半导体霸主黑马,打破海外技术垄断,稀缺新质材料龙头即将申购

凭借对研发创新的重视，欧莱新材通过持续的技术工艺研发，打破了国外主要溅射靶材企业在相关应用领域的技术垄断。目前，欧莱新材已通过京东方、华星光电、惠科等多家知名客户的产品认证，部分产品已进入越亚半导体、中建材等知名太阳能电池客户的供应链，在行业内树立了良好的声誉，建立了较高的客户认证壁垒。总结总的来...

半导体行业大洗牌,中企刚刚申请EUV专利,阿斯麦股价应声暴跌

在经历了一系列技术突破之后，中国半导体产业的未来可谓是“前途未卜，但充满可能”。而想要真正打破阿斯麦等国际巨头的垄断地位，并在全球半导体市场占据主导位置，这条路可不是那么好走。先看看现实情况。尽管中国在DUV和EUV光刻机上已经取得了显著进展，但制造7nm以下芯片的技术门槛依然非常高。别忘了，光刻机研发的...

我国半导体制造核心技术突破,打破国外垄断

我国半导体制造核心技术突破,打破国外垄断据国家电力投资集团有限公司(以下简称“国家电投”)9月10日消息,近日,国家电投所属国电投核力创芯(无锡)科技有限公司(以下简称“核力创芯”)暨国家原子能机构核技术(功率芯片质子辐照)研发中心,完成首批氢离子注入性能优化芯片产品客户交付。国家电投表示,这标志着我国已全面...

打破垄断!我国半导体核心技术新突破,打通仅次于光刻的重要环节

我国半导体核心技术新突破,打通仅次于光刻的重要环节前言截止2024年9月10日,我国的半导体领域终于可以扬眉吐气地表示:我们再也不用怕国外的垄断和打压了!据国家电力投资集团有限公司在10日发布公告,国电投核力创芯(无锡)科技有限公司,成功交付了首批氢离子注入性能优化芯片产品。打开网易新闻查看精彩图片那这次的...

打破国外垄断,我国半导体核心技术突破!

除了在功率半导体高能氢离子注入做到了巨大突破,该公司还突破了国外封锁,成功研制建成我国第一条功率芯片质子辐照生产线,为我国半导体产业发展做出了突出贡献。如今我国亟待突破的“卡脖子”技术就剩光刻机领域了,要实现这一领域的突破,我国还有很长的一段路要走。

我国半导体制造核心技术突破 仅次于光刻的重要环节打破国外垄断

据国家电投介绍,氢离子注入是半导体晶圆制造中仅次于光刻的重要环节,在集成电路、功率半导体、第三代半导体等多种类型半导体产品制造过程中起着关键作用,该领域核心技术及装备工艺的缺失严重制约了我国半导体产业的高端化发展,特别是600V以上高压功率芯片长期依赖进口(www.e993.com)2024年11月24日。核力创芯的技术突破,打破了国外垄断。

打破国外垄断,国产工业半导体加速转型

反观国内半导体厂商,近年来,随着国内经济的不断发展和国家战略层面对半导体产业的大力扶持,我国工业半导体行业实现了规模与技术等方面的快速发展与不断突破。在数字经济时代的大背景下,各类半导体市场都面临着突破及转型,工业半导体市场也不例外。主要的转型大致为两个方面,...

我国半导体制造核心技术突破

氢离子注入是半导体晶圆制造中仅次于光刻的重要环节,在集成电路、功率半导体、第三代半导体等多种类型半导体产品制造过程中起着关键作用,该领域核心技术及装备工艺的缺失严重制约了我国半导体产业的高端化发展,特别是600V以上高压功率芯片长期依赖进口。核力创芯的技术突破,打破了国外垄断。

半导体第一大白马,首家打破技术垄断,机构190亿抢筹,A股仅此一匹!

技术的突破往往伴随着研发投入的增加。如下图所示，2019-2023年，通富微电的研发投入呈上升趋势，从6.88亿元增长至11.62亿元，增长近70%。增加的研发投入有望为公司带来更多的技术突破。最后总结一下。随着全球半导体市场触底回升和AI浪潮的快速发展，通富微电凭借强大的市场开拓能力和卓越的技术研发能力，未来业绩有...

美对华半导体管制的趋势、实施要点与中国因应

9月更新的“护栏条款”规定,禁止使用资助资金在美国境外建造、修改或改进半导体设施,严格限制受资助企业今后10年内在中国和俄罗斯等“受关注国家”投资扩大半导体产能,限制受资助企业与“受关注的外国实体”开展联合研究或技术授权许可。同期发布的“拟议规则制定通知”进一步量化了上述限制,对中国先进产能投资的支出上限设定...