美卖力施压,中国造出来了,德媒中国突破7纳米芯片光刻机技术

更让人兴奋的是，2024年9月的时候，工信部发布消息说，中国研制出了两台新光刻机呢。氟化氩光刻机里比较先进的那种，照明波长是193nm，分辨率最多是65nm，套刻最多是8nm。看这台光刻机的技术参数就能知道，我国的光刻机技术有重大突破了，它8纳米的套刻精度在全球都算比较高的。这款新的国产光刻机一问世，...

禁令方向反了?国产光刻机获突破,套刻精度小于8nm

据CNews报道，俄罗斯工业和贸易部还制定了一项电子制造设备的国产替代计划，预计2030年实现65nm技术，若俄这一计划达到预期效果，那么中低端制程也能实现自我供给了。相比俄罗斯的速度我国其实快了很多，ASML曾表示就算给我们图纸也造不出光刻机，如今套刻精度≤8nm的氟化氩光刻机和套刻精度≤25nm的氟化氪光刻机横空...

台积电说中国能造8nm,华为却认为制造先进芯片面临很大困难背后

杨光磊指出,中芯国际用阿斯麦的DUV光刻机是可以做到7nm,因为台积电第一代7nm也没有用EUV,即极紫光的这个机器,所以做7nm没有问题的。他表示:“国产氟化氩光刻机它的波长大概193纳米,用193纳米要做一个8nm的技术,绝对是可能的,它要把193再除以2再除以2,就除到一个程度就会变成接近8nm,只要它在那个地方印好几...

中国光刻机逆袭!5nm技术剑指美国,夺回半导体30年荣光!

中国大陆半导体制造商已占据了ASML光刻机市场的第二大购买者地位,仅次于台湾。而28nm制程已经能够满足半导体产业80%的需求,虽然高端的5nm和3nm还存在差距,但28nm的广泛应用已经为中国半导体产业打下了坚实的基础。从智能手机、平板电脑到汽车电子、物联网设备,28nm芯片都发挥着关键作用。找回失去的30年倪光南院士这么...

为什么中国大陆,还制造不出5nm、3nm的先进芯片?

只有EUV光刻机,能够制造5nm及以下的芯片。目前ASML的EUV光刻机,不能卖给中国,连浸润式DUV光刻机,都有部分受限了。而国产光刻机,之前是90nm,前几天工信部公布了一台光刻机,也是65nm,还是干式DUV光刻机的范畴,不可能支持到5nm的……除了光刻机之外,还有很多设备,也是和工艺相关的,比如刻蚀机等等,目前国内...

中国自主研发光刻机:将突破5nm,找回中国半导体产业失去的30年

据说第四代光刻机技术,理论上是可以实现7nm节点工艺制程的,只不过由于需要的光罩数量非常多,暂时量产还是有难度的(www.e993.com)2024年11月24日。虽然这样的成绩、比起世界一流水平(5nm以下)尚且存在一定的差距,但是我们在全球产业链受限的条件下,走到这一步已属不易,更何况目前实现28nm自主化突破意义更大。

国产光刻机“套刻≤8nm”意味着什么

《中国经营报》记者注意到,该文件一经发布后,关于国产光刻机取得大突破的言论“喜大普奔”,还有人把“套刻≤8nm”误认为8nm光刻机。事实上,套刻精度指的是每一层光刻层之间的对准精度,而≤8nm的套刻精度并不一定代表能制造8nm工艺的芯片。“光刻机套刻小于8纳米,逻辑上对应的区间,也能上到成熟区间,甚...

中国的7nm光刻机是不是造出来了?

总体来说，这次曝光的国产DUV光刻机，应该是之前90nm分辨率的国产光刻机的改良版，能用于55—65nm的成熟制程芯片制造需求。（目前国内量产的还是干式）需要指出的是，通知文件所披露的这款ArF光刻机依然是干式DUV光刻机，而非更先进的浸没式DUV光刻机（也被称为ArFi光刻机）。---那么聊到最后，聪明的小伙伴...

中国芯的好消息:EUV光刻机没有下一代,芯片工艺达到极限

所以标准EUV光刻机刻画的半间距是13.5nm,而HighNAEUV可以达到8nm。另外功率方面,从1.5兆瓦,提升到2兆瓦,效率也更高了,从原来的每小时200片12寸晶圆,变成了400-500片晶圆。在ASML之前的技术演进中,HighNAEUV之后,就是HyperNAEUV,这种EUV光刻机功率更大,NA达到0.75,分辨率更高,速度更快,效率也更高...

3+亿美元能造1.8nm!Intel收到全球第一台高NA EUV极紫外光刻机

Intel官方宣布,位于俄勒冈州的晶圆厂已经收到ASML发货的全球第一台高NA(数值孔径)EUV极紫外光刻机,型号为“TwinscanEXE:5000”,它将帮助Intel继续推进摩尔定律。Intel早在2018年就向ASML订购了这种新一代光刻机,将用于计划今年量产的Intel18A制造工艺,也就是1.8nm级别。