新存科技发布国内最大 64Gb 单芯片容量 3D 新型存储器芯片 NM101

IT之家9月27日消息,据《半导体行业观察》报道,新存科技(武汉)有限责任公司本月23日发布了其自主研发的国产首款最大容量新型3D存储器芯片NM101。NM101基于新型材料电阻变化原理,采用先进工艺制程结合三维堆叠技术,在单颗芯片上集成了百亿级规模的非易失性存储器件,单芯片容量达64Gb。新存科...

“高精度大容量全芯片晶体管级电路快速仿真技术”荣获“中国芯...

经过多年攻关,概伦电子研发出业界领先的具有自主知识产权的“高精度大容量全芯片晶体管级电路快速仿真技术”。概伦电子FastSPICE快速仿真器是面向存储器、定制数字电路、SoC等全芯片晶体管级电路的仿真验证软件,用来精确仿真晶体管级电路行为,通过仿真结果来验证电路设计的正确性和可靠性,迭代优化电路性能指标,它是定制芯片...

高速高容量铁电存储器有望诞生

江安全介绍,铁电存储器最大的优点在于读写速度快.目前,在使用电脑读取硬盘时,无法实现较快速度的原因不在于CPU的技术,而是因为大量的时间耗费在数据交换上.相比现在使用广泛的闪存硬盘以毫秒为单位的运转速度,铁电存储器可以达到几十纳秒,快了106倍,可广泛应用于高性能移动数字设备和电脑中,大...

太原市公安局监所管理支队公安医院医疗设备公开招标采购的采购公告

2.存储方式及容量mircoSD卡存储,容量≥1G3.采集盒为彩色屏幕显示波形,可以查看电极连接情况及病人信息。4.具有事件按钮,可以准确记录事件发生的时间5.灵活的数据传输方式,同时支持microSD卡拔插方式和USB2.0高速直接数据读取方式6.输入阻抗:≥20MΩ7.频率响应:0.05～60Hz8.输入回路电流:≤0.1uA9.噪声电平...

铠侠推出第八代BiCS FLASH QLC闪存,为业界带来领先的2Tb最大容量

东京,2024年7月3日-铠侠株式会社今日宣布,其采用第八代BiCSFLASHTM3D闪存技术的2Tb四级单元(QLC)存储器已开始送样(1)。这款2TbQLC存储器拥有业界最大容量(??),将存储器容量提升到一个全新的水平,将推动包括人工智能在内的多个应用领域的增长。

存储器市场风正一帆悬?原厂减产进入尾声 涨价预期强烈

AI成了存储市场的最大增量(www.e993.com)2024年11月11日。开源证券表示，搭载容量方面，随着AI在各类领域的应用延伸，手机、服务器、PC中DRAM和NAND单机平均搭载容量均有增长，其中，服务器领域增长幅度最高，ServerDRAM和EnterpriseSSD单机平均容量预估分别年增17.3%/13.2%。供给方面，随着需求的增长，三星、SK海力士及美光全面调升上半年稼动率。

德明利: 深圳市德明利技术股份有限公司向特定对象发行股票并在...

存储行业在全球宏观不确定性增加的冲击下,服务器、PC、手机等下游市场需求受到抑制,半导体存储行业于??2022??年至??2023??年三季度经历了下行周期,公司受此影响在??2021??年-2023??年度出现了业绩下滑。若未来上述不利因素进一步恶化,或出现市场竞争加剧、市场价格下降、原材料供应短缺、贸易摩擦加剧、委...

EEPROM和FLASH的区别,单片机中为啥很少有EEPROM?

现在的EEPROM和FLASH都属于“可多次电擦除存储器”,但他们二者之间还是有很大差异。首先,他们最大差异就是:FLASH按块/扇区进行读写操作,EEPROM支持按字节读写操作。其次,容量大小不同:FLASH容量可以做到很大,但EEPROM容量一般都很小。再次,就是它们的应用场景不同:EERPOM存储零散小容量数据,比如:标志位、...

深度解析特斯拉Model 3 逆变器的构造

相比之下,一个具有相对恒定的2.2V电压降和相对较高的开关损耗的TO-247IGBT可能很难处理25A的电流,即使采用液冷。另一个极大地影响每器件电流容量的因素是,传统的TO-247和TO-220封装的散热器片直接连接到IGBT和MOSFET的集电极或漏极,因此需要在片和散热器之间使用某种绝缘材料。

中国存储芯片行业现状深度研究与投资前景预测报告(2024-2031)

存储芯片容量来看,随着科技的不断进步以及制造技术的不断提高,近些年来存储芯片容量从8GB上涨到256GB,目前存储容量已上涨到2TB,预计未来储存芯片容量将会持续上涨。存储芯片是目前应用面最广、标准化程度最高的集成电路基础性产品之一。全球范围来看,存储芯片市场高度集中,代表企业包括韩国的三星、SK海力士;美国的美光、...