终于破冰!氟化氩光刻机有多牛?8纳米工艺可以量产了?

氟化氩光刻机采用193纳米波长的光源，通过特殊的光学系统和精密的机械结构，实现了对芯片表面微小结构的精确刻蚀。其分辨率小于或等于65纳米，足以满足当前及未来一段时间内，对于7纳米及以上制程节点芯片的生产需求。这一技术的突破，不仅极大地提升了中国芯片制造的能力，更为中国在全球半导体产业链中争取到了更多的话语...

图说光刻机的4大核心技术

ArFi(ArF浸没式光刻):ArFi是"ArgonFluorideImmersionLithography"的缩写,指的是使用ArF(氟化氩)激光源的浸没式光刻技术。ArFi光刻技术使用193纳米波长的光源,通过浸没式在光刻机镜头和硅片之间使用液体(通常是水)作为介质,来提高光的分辨率。这种技术允许在45纳米及更大工艺节点的芯片制造中实现更高的精度。ArFi...

中国光刻机再创辉煌:从436纳米到7纳米,国产技术直逼阿斯麦

工信部提到的两款国产DUV光刻机，就是使用氟化氩和氟化氪这两种光源。最新一代的光刻机则厉害了，波长缩至13.5纳米，这就是我们常常听到的极紫外光（EUV）光刻技术。如今，顶尖的半导体芯片，举例来说像由台积电代工的苹果A18Pro，便是利用这一技术制成的。因此，光刻机的发展呈现出一个逐步升级的轨迹，波长越...

荷兰光刻机限令刚出,中国发布氟化氩光刻机,能突破8纳米限制吗

01中国自主研发的氟化氩光刻机顺利问世,套刻精度达到≤8nm,性能接近全球最先进水平。02该成果打破了荷兰阿斯麦公司的技术垄断,对美荷两国在光刻机领域的“技术封锁”策略构成有力回击。03由于此突破,荷兰政府开始担忧失去我国市场的潜在危机,光刻机市场的变局从依赖到自主掌控。04此外,我国在光刻机领域的突破对...

中国高端光刻机问世,分辨率突破65纳米,能制造8纳米的芯片吗

光刻机的技术复杂性在于,它需要极高的光学精度和纳米级的操作控制。为了让一束光能够在纳米尺度的范围内精确雕刻芯片线路,光刻机必须使用由多达几十枚顶级镜片组成的光学系统。此前,全球只有极少数国家的企业掌握了这种光学镜片的制造技术,而中国必须在完全封锁的环境中自行开发。

350纳米工艺!俄罗斯第一台自研光刻机问世!这是什么水平?

资料显示,俄罗斯的350nm光刻机采用的是超紫外线平版印刷术(www.e993.com)2024年11月23日。据塔斯社解释,平版印刷是生产纳米结构的最广泛的技术之一。最初,平版印刷是一种印刷方法,通过在压力下将油墨从平坦的印版转移到光滑的表面来进行印刷。而微纳电子学中,光刻在硅基板表面的特殊敏感层(抗蚀剂)中形成浮雕图案,该图重复了微电路的几何形状。

工信部首台套光刻机,到底是几纳米的

00:00/00:00倍速当前设备不支持播放你可以刷新试试70017001.199-f5eb9a15ba4745c17b7a5dd6c9cd17a8工信部首台套光刻机,到底是几纳米的2024-09-1607:00发布于北京|21万观看72564123514手机看雷哥聊工业粉丝1.3万|关注0+关注...

生命科学领域“光刻机”全球竞速,中国企业在纳米孔测序仪新赛道...

9月9日,华大正式宣布加入纳米孔基因测序仪阵列,面向全球发布最新测序技术——CycloneSEQ测序技术,两款拥有自主产权的纳米孔测序仪首次对外推出。生命科学领域的“光刻机”华大集团CEO、执行董事尹烨将基因测序仪视作生命科学领域的“光刻机”,而华大自主研发生产这台“光刻机”的缘由外界并不陌生。

专家解读65纳米光刻机的分辨率 技术瓶颈与多重曝光潜力

该研究指出,对于0.93数值孔径的65纳米光刻机,单次曝光要求的套刻精度为8纳米,而在双重曝光模式下,要求进一步提高到5.6纳米。这意味着,即便是8纳米套刻精度,在双重曝光至40纳米分辨率的需求面前也显得不够。况且,40纳米仅是浸没式光刻机单次曝光的水平。

光刻机板块仅一家,掌握全球少数纳米光刻技术,腰斩后量能放大4倍

今天财报翻译官将深入分析一家深耕光刻工艺10多年,在国内率先实现MEMS光刻工艺产业化应用的企业,它就是泰晶科技。公司是全球少数几家掌握晶体微纳米MEMS光刻技术的企业,并在国内率先实现了国产替代。目前,这家企业已经大幅回撤了72%,并于近期量能开始放大。在本周四,公司的成交金额只有7275万元。而在周五,这家企业...