...减小接触电阻增大薄膜晶体管的开态电流提高存储器的读写速度

沿第一表面指向第二表面的方向,沟道层的导电率逐渐降低。通过设置沟道层的导电率可以减小接触电阻增大薄膜晶体管的开态电流提高存储器的读写速度。本文源自:金融界作者:情报员

2024 年全球存储器市场销售额有望增长 61.3%,新型存储器迎来发

FeRAM的读写速度为纳秒级，远高于NORFlash。读写次数达到1014或1013次，从某种意义上相当于无限次。不过NORFlash一般都有使用次数的限制。基于这两个特性，FeRAM可用于实时写入、掉电保护等需要快速非易失性存储且读写次数较多的应用场景（如智能卡、计量设备、汽车中的事件数据记录器）。具有不可替代的绝对优势。

新存科技公布国产最大容量新型 3D 存储器芯片参数:最高 IO 速度...

可以看到NM101采用SLC存储单元类型,最高IO速度(I/O接口速率)3200MT/s,总线位宽为×8,IO为1.2V,支持0℃~+70℃运行温度。新存科技表示NM101基于新型材料电阻变化原理,支持随机读写,相比同类产品读写速度均可提升10倍以上、寿命也可增加5倍,可搭配业界合作伙伴的控制芯片,应用于企业级...

...该存储器结构具有无串扰、低功耗、且读写速度满足电路需求的优势

北京大学申请存储器结构及其集成方法专利,该存储器结构具有无串扰、低功耗、且读写速度满足电路需求的优势,串扰,介质,晶体管,半导体,存储器,低功耗

荣耀公司取得内存优化专利,提升内部存储器的读写速度,避免卡顿

此外,开启内存优化功能后,通过显示包括数据迁移选项的第一界面,从而能够便用户根据显示的数据迁移选项将内部存储器中的不同数据迁移选项对应的数据迁移到外部存储器,降低内部存储器的空间占用,从而提升内部存储器的读写速度,避免卡顿。金融界提醒:本文内容、数据与工具不构成任何投资建议,仅供参考,不具备任何指导作用。

...方法、存储器、电子设备及读写方法专利,提高了数据的读取速度

金融界2024年3月29日消息,据国家知识产权局公告,华为技术有限公司申请一项名为“存储阵列及其制作方法、存储器、电子设备及读写方法“,公开号CN117794247A,申请日期为2022年9月(www.e993.com)2024年11月22日。专利摘要显示,本申请实施例属于存储设备技术领域,具体涉及一种存储阵列及其制作方法、存储器、电子设备及读写方法。本申请实施例旨在解决存储...

长鑫存储取得读写方法及存储器装置专利,大大提高了存储器装置的...

长鑫存储取得读写方法及存储器装置专利,大大提高了存储器装置的运行速度,大大,指向,长鑫存储,读写方法,存储器装置

HBM(高带宽存储器)简介

典型的DRAM中,每个芯片有八个DQ引脚(数据传输路径,用作处理器和存储器之间通信的数据总线,必须具备读写功能,所以具备双向特性),即数据输入/输出引脚。组成DIMM模块单元后(双列直插式存储模块,安装在PCB板上的存储模块,包含多个存储芯片,被用作PC或者服务器中的主存储单元),共有64个DQ引脚。随着数据处理速度等方面的...

长鑫存储申请电源提供电路及存储器专利,提高存储器的读写速度

功能模块供电;第二电源提供模块被配置为,基于初始电压信号向第二电源网络提供第二电源电压;第一电源网络和第二电源网络的相应节点之间通过电压控制模块连接;电压控制模块基于电压控制信号导通,以通过第二电源电压拉高第一电源电压;以通过提供更大的电源电压以提高存储器相应功能模块的驱动能力,从而提高存储器的读写速度。

新兴存储,冰火两重天

高速读写:FeRAM的读写速度相对较快,存取时间通常在50ns左右,循环周期约为75ns,这使得它在需要快速数据访问的场合具有优势;寿命长:FeRAM具有较高的读写耐久性,通常能够达到数十亿次的读写循环,远超过传统的EEPROM和闪存;低功耗:由于FeRAM在存储数据时不需要额外的电源来维持数据状态,因此功耗相对较低;...