...独角兽”观察:中国领先的3D NAND闪存设计制造企业——长江存储
2019年,长江存储128层3DNAND闪存芯片研发成功,并于2020年9月实现量产。2022年,长江存储成功试产232层3DNAND闪存芯片,计划于2024年实现量产。长江存储为中国科技自立自强提供了有力支撑。自成立以来,长江存储快速实现了从无到有、从弱到强的跨越式发展,成为全球最具创新性的3DNAND闪存芯片开发和制造商之一,已开...
第四代三维闪存芯片!长江存储PC41Q 1TB SSD图赏
长江存储PC41Q是基于其第四代三维闪存芯片打造的QLC商用消费级固态硬盘,拥有高性能、低功耗、更高能耗比等特性。PC41Q高达2400MT/s的I/O速率,最大顺序读取速度达到5500MB/s。与此同时,PC41Q内置完善的功耗管理机制,使得其在PS4模式下功耗低至2W,处于行业领先水平。PC41Q还采用主机缓存方案(HMB)及混合缓存...
长江存储的逆袭:从落后到领先,中国存储芯片的辉煌之路
说真的,美国这一招确实挺厉害的。长江存储受到限制后,三星、SK海力士、美光这些巨头就迅速借这个机会,推出了232层堆叠的3DNAND闪存产品。而且啊,他们还没停下脚步,又跨进了另外一档,比如300层这个档次,反超了长江存储。就像美光,最近就推出了G93DNAND产品,进入了296层。美国这就是想让长江存储在制裁...
长江存储已换用国产设备制造闪存芯片
9月23日消息,据媒体报道,长江存储目前已采用部分国产制造设备替代含美制造设备,以规避美国的相关出口限制。长江存储技术有限公司是中国的一家半导体存储技术公司,专注于3DNAND闪存的设计和制造。长江存储使用的的Xtacking技术在行业内具有领先地位,它不仅提高了存储密度和I/O速度,还通过模块化设计缩短了产...
突破!长江存储的X3-6070闪存芯片每个单元可进行4,000次擦写循环
长江存储可能是唯一一家声称其3DQLCNAND与3DTLCNAND一样耐用的公司,其他闪存制造商在这方面也在取得进展。长江存储的X3-6070芯片的4,000次编程/擦除循环是一项伟大的成就。目前尚不清楚考虑到其只有128个活动层,这款芯片在竞争中的地位如何,而其他厂商则提供了拥有176层或更多活动层的QLC3DNAND设备。长...
替代部分美系设备成功!长江存储成功用国产设备制造3D NAND芯片
据悉,长江存储已经使用中微半导体设备公司的蚀刻设备、北方华创的沉积与蚀刻设备,以及拓荆科技的沉积设备,成功制造出3DNAND闪存芯片(www.e993.com)2024年11月25日。TechInsights称,虽然长江存储仍继续依赖ASML和泛林集团等外国供应商提供关键工具,但中国国产半导体设备供应商越来越多地承担了生产流程的大部分。不过长江存储使用国产设备生产的最新...
长江存储突破QLC闪存寿命!4000次P/E,TLC也不过如此
长江存储可能是唯一一家声称其3DQLCNAND与3DTLCNAND一样耐用的公司,其他闪存制造商在这方面也在取得进展。长江存储的X3-6070芯片的4,000次编程/擦除循环是一项伟大的成就。目前尚不清楚考虑到其只有128个活动层,这款芯片在竞争中的地位如何,而其他厂商则提供了拥有176层或更多活动层的QLC3DNAND设备。
长江存储起诉
三、长江存储崛起尽管成立时间不长,长江存储却已迅速成长为全球3DNAND闪存领域的佼佼者。公司凭借其独特的Xtacking架构技术,成功打破了国际巨头的技术垄断,实现了更快、容量更大且成本更低的闪存芯片生产。特别是在美国商务部实施技术封锁,限制其获取超过128层3DNAND生产所需的关键设备和技术后,长江存储依然坚持自主...
长江存储推出首款QLC商用消费级固态硬盘PC41Q:双尺寸、最高2TB
近日,长江存储宣布推出首款面向消费级市场的QLC固态硬盘PC41Q。这款硬盘搭载了经过深度优化的QLC三维闪存芯片,并使用了基于长江存储晶栈Xtacking3.0平台的技术。PC41Q的最大读取速度达到5500MB/s,功耗方面,在PS4模式下待机功耗仅为2mW。该产品采用PCIeGen4x4接口,并提供M.22242和2280两种规格。容量方面,用户...
被列“涉军清单”,长江存储:驳斥任何有关我们威胁美国国家安全的...
这家总部位于武汉的存储芯片企业表示,该公司正在与美国政府协作,解决长江存储被列入“1260H清单”的问题,该名单是在没有事先告知长江存储的情况下强加的。“长江存储是一家专注于3DNAND闪存设计和制造的垂直整合制造商(IDM)。我们的技术不是军事级别的,也不适合军事应用。我们也没有提供或受任何实体指示提供我们...