起底RAMXEED:一场关于铁电随机存储器(FeRAM)的革

FeRAM同时结合了易失性存储器、非易失性存储器的特点。首先,FeRAM的读写速度达到纳秒级,远超NORFlash和EEPROM;其次,FeRAM的读写耐久性极高,读写次数有1014之多,某种程度上相当于无限次读写,这是EEPROM和NORFlash所无法比拟的;最后,FeRAM还具有低功耗的特点。基于这些特点,FeRAM虽然目前份额不大,但却因为...

长鑫存储再创新高,成功获得存储器及其制作方法专利

从技术角度分析,该存储器可能涉及到新材料的应用、生产工艺的创新以及更高效的设计方案。存储器的关键特性,如读写速度、耐久性、功耗等都有可能得到显著提升,这不仅使得存储器在智能手机、电脑等传统领域的表现更为出色,还可能推动云计算、大数据等新兴领域的发展。近年来,随着数据量的激增,对高性能存储解决方案的需求...

旺宏电子获新专利,存储器装置制造再次升级

旺宏的这项专利,可能包含了改进存储器读写速度、降低能耗、提高数据存储密度等创新特性。这些特性对于支持5G、人工智能和边缘计算等新兴应用具有重要意义。从市场角度来看,随着数据量的激增,存储器的需求正在持续上升,各大科技公司对高性能存储解决方案的需求也在加大。旺宏在这一领域的技术创新,能够帮助其更好地满足市...

...RAMXEED,以全新一代FeRAM迎接边缘智能高可靠性无延迟数据存储...

该类存储器以其超快的读写速度、出色的写入耐久性以及较低的功耗特性而著称。FeRAM的读写速度是纳秒级,这远超过NORflash、EEPROM;读写次数达到1014、1013之多,在某种意义上相当于无限次,而EEPROM、NORFlash一般都有次数的限制。基于这两个特点,在实时写入、掉电保护等、需要读写次数比较高的快速非易失性存储...

2024 年全球存储器市场销售额有望增长 61.3%,新型存储器迎来发

FeRAM的读写速度为纳秒级，远高于NORFlash。读写次数达到1014或1013次，从某种意义上相当于无限次。不过NORFlash一般都有使用次数的限制。基于这两个特性，FeRAM可用于实时写入、掉电保护等需要快速非易失性存储且读写次数较多的应用场景（如智能卡、计量设备、汽车中的事件数据记录器）。具有不可替代的绝对优势。

HBM产业链专题报告:国内AI发展胜负手,国产化迫在眉睫

易失性存储芯片以DRAM为主2024年DRAM市场规模约780亿美元(www.e993.com)2024年11月23日。DRAM是动态随机存取存储器，相较于SRAM，DRAM的特征是读写速度快、延迟低，但掉电后数据会丢失，常用于计算系统的运行内存。根据中商产业研究院预测，2024年DRAM整体市场规模约为780亿美元。DRAM市场集中度很高，CR3达95%以上。目前DRAM晶圆的市场供应...

RAMXEED以全新一代FeRAM迎接边缘智能高可靠性无延迟数据存储需求

该类存储器以其超快的读写速度、出色的写入耐久性以及较低的功耗特性而著称。FeRAM的读写速度是纳秒级,这远超过NORflash、EEPROM;读写次数达到1014、1013之多,在某种意义上相当于无限次,而EEPROM、NORFlash一般都有次数的限制。基于这两个特点,在实时写入、掉电保护等、需要读写次数比较高的快速非易失性存储...

MTS2025集邦咨询存储产业趋势研讨会演讲干货分享

会上,倪黄忠先生代表公司正式发布全新量产的高性能嵌入式闪存产品—1TBUFS3.1,其顺序读写速度分别达2100MB/s和1700MB/s,可满足AI手机等前沿应用以及主流智能终端的存储需求。此外,倪总还介绍了时创意总部大厦项目建设目前已进入全面竣工的冲刺阶段,其作为中国存储行业新地标,是集研发、制造及营销于一体的综合性科技...

惠普Z2G9图形工作站:14核处理器+静音设计,专业创作者的高效性能之选

对于需要高性能显卡支持的专业用户来说,8GBNVIDIAGeForce4060显卡确保了流畅无比的图形运算体验。此外,它还配备了16GB内存和超高速的1TBM.2SSD存储器组合,使得数据读写速度大幅提升,在大型项目加载或文件传输时表现出色。针对长时间工作的舒适性考虑,Z2G9特别注重静音设计。无论是在安静的工作室环境还是开放...

惠普专业图形工作站:14核处理器+静音设计,卓越性能9588元起,创意...

对于需要高性能显卡支持的专业用户来说,8GB显存加上NVIDIAGeForce3050独立显卡确保了流畅无比的图像渲染和视频编辑体验。此外,它配备了32GB大容量内存和1TBM.2SSD高速存储器组合,使得数据读写速度大幅提升,在大型项目中保持高效运行。针对工作环境的需求考虑得十分周到的是它的静音设计。无论是在开放办公空间还是...