单板硬件设计:存储器( NAND FLASH)
norflash数据线和地址线分开,可以实现ram一样的随机寻址功能,可以读取任何一个字节。但是擦除仍要按块来擦。NORFLASH的主要供应商是INTEL,MICRO等厂商。nandflash同样是按块擦除,但是数据线和地址线复用,不能利用地址线随机寻址。读取只能按页来读取。(nandflash按块来擦除,按页来读,norflash没有页),...
一文带你认识半导体存储器
芯片2164A的容量为64K×1位,即片内共有64K(65536)个地址单元,每个地址单元存放一位数据。需要16条地址线,地址线分为两部分:行地址与列地址。芯片的地址引线只要8条,内部设有地址锁存器,利用多路开关,由行地址选通信号变低(RowAddressStrobe),把先出现的8位地址,送至行地址锁存器;由随后出现的列地址选通...
用IIC总线读取E2PROM存储器数据
AT24C04:512字节(512×8位)AT24C08:1K字节(1K×8位);AT24C16:2K字节(2K×8位);本次实验用的是AT24C02,所以存储器的地址有256字节(在IIC总线寻址中读取存储器首地址时首地址的范围为0~256,因为AT24C02的容量为256字节)下面是AT24C02的电路图,注意到SDA和SCL均有连接10K的上拉电阻,本实验中SDA接89C52的P2....
“朝花夕拾”之ROM的故事
NOR型与NAND型闪存的区别很大,NOR型闪存更像内存,有独立的地址线和数据线,但价格比较贵,容量比较小;而NAND型更像硬盘,地址线和数据线是共用的I/O线,类似硬盘的所有信息都通过一条硬盘线传送一般,而且NAND型与NOR型闪存相比,成本要低一些,而容量大得多。因此,NOR型闪存比较适合频繁随机读写的场合,通常用于存储程...
基于LonWorks现场总线技术的智能节点设计
神经元芯片选用日本东芝公司生产的TMPN3150B1AF,通常为64脚QFP封装。芯片内存储器的地址范围是E800H~FFFFH,包括2kByte的SRAM和512kByte的EEPROM。神经元芯片外部存储器扩展电路设计TMPN3150有16根地址线,可寻址64k空间,可以外接存储器,如RAM、ROM、EEPROM或FLASH。根据应用性能和成本要求,该智能节点的外部存储器...
Flash硬盘及其在GPS车载导航仪中的应用
2.2Flash存储器芯片简介采用的Flash芯片为KM29U128T(www.e993.com)2024年9月29日。它是48脚表面封装器件,内部具有(16M+512K)×8bit的存储空间,共32768行,528列,其中后备的16列位于523列到527列。它内部有一个528字节的数据寄存器,可以用于页读、页编程操作时数据的存储转换。它可以进行528字节为页的页读和写操作,并可以进行以16K为一块...
沧海桑田话存贮 内存/显存发展编年史
72pinSIMM内存单条容量一般为512KB~2MB,而且仅要求两条同时使用,由于其与30pinSIMM内存无法兼容,因此这个时候PC业界毅然将30pinSIMM内存淘汰出局了。不同规格的EDODRAMEDODRAM(ExtendedDateOutRAM外扩充数据模式存储器)内存,这是1991年到1995年之间盛行的内存条,EDODRAM同FPMDRAM(FastPage...
沧海桑田话存贮 内存/显存发展编年史-泡泡网
72pinSIMM内存单条容量一般为512KB~2MB,而且仅要求两条同时使用,由于其与30pinSIMM内存无法兼容,因此这个时候PC业界毅然将30pinSIMM内存淘汰出局了。不同规格的EDODRAMEDODRAM(ExtendedDateOutRAM外扩充数据模式存储器)内存,这是1991年到1995年之间盛行的内存条,EDODRAM同FPMDRAM(FastPage...
考研专业课:微机原理部分试题解答
答:8086为16位处理器,可访问1M字节的存储器空间;1M字节的存储器分为两个512K字节的存储体,命名为偶字节体和奇字节体;偶体的数据线连接D7~D0,"体选"信号接地址线A0;奇体的数据线连接D15~D8,"体选"信号接BHE#信号;BHE#信号有效时允许访问奇体中的高字节存储单元,实现8086的低字节访问、高字节访问及字访问...
《自考不难》之四:具体课程学习方法篇(1)
2.数据线32位3.地址线32位,直接寻址4GB4.内部寄存器32位5.三种存储器地址空间:逻辑地址,线性地址,物理地址6.三种工作方式:实方式,保护方式,虚拟8086方式80486CPU:1.采用RISC2.集成FPU和CACHE第3章存储器及其接口半导体存储器分类:1.随机存取存储器,RAM...