从沙子到芯片:芯片的原理和制造过程

首先按照a图在晶圆硅片表面涂上一层光刻胶,再按照b图烘干。光刻胶是能把光影化为实体的一种胶体,只要被特定波长的光照射就会疲软,可以被溶解和清除。光刻胶的作用有点类似于的照相技术中的胶卷。晶圆硅片涂上光刻胶,烘干3-2-3第三步,最为关键的光刻工艺。将硅晶圆放置在在光刻机上,光线透过掩模上的镂...

把光刻机打成废铁?这回不是光刻厂,我们找到了4种方法

芯片的生产原理是这样的,首先要进行涂胶,然后进行打光、洗胶,然后进行蚀刻。具体说来,首先在硅制的晶原片的表面涂上光刻胶,然后用光刻机进行打光,就是利用光照来融化光刻胶,那么具体怎样融化呢?按照计算机储存的电脑程序来对光刻胶进行融化,有的胶融化,有的胶不融化,最终形成的图案就是一幅电路图。这幅电...

首先得有,28nm/65nm突破为何被工信部列为“重大技术”

需要说明的是,套刻精度与制程工艺是两码事,新光刻机的套刻精度小于8纳米,不意味着能够量产8纳米工艺制程的芯片,实际上也不存在所谓的8纳米制程工艺芯片,不少人认为套刻精度与量产工艺节点大约有1:3的关系。因此,尽管目前国产光刻机的套刻精度达到了8纳米,但这并不意味着可以直接生产8纳米制程的芯片,而是可能更...

集成光子封装的双光子3d打印技术,打印微透镜耦合和光子引线键合

典型TPL打印系统的示意图如图2所示。在近红外区域工作的激光通过物镜聚焦到样品上，提供高光强度，通过双光子吸收被光刻胶中存在的光引发剂吸收。要为镜头选择合适的放大倍率，书写速度必须与所需的分辨率相平衡。放大倍率越高，结构分辨率越精细，但写入速度会显著降低。共聚焦成像系统有助于定位样品表面并提高对准精度...

光刻技术,有了新选择

投影式光刻示意图基于远场傅里叶光学成像原理，在掩膜版和光刻胶之间采用了具有缩小倍率的投影成像物镜。早期掩膜版与衬底图形尺寸比为1:1，随着集成电路尺寸的不断缩小，出现了缩小倍率的步进重复光刻技术。步进重复光刻技术步进重复光刻示意图步进重复光刻主要应用于0.25微米以上工艺，光刻时掩膜版固定不动，...

光刻技术,有了新选择_腾讯新闻

投影式光刻示意图基于远场傅里叶光学成像原理,在掩膜版和光刻胶之间采用了具有缩小倍率的投影成像物镜(www.e993.com)2024年11月23日。早期掩膜版与衬底图形尺寸比为1:1,随着集成电路尺寸的不断缩小,出现了缩小倍率的步进重复光刻技术。步进重复光刻技术步进重复光刻示意图步进重复光刻主要应用于0.25微米以上工艺,光刻时掩膜版固定不动,晶圆步...

光刻技术,有了新选择

投影式光刻示意图基于远场傅里叶光学成像原理,在掩膜版和光刻胶之间采用了具有缩小倍率的投影成像物镜。早期掩膜版与衬底图形尺寸比为1:1,随着集成电路尺寸的不断缩小,出现了缩小倍率的步进重复光刻技术。步进重复光刻技术步进重复光刻示意图步进重复光刻主要应用于0.25微米以上工艺,光刻时掩膜版固定不动,晶圆步...

光刻技术,有了新选择_投资界

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新型光刻技术,迎来高光时刻。

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光刻技术,有了新选择_腾讯新闻

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