中科院北京纳米能源所张弛研究员团队EES:基于P/N型有机半导体纤维...

中科院北京纳米能源所张弛研究员团队报告了一种基于P/N型有机半导体编织和逐层串联/并联组装策略的高性能可穿戴摩擦伏特直流电源纺织品。通过传统的编织工艺制造出具有形态适应性、机械柔韧性和防潮性的高性能电力纺织品(WDP)。WDP是一种双层交错结构,具有很高的变形能力,并可按不同尺寸制造。研究人员将P型的有...

浙江大学赵保丹&狄大卫Nature全面解读:发光钙钛矿半导体中可控的p...

在这项研究中,浙江大学赵保丹和狄大卫等人报告了一种方法,通过引入具有强电子吸引能力的磷酸分子掺杂剂,可以调节宽带隙钙钛矿半导体的p型和n型特性。结果表明,p型和n型样品的载流子浓度均超过了1013??cm??3,霍尔系数在??0.5??m3C??1(n型)到0.6??m3C??1(p型)范围内。我们观察到了费米能级在带...

...教授团队利用压力调制Peierls畸变实现NbOI2的n-p导电类型切换...

具体而言,压力下Nb原子沿b轴方向的偏心逐渐被抑制,导致NbOI2从C2相向C2/m相的转变,同时,载流子行为发生从n型到p型的显著转变。更重要的是,这种可逆的导电类型切换发生在半导体-半导体相变过程中。即使导电类型发生转换后,NbOI2仍保持约1.1eV的带隙,这与先前报道的半导体材料在类似转变过程中通常出现带隙闭合的现象...

发射型钙钛矿半导体的可控p型和n型行为研究

经过不懈努力,他们对发射型钙钛矿半导体的可控p型和n型行为进行研究。相关研究成果已于2024年9月11日在国际权威学术期刊《自然》上发表。本研究报道指出,通过在宽带隙钙钛矿半导体中掺入具有强吸电子能力的膦酸分子掺杂剂,可以调整其p型和n型特性。由此得到的p型和n型样品的载流子浓度均超过1013cm-3,霍尔系数范围从...

中国科大在半导体p-n异质结中实现光电流极性反转

近日,中国科学技术大学微电子学院龙世兵教授、孙海定研究员团队在氮化镓(GaN)半导体p-n异质结中实现了独特的光电流极性反转(即双向光电流现象)。相关成果以“Bidirectionalphotocurrentinp–nheterojunctionnanowires”为题于9月23日发表在《自然??电子学》上(NatureElectronics2021,4,645–652)。这是中国科大...

中韩科研人员在新型半导体材料和器件领域取得重大突破

中新社成都4月11日电(记者贺劭清)记者11日从电子科技大学获悉,中韩科研人员首创高迁移率稳定的非晶P型(空穴)半导体器件,突破该领域二十余年的研究瓶颈(www.e993.com)2024年11月10日。这一在新型半导体材料和器件领域取得的重大突破,将进一步推动现代信息电子学和大规模互补金属氧化物半导体(CMOS)技术的发展。

首次!有机半导体光催化掺杂

最后,研究人员研究了有机半导体的光催化还原(n-掺杂)以及协同的光催化p/n掺杂。作者使用三乙胺作为弱n型掺杂剂,在光照下转化光催化剂至还原态,之后光照继续激活至活性更高的激发还原态,实现对n型半导体BBL的有效掺杂。作者进一步将三乙胺替换成p型半导体P(g42T-T),在光催化下实现了电子从P(g42T-T)转移至BBL...

北京大学雷霆研究员Science:半导体水凝胶!

P(PyV)-H的半导体特性为探索水凝胶的电化学特性,作者进行了光谱电化学研究。在电化学还原过程中,阴离子离开P(PyV)-H,形成n掺杂水凝胶,其吸收带发生显著变化,得到DFT计算和化学掺杂实验的验证。作者利用有机电化学晶体管(OECTs)评估P(PyV)-H的半导体特性(图2),发现其电子迁移率和体积电容的乘积μC*值非常...

P型半导体与N型半导体的定义及区别

载流子类型:-P型半导体的主要载流子是空穴,表现为正电荷。-N型半导体的主要载流子是自由电子,表现为负电荷。掺杂元素:-P型半导体通常使用三价元素(如硼或铝)进行掺杂。-N型半导体则使用五价元素(如磷或砷)进行掺杂。导电性质:-在P型半导体中,空穴的移动导致了电流的形成,其移动方向是从正极向负...

类比半导体的国产中大功率功放技术

类比半导体的模拟功放产品全面支持BD和1SPW两种工作模式。在BD模式下,功放展现出卓越的THD+N性能,指标低于0.05%,确保了音频信号的纯净度和音质的细腻度。而即便在1SPW模式下,THD+N的性能指标也小于0.1%,同时静态功耗降至16mA(12V),显著提升了能效比。同时,结合典型值为140mΩ的极低导通电阻(Rdson),与1SPW模式...