中国科大在高性能金刚石量子器件制备上取得重要进展

在过去几年中,人们积极致力于开发用于提高NV色心荧光强度的金刚石微纳米光子学结构,例如固体浸没透镜、柱形波导、圆形牛眼光栅、抛物面反射器、倒置纳米锥等。但目前传统的制备技术无法精确控制微纳米结构中NV色心位置,导致器件制备效率低下,性能难以达到预期(图2(a)),其主要原因是NV色心制备工艺和金刚石结构刻蚀工艺之...

郑大《Acta Materialia》:结构缺陷对镍催化合成金刚石蚀刻行为的...

(i)与两个Poly-D晶粒相连的石墨化原子结构示意图。综上所述,本研究利用电子显微镜和理论计算探讨了缺陷对合成金刚石在H2/Ar环境中镍催化刻蚀的影响。研究结果表明,金刚石的镍催化刻蚀行为与晶格平面有关,在{111}和{100}表面分别存在“滑动”和“钻孔”刻蚀行为。此外,NiNPs在金刚石的{111}表面沿〈11...

氮化镓晶体管散热革命与高性能电子器件的未来 | 金刚石大会

通过模拟和实验,研究了这些结构的热效率,并与相同设计的GaN-on-SiC结构进行了比较。实验结果表明,金刚石-SiC复合基板在散热方面表现出色,能够有效降低器件的表面温度和热阻。(a)金刚石/SiC上GaN结构示意图。(b)抛光后的GaN异质结构、SiC、金刚石的AFM图像。(c)金刚石-SiC复合衬底上GaN异质结构的XRD光谱和(d)拉...

【复材资讯】GaN/金刚石功率器件界面的热管理

图1.GaN/金刚石器件结构与合成。图2.电子显微镜示意图。图3.频域热反射率。图4.拉曼光谱应力分析。图5.局部热-机械分布图:(a)拉曼图转换为应力,18kHzFDTR图用于热部分。来源:DT-Carbontech免责声明:中国复合材料学会微信公众号发布的文章,仅用于复合材料专业知识和市场资讯的交流与分享,不用...

《自然·通讯》发表西安交大材料学院研究成果:百纳米级金刚石颗粒...

近日,西安交通大学材料学院单智伟教授团队与材料创新设计中心团队合作,研究发现数十、甚至百纳米级别的金刚石颗粒可以在远低于钢铁熔点的温度下,以颗粒而非单个原子的形式,自驱动地进入钢铁晶体内部并且持续向内“行走”,最大行程可达数毫米且主体部分始终保持金刚石晶体结构。关于这一发现及其背后的物理机制的文章,以《纳...

金刚石/GaN 异质外延与键合技术研究进展

Kagawa等使用Si作为中间层,制备了AlGaN/GaN/3C-SiC/金刚石结构,在800℃退火后,形成欧姆接触,键合结构稳定,得到完整GaNHEMT器件(www.e993.com)2024年11月23日。如图3所示,在1100℃退火后,键合层中Si和C原子发生再结晶生成SiC,厚度从退火前的15.5nm减小到7.4nm,且在高温退火过程中键合层拉应力也有所减小。

碳化硅集成光子学研究进展及其应用

碳化硅中硅空位色心（VSi）、双空位色心（DV）和氮替位硅空位色心（NV）因性质优异而得到广泛研究，图8为这3种色心的原子结构示意图，其中标注了发光峰位在光谱中的大概位置。除这3种色心外，其他类型的色心如钒替位色心（V4+）、碳替位硅空位色心（CAV）等也得到深入研究。上述色心的性质...

全球芯片正在破局……

（a）光刻胶组成;(b)光刻胶聚集态结构;(c)在不同衬底上加工的有机晶体管阵列；（d）有机晶体管阵列结构示意图及光学显微镜照片；（e）有机光电晶体管成像芯片（PQD-nanocellOPT）与现有商用CMOS成像芯片以及其他方法制造有机成像芯片的像素密度对比。图表来源：复旦大学官网团队负责人魏大程表示，他们正在积极...

全球芯片关键技术研究最新进展

(a)光刻胶组成;(b)光刻胶聚集态结构;(c)在不同衬底上加工的有机晶体管阵列;(d)有机晶体管阵列结构示意图及光学显微镜照片;(e)有机光电晶体管成像芯片(PQD-nanocellOPT)与现有商用CMOS成像芯片以及其他方法制造有机成像芯片的像素密度对比。图表来源:复旦大学官网...

车载SoC芯片产业分析报告(二):车载SoC芯片产业链分析

车载SOC芯片产业链结构示意图2.2上游产业分析芯片设计企业的上游主要包括:IP核授权和EDA软件等设计工具厂商,这些设计工具厂商能够赋能芯片设计厂商,助力其加快芯片的开发周期和上市时间;晶圆制造和封测企业的上游主要包括:EDA软件、半导体材料以及半导体设备厂商。