存储单元可用于1E6次读/写操作,它的读/写耐久性大大超过FLASH和...
新型3D铁电存储器(VFRAM)在智能电表、打印机墨盒的应用优势
拍字节研究团队所研发的具有自主知识产权的新型3D铁电存储器(VFRAM),采用新型材料和全新架构,能够大大提高传统铁电存储器的存储密度,并同时具备DRAM存储器读写速度快、寻址精确到字节、高耐久性和Flash存储器非易失性、低耗电性等众多特性,填补DRAM与Flash两大主流存储器之间的巨大鸿沟。
国芯思辰|铁电存储器在智能水表、气表中的应用
FRAM铁电存储器在智能电表行业已经作为标准存储器被广泛采用,其高达10兆次的数据读写耐久度确保了电表的数据可靠性,以1秒写入一次数据计算,智能电表的使用寿命可长达10年。发展至今,富士通FRAM在中国与海外市场的占有率非常高,被威胜集团、Itron、林洋能源、海兴电力、西门子等业界主流的电表供应商广泛采用。