阿斯麦:2024年光刻技术市场环绕AI芯片的强劲需求,将继续引领行业...

在这个过程中,企业需要平衡技术创新与市场需求,同时注重对环境的影响。例如,在芯片生产过程中,如何利用更环保的材料和工艺,将是未来必须面对的挑战之一。同时,AI技术在改善生产效率的同时,也需警惕其可能带来的伦理和社会挑战。五、结语:拥抱AI时代的自媒体与创新综上所述,阿斯麦的预测反映了全球半导体行业在AI技术...

进博会上,光刻机巨头回应出口管制-观察者网

有行业研报指出,i线光刻技术已经被深紫外光刻技术(DUV)所替代,但在针对部分旧款半导体工艺和制造流程、MEMS(微机电系统)制造、显示器制造、大型光掩模上仍需要使用i线光刻机。尼康在本次进博会上的展台图源:观察者网但坦白讲,尼康与ASML的差距仍显而易见。根据芯思想Chipinsights数据,2022年全球出货的551台...

光刻胶量产只是突破的第一步

芯片并不是光刻机直接在晶圆上刻出来的，而是需要再晶圆表面上先涂抹一层光刻胶，用来做曝光，简单来说就是把芯片电路的布局刻在上边，类似胶卷相机曝光，才有后续显影、蚀刻等工序，因此光刻胶被称为“微纳世界的画家”。光刻胶市场规模并不大，2023年全球光刻胶销售额是22亿美元，其中日本占据了90%的市场份...

...半导体等领域,衬底玻璃晶圆产品在半导体光刻工艺中作为衬底使用

公司专注于光学产业及相关领域前沿技术发展情况,开发的衬底玻璃晶圆产品可用于与硅晶圆键合,在半导体光刻等工艺中作为衬底使用。基于商业保密原则,具体客户信息不便回复,敬请谅解。

佳能首次出货纳米压印光刻机

佳能的纳米压印设备可绘制5纳米级半导体工艺所需要的最小线宽为14纳米的电路图案,性能接近ASML开口数为0.33的EUV光刻设备所能实现的最小线宽13纳米的性能。佳能从2014年起正式开发该技术,设备于2023年10月13日开始销售。本次供应是佳能在宣布上市之后首次出货。

【光电集成】芯片制造工艺流程.图文详解.一文通

半导体制造工艺-光刻(Photolithography)近年大量提及的光刻机,只是众多工艺设备中的一个(www.e993.com)2024年11月23日。即使是光刻,也有很多的工艺过程和设备。(1)光刻胶涂层Photoresistcoating光刻胶是一种光敏材料。将少量光刻胶液体加在晶圆片上。晶圆片在1000到5000RPM的速度下旋转,将光刻胶扩散成2到200um厚的均匀涂层。

疆亘观察|半导体国产替代的重要一环:光刻胶

光刻工艺流程资料来源：晶瑞电材招股书在这一过程中，光刻胶作为图形转移的介质，通过光化学反应，将所需的微细图形从掩模版转移到待加工基片上，实现选择性刻蚀。这些图形作为阻挡层，用于后续的刻蚀和离子注入工艺，是微细图形线路加工的关键材料。根据技术类型，半导体光刻胶主要分为酚醛树脂-重氮奈醌型光刻胶（...

国产光刻机重大突破,半导体行业持续复苏!光刻机概念集体爆发

在《指导目录》中,"集成电路生产装备"板块列出了氟化氪光刻机和氟化氩光刻机。其中,氟化氩光刻机具有65纳米以下的分辨率和8纳米以下的套刻精度,能够支持28纳米工艺芯片的量产。这表明我国在半导体设备领域获得了重大突破。光刻机作为半导体制造的核心设备,其技术水平直接影响到芯片的性能和成本。随着相...

半导体后端工艺|第七篇:晶圆级封装工艺

在本系列第六篇文章中,我们介绍了传统封装的组装流程。本文将是接下来的两篇文章中的第一集,重点介绍半导体封装的另一种主要方法——晶圆级封装(WLP)。本文将探讨晶圆级封装的五项基本工艺,包括:光刻(Photolithography)工艺、溅射(Sputtering)工艺、电镀(Electroplating)工艺、光刻胶去胶(PRStripping)工艺和金属刻蚀(...

CMP:半导体制造工艺的平滑艺术

在硅片制造领域,半导体抛光片生产工艺流程中,在完成拉晶、硅锭加工、切片成型环节后,在抛光环节,为了得到平整洁净的抛光片需要通过CMP设备及工艺来实现。在集成电路制造领域,芯片制造过程按照技术分工主要可分为薄膜淀积、CMP、光刻、刻蚀、离子注入等工艺环节,各工艺环节实施过程中均需要依靠特定类型的半导体专用设备。