森未科技:第8代IGBT对标英飞凌,加速国产化进程
正面设计搭配背面工艺,针对不同应用工况和应用场景,采用多维一体化设计,综合权衡导通损耗、开关损耗、短路能力、开关应力、可靠性等各项参数指标。IGBT单管方面,我们可提供涵盖650V-1200V电压、40A-120A电流等级单管产品。该产品通过采用MPT技术和Taiko减薄工艺,具有高电流密度和低开关损耗的特性,广泛应用于储能,光伏,...
8种开关电源MOS管的工作损耗计算
MOSFET的工作损耗基本可分为如下几部分:本文引用地址:1、导通损耗Pon导通损耗,指在MOSFET完全开启后负载电流(即漏源电流)IDS(on)(t)在导通电阻RDS(on...
...抑制MOS串扰的电路专利,降低串扰电压且不增加MOS管开关损耗|快报
嘉晨智能申请抑制MOS串扰的电路专利,降低串扰电压且不增加MOS管开关损耗|快报隋代骆驼俑身上出现的老头是古希腊酒神狄俄尼索斯如果把长安平康坊里的青楼取消,唐诗得少一大半唐朝时期中国有多强大?在唐朝文化程度低喝酒容易丢命教授于赓哲:西安到处是古墓,陕西师范大学更被网友称为百墓大刘邦为何定都长安而非洛阳...
华芯邦卓越性能碳化硅SiC MOSFET在新能源汽车充电领域的应用
MOS管具有低开关损耗、高开关速度和良好的热稳定性等特点,适用于高频开关应用。在新能源汽车充电机中,MOS管用于控制充电电流的开关。深圳市华芯邦科技有限公司提供多款高压MOSFET产品和碳化硅功率模块,这些器件具有高可靠性和稳定性,能够满足新能源汽车充电设备的需求。MOSFET是汽车电子中的核心元件,汽车引擎、驱动系统中的...
SiC MOSFET模块的激光焊锡在新能源汽车领域的高精密应用
SiCMOSFET具有更高的耐压性、更低的导通电阻和导通损耗、更高的开关频率以及更宽的工作温度范围,这些特性使得其在新能源汽车的电机驱动、电池管理以及DC/DC变换器等场景中表现出色。据新思界产业研究中心发布的报告,随着国内新能源汽车产销规模的快速增长,SiCMOSFET的市场需求持续增长,市场渗透率不断提升。特别是在...
选择三浦微MOS管SP45R0P6,再无发热损耗之忧
SP45R0P6采用SGT技术制造,相较于传统的Trench结构MOS管,具有更低的导通电阻以及开关损耗(www.e993.com)2024年9月9日。采用这种技术的三浦微MOS管不仅在高频开关应用环境下表现卓越,而且能够更有效地抑制EMI,有助于提高系统整体性能和可靠性,非常适合快充、智能插线板、储能电源等场景应用。
亚成微申请分离栅MOSFET结构及其制备方法专利,专利技术能达到更高...
本发明的分离栅MOSFET结构具有更高的耐压、更快的开关速度和更小的开关损耗。
MOS 管的死区损耗计算
MOS管的死区损耗计算MOS管在逆变电路,开光电源电路中经常是成对出现,习惯上称之为上管和下管,如图Figure1中的同步Buck变换器,High-sideMOSFET为上管,Low-sideMOSFET为下管.本文引用地址:如果上管和下管同时导通,就会导致电源短路,MOS管会损坏,甚至时电源损坏,这种损坏是灾难行动,必须避免.由于...
MOS管基础及选型指南
3、有些MOS管的源极和漏极可以互换运用,栅极也可正可负,灵活性比三极管好。4、MOS管应用普遍,可以在很小电流和很低电压下工作。5、MOS管输入阻抗大,低噪声,MOS管较贵,三极管的损耗大。6、MOS管常用来作为电源开关,以及大电流开关电路、高频高速电路中,三极管常用来数字电路开关控制。
如何让MOS管快速开启和关闭
下图的3个电容为MOS管的结电容,电感为电路走线的寄生电感:如果不考虑纹波、EMI和冲击电流等要求的话,MOS管开关速度越快越好。因为开关时间越短,开关损耗越小,而在开关电源中开关损耗占总损耗的很大一部分,因此MOS管驱动电路的好坏直接决定了电源的效率。