27亿一台!台积电大手笔购买最先进光刻机,目标直指1nm芯片!

这27亿一台的光刻机啊，可不是一般的设备。它采用了最先进的技术和工艺，能够制造出精度极高的芯片。咱们知道，芯片上的电路图案是非常细小的，要想把这些图案准确地“刻”到硅片上，就得用非常精密的设备。而这台光刻机呢，它的精度和性能都达到了前所未有的高度。它能够制造出1纳米级别的芯片，这是目前世界...

ASML公布Hyper NA EUV光刻机:现有技术的巅峰 可量产0.2nm工艺!

ASML预计,HyperAN光刻机或许能做到0.2nm甚至更先进工艺的量产,但目前还不能完全肯定。值得一提的是,单个硅原子的直径约为0.1nm,但是上边提到的这些工艺节点,并不是真实的晶体管物理尺寸,只是一种等效说法,基于性能、能效一定比例的提升。比如说0.2nm工艺,实际的晶体管金属间距大约为16-12nm,之后将继续缩减到14...

替代EUV光刻机光源,日本方案详解

另一方面,通过简单的线性外推,LPP光源的建设和运行成本大致估计为每250瓦EUV功率每年2000万美元和1500万美元,每1千瓦EUV功率或光刻机每年8000万美元和6000万美元。特别是LPPEUV光源的运行成本昂贵,集光器镜片模组的维护费用占运行成本的大部分,集尽管集光镜的使用寿命现在得到了显着提高,集光器镜片仍然由于锡屑的...

跌破2700点后,大盘反弹开始了吗

为了解决这一难题,中科院控股企业北京中科科美在2021年7月成功研发出了镀膜精度控制在0.1纳米以内的直线式劳埃透镜镀膜装置以及纳米聚焦镜镀膜装置。这些零部件满足了长春光机所对于高精度弧形反射镜系统的技术要求。目前来看,国内有三条主要的EUV光刻机研发路线,它们采取饱和式研发,不计成本:正统路线:就是ASML的EUV光...

国产率只有20%,我国战略气体也被“卡脖子”?院士解读如何走出困境

工业气体究竟有多重要?以半导体行业为例,芯片的制造会用到光刻机,光刻是用特定波长的激光让光刻胶发生化学反应,通过曝光和显影将设计在掩膜版上的图形转移到硅片上的过程。特定的波长是在常用的深紫外DUV光刻机中通过准分子激光器产生的,这种激光器内充填了97%的氖气。

美日都没拿下的高精尖光刻技术,凭什么荷兰领先?我国还差多远?

如今全世界的光刻机领域,基本上都被荷兰人垄断了(www.e993.com)2024年11月23日。所以不光是我国,其他一些国家也想反超。而反超的另一技术,就是不同于光刻技术的纳米压印技术。在该领域,近年来国内的研究和应用虽然也有所突破,并且技术专利数量排名世界第二,但要想在未来取得更广泛的应用,同样还需要时间去推动和沉淀。

台积电预计达到0.1nm工艺制程,我们的光刻机技术何时自研

台积电：将用150亿美元用于投资3nm工艺制程。并且可能在2021年，3nm都要开始试产。在技术的不断进步下，我们可以预计，这两家厂商可能会形成交替的争锋。根据消息，第一代的3nm工艺（N3）的晶体管密度将提升约70%，速度提升10%到15%，芯片的性能提升25%到30%，3nm工艺可能让台积电的技术更上一层楼。实际上，在...

佳能光刻机来了!解像力高达0.1微米,提升芯片封装能力

根据佳能方面的介绍,新的光刻机配备了佳能自主研发的投影光学系统,在实现曝光的同时能够达到0.1微米的高解像力。这对芯片的研发具有十分重要的意义,高解像力以及高产能,能够极大地提升半导体芯片的封装能力以及微型化,以及还能降低生产成本。另外,佳能为了满足用户的需求,还开发出了能够搬送大型方形基板的平遥。通过全新...

EUV光刻机镜头比中子星表面还要光滑,这是如何做到的?

离子束抛光中的离子束溅射法能够沉积致密的薄膜,从而可以一层层地给EUV光刻机镜片镀上多层膜。目前先进的超光滑表面粗糙度为0.1nm左右,蔡司能做到0.02nm真的不服不行。最后,希望中国光学技术的发展,能尽快达到生产EUV光刻机的标准。只要光学技术达到了,其它问题很快也就会迎刃而解了。

给半导体检查身体的设备,和光刻机一样难造?

光刻机、刻蚀机对造芯片的重要性已不言而喻,但若没有质量控制设备,同样无法造芯。就像医疗领域的CT、彩超、生化分析仪等辅助检测身体状况的设备一样,半导体质量控制设备也是给芯片“体检”的工具,统称半导体检测设备。今年5月19日,中科飞测科创板上市,其主要业务便是国产化率只有2%的半导体检测和量测设...