吃透MOS管,看这篇就够了
当栅-源电压VGS=0时,即使加上漏-源电压VDS,总有一个PN结处于反偏状态,漏-源极间没有导电沟道(没有电流流过),所以这时漏极电流ID=0。此时若在栅-源极间加上正向电压,图1-3-B所示,即VGS>0,则栅极和硅衬底之间的SiO2绝缘层中便产生一个栅极指向P型硅衬底的电场,由于氧化物层是绝缘的,栅极所加电压VGS...
讲透三极管_手机新浪网
发射结加上正偏电压导通后,在外加电压的作用下,发射区的多数载流子——电子就会很容易地被大量发射进入基区。这些载流子一旦进入基区,它们在基区(P区)的性质仍然属于少数载流子的性质。如前所述,少数载流子很容易反向穿过处于反偏状态的PN结,所以,这些载流子——电子就会很容易向上穿过处于反偏状态的集电结...
基础知识之晶体管
如果想在电源侧进行控制,则通常使用PNP型晶体管。NPN型晶体管的载流子是电子(负电荷),而PNP型晶体管的载流子是空穴(正电荷)。在PNP型中,通过施加电压使发射极为正电压,基极为负电压,使发射极空穴(正电荷)流入基极,其中一部分与基极电子(负电荷)结合,产生微小的基极电流,其余部分扩散到集电极并成为集电极电流。...
100个基本知识,助您轻松掌握模拟电路入门!
33、晶体管工作在饱和区时,发射结正偏,集电结正偏;工作在放大区时,集电结反偏,发射结正偏。34、在共射、共集和共基三种放大电路组态中,希望电压放大倍数大、输出电压与输入电压反相,可选用共射组态;希望输入电阻大、输出电压与输入电压同相,可选用共集组态。35、场效应管同双极型三极管相比,其输入电阻大,...
三极管的奥秘:如何用小电流控制大电流
发射结正偏(B-Eforewordbiased)集电结反偏(C-Breversedbiased)开关电路发射结正偏(B-Eforewordbiased)集电结正偏(C-Bforewordbiased)放大电路工作在三极管的线性工作区,开关电路工作在三极管的截止区和饱和区。特性曲线对于特性曲线,你能理解就理解,不能理解,就先放着,本文之所以加上特性曲...
【E问E答】集电结反偏不是截止状态吗,三极管怎么还能放大?
其实,当PN结反偏的时候,如果有大量的少数载流子,漂移所形成的反向电流,也是会很强的(www.e993.com)2024年9月11日。三极管的放大状态,就是利用了这个原理。忽略了反向电流,就讲不清楚如何放大了。---下面再简述一下三极管的放大过程。对于NPN型的三极管,通常可认为发射极接地,基极的电压,应设为0.7V。此时,发射结就是正...
IGBT 发射极孔对偏的影响
IGBT发射极孔对偏的影响(1)IGBT结构(2)contact和trenchetch对偏结构2.1对偏和对准情况下转移特性对比(与当前一次流片实验结果不符合,原因以后会给出)对偏:对准:2.2对偏和对准情况下输出IV对比###在阈值电压测试条件(IC=150mA,VGE=VCE)下时,对于1200V耐压等级,当P-体区...
PNP型三极管基础知识解析
对于NPN管,它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成,发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极c。当b点电位高于e点电位零点几伏时,发射结处于正偏状态,而C点电位高于b点电位几伏时,集电结处于反偏状态,集电极电源Ec要...
PNP型三极管基础知识解析|163_手机网易网
对于NPN管,它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成,发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极c。当b点电位高于e点电位零点几伏时,发射结处于正偏状态,而C点电位高于b点电位几伏时,集电结处于反偏状态,集电极电源Ec要...
【趣味】接下来,跟随这篇文章一起科学拆家···电
根据外加电压方式的不同,三极管也存在三种状态:1截止区,2饱和区,3放大区。截止区,发射极电压小于开启电压,且集电结反偏;饱和区,集电结跟发射结处于正偏;放大区,发射结正偏,集电结反偏。但是,不管是PNP的三极管还是NPN的三极管,都可以用锗或者硅两种材料制作,所以三极管又可以分为锗三极管和硅三极管。