VAST Data:从 LLM 时代的高性能存储到下一代数据平台

??高性能高scalability:Vast在全闪存架构下能scale到100PB量级下保持很高的性能,目标的规模上限是EB级别(1PB=1024TB,1EB=1024PB)。??Transactional+analytical不冲突:DASE架构让读写能完全并行,也不再有传统的交易/分析数据库互斥。??全局一致性:在每一个位置都可以高效访问...

拒绝扩容!手机储存卡真假识别宝典

关闭后就会跳转到MyDiskTest的主界面,最终测试结果包括物理操作速度、创建文件速度、删除文件速度、随机读写速度、文件复制速度。得到这些数值后,就可以去该内存卡的官网查找资料,一般品牌内存卡官网都会提供产品的读写速度,当然大多都是平均值和最低值,两相对比后,只要差距不是太大就可以确定为原装无扩容内存卡。文至...

存储产业变革的风吹到了SSD

该主控可实现14GB/s的顺序读取速率,随机读取也高达3500KIOPS,同时仅需1W功率即可支持超过2.5GB/s的传输速率,能以更低能耗提供更高带宽。图片来源:Microchip慧荣科技SM2508采用台积电6纳米EUV工艺,专为AIPC和游戏主机设计,支持八条NAND通道,每通道速率高达3600MT/s,提供高达14.5GB/s的顺序读写速度和2.5MIO...

下游推动存储芯片需求释放,行业国产化主线确立

NANDFlash：具有高存储密度、较低的每位成本，适用于大容量存储。NORFlash：具有更快的读取速度，适用于代码执行和较小容量存储。根据Digitimes统计，在2022年全球存储芯片市场中，DRAM、NAND、NOR分别占据了57%、40%、2%的份额。（2）存储控制芯片的重要性存储控制芯片是存储器产品的核心，负责控制和管理调度，是...

SK海力士、三星、铠侠、英睿达等好用吗,618固态硬盘选购指南

下面就具体推荐几款可以闭眼选择的好硬盘,中高低端都有所涉及,除了直接安装或是外接的款式以外,容量、价位与传输速度都不尽相同,可以满足不同需求预算的朋友。1、SK海力士P41顺序读写:7000MB/s;6500MB/s随机读写:1400KIOPS;1300KIOPS接口:PCIe3.0...

万字聊聊汽车MCU芯片

例如,GD32L233系列MCU提供了多种工作模式和休眠模式,以及丰富的外设接口,如多至4个通用16位定时器、2个基本定时器和1个32位低功耗定时器,以及标准和高级通信接口等(www.e993.com)2024年11月22日。8.5高度集成的功能和高效的处理能力例如,TI的MSPM0系列MCU集成了高性能的模拟信号链控制、ADC、DAC等功能,同时具有优异的运行功耗和睡眠功耗参...

汽车MCU芯片知识点梳理

内核的运算速度不仅与主频有关,还与内核的流水线、缓存、指令集等因素有关。车规级MCU芯片的时钟频率是其重要的性能指标之一,直接影响其运算速度和处理能力。例如,底盘域MCU可能需要具备主频不低于200MHz的要求,以满足高性能和高算力的需求。低频率如8MHz适用于对性能要求不高的简单控制任务,而高频率如1.2GHz则适用...

挑战英伟达,需要另辟蹊径

孙教授指出主要涵盖两方面:第一个方面是SRAM本身有着高带宽和低延迟优势,可以显著提升系统在处理访存受限算子的能力。另一方面,由于SRAM的读写相比DRAM具有确定性,纯SRAM的架构给软件提供了确定性调度的基础。编译器可以细粒度地排布计算和访存操作,最大化系统的性能。对于GPU来说,由于HBM访问延迟会有波动,Cache层级的...

5G时代,快速提升工控存储性能的法门

NVMeSSD:高速度、低延迟。采用NVMeSSD是企业用户普遍认可的存储升级方案。NVMe是通过PCIe总线将存储连接到服务器的接口规范。采用NVMe协议的PCIeSSD:一、能够直接连接CPU,几乎没有延时;二、采用多队列的方式传输数据,将IO访问并行化。NVMe接口的这两个特性能够把SSD的潜力发挥到极致。

还在为存储空间不足哭泣的人看过来!“铠侠”固态硬盘出手啦!

而在性能方面，我们可以关注读写速度和耐久性。高速的读写速度可以提升系统的响应速度而耐久性则能让硬盘更加可靠。接下来，接口类型和适配性也是我们需要考虑的因素之一。目前市面上主流的接口类型有SATA和NVMe。SATA接口相对较为成熟，兼容性强，价格相对较低；而NVMe接口则更加先进，具有更高的传输速度和更低的延迟...