国产芯片崛起!14nm自主化工艺,光刻机技术也迎新突破!

但现在不同了，我们华夏在光刻机技术上，已经有了突破性的进展，已经可以生产出符合14nm制程的光刻机！这也太让外国芯片巨头们刮目相看了吧！这对我们老百姓有好处啊！首先，我们在电子产品上，有了更多的选择。以前我们只能选择外国品牌，但现在，我们的产品，一点都不比我们差！这样既节省了我们的开支，又给...

中国拥有了光刻机为什么让美国害怕到发抖?真正的原因谁都没想到

完全自主的光刻机如果是28nm制程,那可以自主生产出来相当于每西方水准多少纳米水准的芯片呢?很好算,就是10nm。现在中国用自主的完全自己生产的光刻机,已经可以完全不需要美西方就生产出10nm制程的芯片了,这才是让美西方瑟瑟发抖、魂飞魄散的真相了。要知道,现在全世界使用的芯片,90%以上都是14nm制程以上的芯片。

美卖力施压,中国造出来了,德媒中国突破7纳米芯片光刻机技术

氟化氩光刻机里比较先进的那种，照明波长是193nm，分辨率最多是65nm，套刻最多是8nm。看这台光刻机的技术参数就能知道，我国的光刻机技术有重大突破了，它8纳米的套刻精度在全球都算比较高的。这款新的国产光刻机一问世，好多外国媒体都惊叹中国先进技术的发展速度真快。还有啊，光刻机的研制牵扯到好多不同的...

荷兰光刻机限令刚出,中国发布氟化氩光刻机,能突破8纳米限制吗

01中国自主研发的氟化氩光刻机顺利问世,套刻精度达到≤8nm,性能接近全球最先进水平。02该成果打破了荷兰阿斯麦公司的技术垄断,对美荷两国在光刻机领域的“技术封锁”策略构成有力回击。03由于此突破,荷兰政府开始担忧失去我国市场的潜在危机,光刻机市场的变局从依赖到自主掌控。04此外,我国在光刻机领域的突破对...

台积电说中国能造8nm,华为却认为制造先进芯片面临很大困难背后

杨光磊指出,中芯国际用阿斯麦的DUV光刻机是可以做到7nm,因为台积电第一代7nm也没有用EUV,即极紫光的这个机器,所以做7nm没有问题的。他表示:“国产氟化氩光刻机它的波长大概193纳米,用193纳米要做一个8nm的技术,绝对是可能的,它要把193再除以2再除以2,就除到一个程度就会变成接近8nm,只要它在那个地方印好几...

美荷网友同发声,对中国独立研发的光刻机技术给予了强烈批评!

根据官方数据，这款光刻机的最小分辨率为65nm，最小套刻精度是8nm，和荷兰ASML的XT1460K相当，属于欧美2020年的技术水平(www.e993.com)2024年11月24日。客观来说，这个精度并不十分先进，想要赶超荷兰目前的水平还需要时间，因此也有些人对这款光刻机持怀疑态度。有些人认为，虽然研发出来了，但相比国际领先水平还是差得远，依旧难逃被卡脖子...

为什么中国大陆,还制造不出5nm、3nm的先进芯片?

其中最关键的光刻机,大家都清楚的,干式DUV光刻机,最多能制造65nm的芯片,浸润式DUV光刻机,最多能制造7nm的芯片。只有EUV光刻机,能够制造5nm及以下的芯片。目前ASML的EUV光刻机,不能卖给中国,连浸润式DUV光刻机,都有部分受限了。而国产光刻机,之前是90nm,前几天工信部公布了一台光刻机,也是65nm,还是干式...

中国芯的好消息:EUV光刻机没有下一代,芯片工艺达到极限

近日,媒体报道称,台积电计划在1.6nm芯片工艺时,继续使用目前标准的EUV光刻机,也就是数值孔径=0.33NA的光刻机,而不是最新的HighNAEUV。台积电说是因为其太贵了,一台要3.5亿欧元,接近30亿人民币,不划算。另外,也因为ASML的这种HighNAEUV产量有限,一年才几台,或10来台左右,已经被intel预订了大部分产能,...

关于国家工信部突然官宣的“国产光刻机”,你需要知道的10件事

中国自己的7nm光刻机,是不是真的造出来了?起因,是9月9日国家工信部发布的一个通知:《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录(2024版)》。有人发现,《目录》里有2行,不对劲。很不对劲。看图。这两行,是什么意思?是连一个形容词都没有,就突然静悄悄地官宣了中国自己的新光刻机吗?

苏联电子技术世界领先,为什么俄罗斯造不出芯片?

“喜报,喜报,我国光刻机技术取得巨大突破,可以自主生产350nm芯片!”基本上所有的俄罗斯媒体,最近都在报道这个重磅消息,根据塔斯社的说法,这款350nm工艺的光刻机已经组装完成,并且通过了测试,很快就可以投产。到2026年,俄罗斯有望造出130nm工艺的光刻机。