AI大模型需要新型存储器!北京大学唐克超老师谈FeRAM铁电存储器...
MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器,它利用磁电阻效应来存储数据,核心原理是利用材料的磁阻效应,即材料的电阻会随着外部磁场的变化而变化,从而通过改变电流方向和大小,可以改变其中一个磁性层的磁化方向,由此实现数据的写入和读取。其实这也不是什么新兴技术。早在上世纪五十年代就已经被提出,并在军用方面得到广泛应...
国芯思辰|兼容MB85RS2MT,国产铁电存储器SF25C20可用于医疗器械
SF25C20的核心技术是铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元,EEPROM则是利用电荷来保存数据。由于保存数据的原理不同,FRAM比EEPROM更加适合应用于医疗医药行业。比如伽马线和电子线灭菌易使EEPROM保存的数据丢失,而使用了FRAM标签的医疗设备、包装材料可以直接进行灭菌,标签内的数据并不会消失。它的工作电压范...
新书上架《半导体存储器件与电路》
几种受关注的候选者包括相变存储器(PCM)及用于相关3DX-point技术的选通器;阻变随机存取存储器(RRAM);磁性随机存取存储器(MRAM),包括自旋转移力矩(STT)和自旋轨道力矩(SOT)两种切换机制的MRAM;铁电存储器,如铁电随机存取存储器(FeRAM)和铁电场效应晶体管(FeFET)。此外,这些新型非易失性存储器的多比特存储、离散...
...SpringerMaterials 系列在线讲座: 新型非易失性存储器技术的展望
何亮博士将于10月14日重点介绍磁随机存储器(MRAM)在前沿科学领域,以及商业制造领域的最新进展,同时还会分析其它几种阻变存储器(RRAM),相变存储器(PCRAM),铁电存储器(FeRAM),以及赛道存储器(RacetrackMemory),包括基本器件原理,及商业应用前景等。在本次讲座中,何亮博士还会比较讨论几种新型存储器技术路线各自的优缺...
周益春教授团队突破HfO??基铁电畴动力学原子尺度隔离带的介观...
然而,第一性原理计算和超高分辨率TEM实验观察均发现HfO??铁电正交相中存在特殊的“隔离带”结构,即极性层被隔离带交替地隔开,且隔离带隔绝了相邻晶胞中的偶极相互作用,其电偶极子可在单个晶胞内稳定并可独立翻转,畴壁厚度几乎为零。为了设计铁电存储器还必须建立原子尺度“隔离带”与宏观电学性能之间的关联,如何通过...
HfO2 之铁电奋斗历程 | Ising专栏
这种现象,直到1990年代提出“非易失铁电存储器”和“高介电栅极材料(high-k)”两个主题后,才有所改变,才开始铁电体与现代半导体微电子学集成融合的历程(www.e993.com)2024年9月29日。这是其一。其二,到2000年前后,铁电极化的量子理论起源(贝里相位)和多铁性物理研究开始兴起,才有那些小带隙半导体和安德森很早就提出、但一直无人...
铁电存储器FM24C16原理及在多MCU系统中应用
铁电晶体的工作原理是:当在铁电晶体材料上加入电场,晶体中的中心原子会沿着电场方向运动,达到稳定状态。晶体中的每个自由浮动的中心原子只有2个稳定状态,一个记为逻辑中的0,另一个记为1。中心原子能在常温、没有电场的情况下,停留在此状态达100年以上。铁电存储器不需要定时刷新,能在断电情况下保存数据。由于整个...
铁电存储器工作原理和器件结构
2铁电存储器工作原理当一个电场被加到铁电晶体时,中心原子顺着电场的方向在晶体里移动。当原子移动时,它通过一个能量壁垒,从而引起电荷击穿。内部电路感应到电荷击穿并设置存储器。移去电场后,中心原子保持不动,存储器的状态也得以保存。因此,在一个外加电场下,铁电材料的极化特性会发生改变,当这个电场去掉以后...
FM20L08型铁电存储器的原理及应用
爆炸前在目标区域放置多个数据采集系统,接通电源,启动单片机内部程序,等待信号出现,起爆后,冲击波传感器和温度传感器将被测信号经调理电路送入单片机,单片机首先判断输入信号值是否大于门限值,只有输入信号值大于门限值才能存储铁电存储器的存储单元内,并在一定时间后关闭存储器,实验完毕,工作人员可采集到的数据在PC机上...
串行FRAM FM25H20原理及其应用
3FM25H20的工作原理3.1存储器结构FM25H20是由存储阵列、数据输入输出缓冲和锁存、命令寄存器、非易失性数据寄存器、地址锁存与译码、指令译码、时钟信号发生器、控制逻辑、写保护等模块构成。其内部结构如图l所示。外部电路通过8位I/O端口分时访问FM25H20的命令寄存器、地址寄存器和数据寄存器,完成对其内部存储器的...