5nm已量产,3nm还会远吗?重要性比肩光刻机的刻蚀设备——中微公司

随着国际上高端量产芯片从14纳米到10纳米阶段向7纳米、5纳米甚至更小的方向发展,当前市场普遍使用的沉浸式光刻机受光波长的限制,关键尺寸无法满足要求,必须采用多重模板工艺,利用刻蚀工艺实现更小的尺寸,使得刻蚀技术及相关设备的重要性进一步提升。下图展示10纳米多重模板工艺原理,涉及多次刻蚀。图|10纳...

在美国的重重封锁下我国国产“芯”技术再突破,目标直指5nm

从官方消息来看,国产T150A光刻胶的分辨率已经达到了120nm,足以满足5nm及以下工艺芯片的生产需求。就目前国内市场的需求而言,国产T150A光刻胶已经完全能够满足我们的使用。从这当中我们还能看出,国产T150A光刻胶的出现,意味着我国国产芯片技术已经在朝着5nm工艺稳步迈进了。颇具戏剧性的是,尽管光...

光刻胶产业化又传利好 背后公司成立不足5个月 成色几何?

据东湖国家自主创新示范区官网今日(10月15日)消息,近日武汉太紫微光电科技有限公司(下称“太紫微公司”)推出的T150A-光刻胶产品,已通过半导体工艺量产验证,实现配方全自主设计。该产品“对标国际头部企业主流KrF光刻胶系列。相较于国外同系列产品UV1610,T150A在光刻工艺中表现出的极限分辨率达120nm,且工艺宽容度...

国产光刻机65nm节点有望突破!5~10年内研发重点在哪?

智能制造网了解到，极紫外光刻技术(EUVlithography)是一种使用波长为13.5纳米的极紫外光作为光源的下一代光刻技术，广泛应用于半导体制造中，是面向7nm及以下节点的主流光刻技术。东海证券认为，目前国产光刻机整机技术与海外差距较大，5~10年内90nm、28nm光刻机的研发量产较为关键。智能制造网坚信，只要不断提高...

国产芯突破5纳米,美芯巨头AMD直接把订单给到2026年!

通富微电在先进工艺技术方面取得了重大突破，尤其是在5nm和6nm工艺的研发上，大幅提升了其在全球市场的竞争力。这一技术优势使得通富微电能够有效满足AMD对高性能半导体产品的需求，并以较低费用进行生产，这对于AMD而言相当具有吸引力。通富微电的技术成就不仅仅体现在更小尺寸芯片的生产上。公司同样关注被称为“...

中国光刻机逆袭!5nm技术剑指美国,夺回半导体30年荣光!

“磨刀霍霍向猪羊,剑指苍穹志气昂(www.e993.com)2024年11月23日。”这句古诗用来形容中国半导体产业的决心与气势,恰如其分。近年来,中国在自主研发光刻机的道路上越走越远,剑指5nm技术,誓要踏破贺兰山缺,直击美国的七寸,找回中国半导体产业失去的30年。正视差距,奋起直追首先,我们必须承认,美国和欧洲在半导体技术方面确实拥有百年历史的技术沉...

中国自主研发光刻机:将突破5nm,找回中国半导体产业失去的30年

机关算尽一场空。美国人万万没想到,其在半导体行业,针对我国数年的科技封锁、贸易限制等一系列“卡脖子”战略,非但没有让我们屈服,反而激发中国科技自主研发进程。光刻机技术迅速崛起,7nm胜利在望,5nm也将获得突破,我们落后于世界半导体行业发展的30年,亦将一一补齐。

没有EUV光刻机,怎么做5nm芯片

4)降低k1:分辨率增益技术(RET)提高分辨率的最后一条路,就是降低k1值,这是晶圆厂里光刻工艺工程师工作的重中之重,也是离我们最近的一条路线。将k1降下来,是DUV光刻机制作5nm芯片的关键。首先要解决的问题是“防振动”,就像拍照防抖一样,在曝光时设法减少晶圆和光罩的相对振动,使曝光图形更加精准,恢复因振...

华为四重曝光工艺专利公开,国产5nm芯片有希望了?

华为自对准四重图案化半导体装置制作方法以及半导体装置专利(图源:国家知识产权局)该专利被看作是多重曝光芯片制造工艺的又一重大突破,外媒纷纷猜测,通过这一技术,中国国产5nm芯片将得以实现。如此一来,中国先进芯片的制造将能够绕过美国的技术制裁,降低对ASML光刻机的依赖,实现技术自主。

全球芯片关键技术研究最新进展

观察各方研发动态,据全球半导体观察不完全统计,今年来共有超30项关键技术取得重要进展,涉足类脑芯片、光子芯片、人工智能芯片、第三/四代半导体(碳化硅/氮化镓/氧化钾/金刚石等),以及光刻胶材料、存储器、晶体管器件等方面。破局第一篇:前沿芯片出世