下一代半导体氧化镓器件光电探测器应用与测试

氧化镓(Ga2O3)探测器是一种基于超宽禁带半导体材料的光电探测器,主要用于日盲紫外光的探测。其独特的物理化学特性使其在多个应用领域中展现出广泛的前景。探测器性能由于材料不同、结构不同、制备工艺以及应用场景的不同的区别会有较大的性能差异。而性能指标之间往往存在制约,例如暗电流和输出电流、灵敏度和响应度、...

「IC风云榜候选企业62」镓仁半导体:突破国外技术垄断,推动氧化镓...

杭州镓仁半导体有限公司成立于2022年9月，位于浙江省杭州市萧山区，是一家专注于宽禁带半导体氧化镓单晶材料研发、生产和销售的科技型企业。依托于浙江大学硅及先进半导体材料全国重点实验室和浙江大学杭州国际科创中心，镓仁半导体已建成以中国科学院院士为首席顾问，具备丰富行业经验的研发、生产、运营团队。镓仁半导体推...

鸿海布局第四代半导体跨大步 携阳明交大突破氧化镓技术

第四代半导体氧化镓(Ga2O3)因其优异的性能,被视为下一代半导体材料的代表。它拥有超宽能隙(4.8eV)、超高临界击穿场强(8MV/cm)等特性,较现有的硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等材料具有显著优势,这些特性使得氧化镓特别适用于电动车、电网系统、航空航太等高功率应用场景。鸿海认为,氧化...

浙大自主研发大尺寸氧化镓单晶衬底,为国家重大需求提供有力支撑

作为一种新型的超宽禁带半导体材料，氧化镓具有很多卓越的电学特性，比如约为4.8eV的超宽带隙、高达8MV/cm的击穿电场强度等，广泛应用在电网、新能源汽车、轨道交通、5G通信的电力电子器件中。我国正大力开展相关研究，以获得更低成本、更高质量的氧化镓单晶及衬底。其中，浙江大学科研团队自主研发氧化镓专用晶体生...

带你深度探秘纳米金刚石涂层的合成方法、特性及应用(一)

针对新型半导体(金刚石、氧化镓、氮化镓、碳化硅、AlN……)以及超精密加工(材料、工艺、设备)设置宽禁带半导体及超精密加工论坛、金刚石前沿应用及产业发展论坛两大论坛。展会针对金刚石及其功能化应用主题、半导体超精密加工设置10000㎡专题展区,将展示最新金刚石晶圆、量子钻石、热沉金刚石等功能化产品及相关器件,欢迎莅...

第四代半导体氧化镓蓄势待发!

资料显示,氧化镓作为第四代半导体材料代表,具备禁带宽度大、临界击穿场强高、导通特性好(几乎是碳化硅的10倍)、材料生长成本低等优势,这些特性使得氧化镓特别适用于电动汽车、电网系统、航空航天等高功率应用场景(www.e993.com)2024年11月15日。鸿海认为,氧化镓将有望成为具有竞争力的电力电子元件,能直接与碳化硅竞争。展望未来,鸿海研究院表示,随着...

国家重点研发计划“大尺寸氧化镓半导体材料与高性能器件研究...

他强调,氧化镓材料及其未来技术发展趋势,已经得到国家及地方政府的广泛认可,项目团队要聚焦行业难点、痛点,解决材料生长技术“卡脖子”问题;要对标国际,培养进入国际标准的专业化人才,抢占战略制高点;要加强开放、合作、共享,建立知识产权共享的机制,并找准合适的应用场景,获取更大的发展。

铭镓半导体:实现大尺寸氧化镓衬底技术突破!

据北京顺义区融媒体中心发布消息,北京铭镓半导体有限公司(以下简称“铭镓半导体)在超宽禁带半导体氧化镓材料开发及应用产业化方面取得了重大突破,技术水平已领先国际同类产品标准。铭镓半导体董事长陈政委介绍,铭镓半导体在半绝缘型(010)铁掺衬底及其加导电型薄膜外延领域,目前国际上可做到25毫米×25毫米的尺寸,而铭镓...

中国科大在氧化镓半导体器件领域取得重要进展

2.氧化镓光电探测器光电探测器在目标跟踪、环境监测、光通信、深空探索等诸多领域发挥着越来越重要的作用。响应度和响应速度是光电探测器的两个关键的性能参数,然而这两个指标之间存在着制约关系,此消彼长。由于缺乏成熟的材料缺陷控制技术,该问题在以氧化镓材料为代表的超宽禁带半导体探测器中尤为突出。龙世兵教授...

新突破!镓仁半导体成功制备3英寸晶圆级(010)氧化镓单晶衬底

导读:2024年7月,杭州镓仁半导体打破技术纪录,成功培育出3英寸的(010)氧化镓单晶基底,达到全球领先,特别适合高效功率器件,已面向科研市场推出相应产品。2024年7月,杭州镓仁半导体有限公司在氧化镓晶体的培育和基底加工方面实现了显著的技术突破。该公司成功制造了3英寸的(010)氧化镓单晶基底,这在国际范围内是已知的最...