上海微电子突破极紫外光刻技术,中国半导体崛起国际舞台

EUV光刻技术或许不是终点，未来可能会出现新的、更为先进的技术，这要求我们在已有技术的基础上，继续探索和创新。在全球化与去全球化交织的今天，半导体行业将在合作与竞争中寻求新的发展平衡点。如果说竞争是推动技术进步的动力，那么合作则是促进行业整体进步的保障。未来十年，半导体技术的发展将进一步加速，各种新...

中国豪掷250亿,光刻机技术突破重塑全球半导体格局

不过，光刻机的技术确实有点复杂，涉及的学科和工艺真的是五花八门。从底层技术到材料科学，再到精密制造，每个环节都是一块难啃的骨头。中国虽然有资金、有市场、有专家，但在技术积累上仍然相对薄弱。就像你手里有一把锋利的菜刀，却想砍断一根粗铁链，费劲可想而知。但是，咱们中国人从来不怕挑战！我们有完整...

极紫外光刻技术获突破:可大幅提高能源效率,降低半导体制造成本

8月2日,冲绳科学技术大学院大学(OIST)的教授新竹俊(TsumoruShintake)提出了一种极紫外(EUV)光刻技术。基于这种设计的EUV光刻技术可以使用更小的EUV光源工作,从而降低成本,显著提高机器的可靠性和使用寿命。而在消耗电量上不到传统EUV光刻机的十分之一,有助于半导体行业变得更加环境可持续。据了解,...

我国又一半导体关键技术突破 不亚于光刻技术

氢离子注入作为半导体晶圆制造中仅次于光刻的关键环节,对于集成电路、功率半导体以及第三代半导体等多种类型产品的制造具有不可替代的作用。长期以来,由于该领域核心技术及装备工艺的缺失,我国半导体产业的高端化发展受到严重制约,尤其是高压功率芯片(600V以上)长期依赖进口。面对外国技术封锁和装备禁运的不利局面,核力创芯...

重大突破!极紫外光刻新技术问世,超越半导体制造业标准界限,功耗比...

日前,据日本冲绳科学技术大学院大学(OIST)官网最新报告,该校的津守教授设计了一种极紫外(EUV)光刻技术,超越了半导体制造业的标准界限。基于此设计的光刻设备可采用更小的EUV光源,其功耗还不到传统EUV光刻机的十分之一,从而降低成本并大幅提高机器的可靠性和使用寿命。

创新的极紫外光刻技术极大地造福了半导体制造

冲绳科学技术研究所(OIST)的TsumoruShintake教授提出了一种超越半导体制造标准的极紫外(EUV)光刻技术(www.e993.com)2024年11月23日。本文引用地址:httpseepw/article/202407/461497.htm基于此设计的EUV光刻可以使用更小的EUV光源,降低成本并显著提高机器的可靠性和寿命。它的功耗也不到传统EUV光刻机的十分之一,有助于半导体...

极紫外光刻新技术问世,能大幅提高能源效率并降低半导体制造成本

导读:基于此设计的光刻设备可采用更小的EUV光源,其功耗还不到传统EUV光刻机的十分之一,从而降低成本并大幅提高机器的可靠性和使用寿命。8/02/2024,光纤在线讯,据日本冲绳科学技术大学院大学(OIST)官网最新报告,该校设计了一种极紫外(EUV)光刻技术,超越了半导体制造业的标准界限。基于此设计的光刻设备可采用更小...

光刻技术的过去、现在与未来

极紫外光刻等先进技术的出现推动了芯片制造技术的前沿,实现了更高精度和更小尺寸的微细结构制造。20世纪光刻技术的里程碑事件,从最初的实验研究到工业化应用,为现代半导体工业的发展奠定了坚实的基础。这些重要突破推动了光刻技术的不断发展,将其打造成为微纳米制造中不可或缺的关键技术之一。

复旦大学魏大程团队研发半导体性光刻胶,实现特大规模集成度有机...

记者最新从复旦大学获悉,复旦大学高分子科学系、聚合物分子工程国家重点实验室魏大程团队设计了一种新型半导体性光刻胶,利用光刻技术在全画幅尺寸芯片上集成了2700万个有机晶体管并实现了互连,在聚合物半导体芯片的集成度上实现新突破,集成度达到特大规模集成度水平。该成果以《基于光伏纳米单元的高性能大规模集成有机...

国产光刻胶技术迎重大突破 国内市场替代空间广阔

近日,九峰山实验室、华中科技大学组成联合研究团队,依托九峰山实验室工艺平台,支持华中科技大学团队研究“双非离子型光酸协同增强响应的化学放大光刻胶”技术。这一具有自主知识产权的光刻胶体系已在产线上完成了初步工艺验证,并同步完成了各项技术指标的检测优化,实现了从技术开发到成果转化的全链条打通。