湿法刻蚀工艺

因此,可以制造“V”形沟(100硅)或具有垂直侧壁的沟。蚀刻可以用钾、钠或锂溶液(氢氧化钾、氢氧化钠、氢氧化锂)或EDP稀释液(水、吡嗪、儿茶酚和乙二胺的混合物)完成,在任何一种情况下,负责反应的都是氢氧根离子(羟基)。然而,各向异性稀释并不适用于微电子器件,而是适用于微力学。对所有不同的材料都有单独...

使用单个蚀刻掩模制造硅MEMS结构的改进的各向异性湿法蚀刻工艺

我们开发了一种改进的各向异性湿法蚀刻工艺,通过在晶片上使用单个蚀刻掩模来制造各种硅微结构,这些微结构具有圆形凹角和尖锐凸角、用于芯片隔离的凹槽、蜿蜒的微流体通道、具有弯曲V形凹槽的台面结构以及具有高度光滑表面光洁度的45个反射镜。在这项工作中,我们使用了一种CMOS兼容的各向异性蚀刻剂,含有四甲基氢氧化铵(TM...

半导体设备产业研究:全行业框架梳理

在EUV光刻机商用之前,晶圆制造厂采用多重刻蚀的方式将芯片制程缩小到7nm,远小于浸没式DUV光刻机的最小分辨率,因此过去10年间刻蚀机的市场价值占比逐年提升,一度超过光刻机成为市场规模最大的半导体设备。虽然采用EUV光刻机可提升先进制程的制造效率,会减少多重刻蚀的使用,刻蚀设备价值占比继续提升...

改变未来世界的器件——不可不知的MEMS

基本工艺结构类似湿法SOG工艺,同湿法SOG工艺相比,干法SOG工艺主要变化在于去掉了浓硼掺杂与湿法腐蚀步骤,而是采用磨抛减薄的工艺形成MEMS芯片的结构层省去高温长时间硼掺杂会降低对结构层的损伤,也避免了有毒或者容易带来工艺沾污的湿法腐蚀步骤,这些也是干法SOG加工技术的优点,与湿法SOG一样干法SOG同样具有不利于与IC集成...

中芯国际遭断供,半导体设备国产替代备选企业有哪些?

Bcube系列WE2000M、WE1000M手动湿法腐蚀设备Bpure系列石英舟/管清洗机Bpure系列WE3000A、WE2000A全自动槽式清洗机D-Ark系列在线式多晶制绒清洗机D-Ark系列在线式湿法刻蚀设备EGC磨边后清洗机Saqua系列SC3000A单片清洗机Saqua系列SC3000A堆叠式单片清洗机...