荣威RX5智驾域控器拆解分析
5.4、地平线征程3的使用工具链6、存储芯片智能驾驶域控制器中常用的存储模块有eMMC和DDR4等;它们在自动驾驶域控制器中扮演着存储数据的重要角色。EMMC芯片作为闪存储存储设备,负责存储系统的操作系统、算法和数据等。DDR4芯片则是一种高速的内存芯片,负责缓存和运行算法。常见的EMMC芯片型号有三星的KLM和SKHynix...
从AWS Graviton 4,揭秘Arm Neoverse V2
来自分支预测器的提取地址通过32项提取队列馈送到下游提取阶段。为了加快指令传递速度,NeoverseV2具有64KBL1指令缓存和48项全关联指令TLB用于地址转换。为了进一步提高前端性能并降低解码成本,NeoverseV2将解码的微操作缓存在1536项微操作缓存中。此微操作缓存每周期可提供8个微操作,而传统解...
数字存储完全指南 03|固态硬盘的历史、结构与原理
同时因为EEPROM和EPROM其实都是同一种浮栅晶体管,受到强紫外线照射会把储存器清空,而阳光里面最不缺的就是紫外线,所以以前我们老是发现卡带放久了就会「掉档」(有过掉档重玩的痛苦记忆的同学可以留个评论哈哈),就是因为放存档的EEPROM里面电荷都被阳光(通常几个星期)或者室内的荧光灯(可能要几年)晒跑...
STM32FSMC机制FlaSh存储器扩展
FSMC(FlexihieStaticMemoryController,可变静态存储控制器)是STM32系列中内部集成256KB以上FlaSh,后缀为xC、xD和xE的高存储密度微控制器特有的存储控制机制。之所以称为“可变”,是由于通过对特殊功能寄存器的设置,FSMC能够根据不同的外部存储器类型,发出相应的数据/地址/控制信号类型以匹配信号的速度,从而使得STM32...
半导体存储行业专题报告:存储拐点将至,新需求点亮曙光
目前市场主流的半导体存储器以DRAM(动态随机存储)、NANDFlash和NORFlash。DRAM集成度高、价格便宜、功耗低、存取速度慢。DRAM被称为动态随机存储,它通过不断地刷新电路来进行数据的保存,从存储能力来说,DRAM所能提供的存储容量更大,访问时间较长,但由于不断刷新电路也导致其功耗较高,速度较慢,且每...
单片机片外数据存储器扩展设计技巧简介
单片机的PO口具备地址总线、数据总线及控制线的功能(www.e993.com)2024年9月29日。由软件来分时传送地址信号、数据信号和片选择控制信号。2硬件接口电路设计MCS-805l单片机与多片62256数据存储器的扩展电路主要由8片62256型数据存储器、3片74IS373锁存器和1片74LS138译码器件组成。62256数据存储器为32KB静态随机存取存储器,...
电气百科:交流接触器的选型与使用,低压断路器控制器设计
可以选用交流接触器的电磁线圈做电动机的低电压保护,其控制回路宜由电动机主回路供电,如由其他电源供电,则主回路失压时,应自动断开控制电源。接触器的安装方法(1)接触器安装前应检查线圈的额定电压等技术数据是否与实际使用相符,然后将铁心及面上的防锈油脂或锈垢用汽油擦净,以免多次使用后被油垢粘住,造成接触器...
高效能微处理器Cell技术初探
RambusXDRDRAM是eXtremeDataRateDRA(极限数据率动态随机存取存储器)的缩写。它是目前最高性能的内存子系统解决方案。它通过独立使用地址线、数据线和控制线来提高内存的传输性能。由于XDRDRAM可同时传输8路数据,所以500MHz的XDRDRAM等效频率为500MHz×8=4.0GHz,其16bit单通道带宽为4.0GHz×16bit/8=8.0GB/...
网友自制CPU?09年处理器行业雷人事件
*配备512KB内存,512KBROM,使用24位地址线结构,最多允许的RAM+ROM容量为1MB;*耗电10W,额定工作电流2.0A,电压5V;*支持512x480双色VGA输出,或128x240256色VGA输出;*音效功能由三声部可编程发生器提供;*可连接PS/2接口普通键盘;*具备24x2Debug显示屏;...
专为中国打造 S60诺基亚6122c独家评测
图为诺基亚6122classic的屏幕显示内容再往下,我们一起来了解一下诺基亚6122classic在存储方面的信息。C:N/Asize:28157/44248KB代表28.2MB剩余内存/43.2MB总机身内存;D:RAMsize:20352/20354KB表示20.5MB可运行内存储空间;E:HDDsize:489952/500080KB就是477.8MB剩余存储卡空间/488.4MB总存储卡空间。而最后...