爱思开海力士申请半导体装置和包括其的堆叠型半导体存储器装置...

一种半导体存储器装置,包括:核心块,包括多个单位存储器块;外围电路块,包括数据输入/输出焊盘;贯通电极,被配置成与另一个半导体存储器装置交换信号;以及数据输入/输出电路,其耦接到贯通电极、核心块和外围电路块并且被配置成共用一个接收器,以便将信号从贯通电极传送到外围电路块以及以便将信号从贯通电极传送到核心块。

青芯半导体科技(上海)有限公司申请用于测试流水线存储器读取时间...

金融界2024年11月15日消息,国家知识产权局信息显示,青芯半导体科技(上海)有限公司申请一项名为“一种用于测试流水线存储器读取时间的电路、芯片及方法”的专利,公开号CN118942525A,申请日期为2024年7月。专利摘要显示,本发明公开一种用于测试流水线存储器读取时间的电路,其包括判断模块及输入模块,其中判断...

三星存储器和智能手机部门正考虑部分订单外包,合作对象包括台积电...

据TrendForce报道,三星的主要业务产品线最近的表现低于预期,存储器和智能手机部门在开发和生产上都遇到了一些问题。为了扭转不利局面,三星正在寻求合作,考虑将部分订单外包,合作的对象包括了台积电和联发科。其中很重要一个原因,就是三星在生产上遇到了良品率问题。由于Exynos2500的良品率一直未能提升,明年的GalaxyS25...

产业变迁中的国产EDA:并购、挑战与未来的本土化路径

集成电路芯片(IntegratedCircuitChip,简称IC)主要分为数字IC和模拟IC两大类。数字IC处理的是非连续的数字信号,如0和1;模拟IC则负责处理光、声音和温度等连续信号。目前,许多IC是数模混合型,它们结合了模拟和数字电路的特点,通常以数字部分为核心,执行复杂的算法。针对这些不同的电路类型,EDA工具也被细分为三大...

台积电申请铁电结构、集成电路与其形成方法专利,存储器结构包括...

金融界2024年2月20日消息,据国家知识产权局公告,台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“铁电结构、集成电路与其形成方法“,公开号CN117580364A,申请日期为2023年10月。专利摘要显示,本公开提供铁电结构、集成电路与其形成方法,其中存储器结构包括插入于两个铁电层之间的抑制层以形成正方晶相主导的铁电结构。在一些...

天玑1100是几纳米工艺 和骁龙750G哪个好?

中央处理器:联发科天玑1100和天玑1000+两款芯片组均具有基于64位内存架构的双集群8核CPU,其中天玑1100集成了4个ARMCortex-A78大核,核心频率高达2.60GHz等4个Cortex-A55小内核,核心频率为2.00GHz,而天玑1000Plus具有4个ARMCortex-A77性能内核,时钟频率高达2.60GHz,其他4个Cortex-A55效率内核,核心频率...

...封装和测试,产品类型主要包括iNAND闪存模块,SD、MicroSD存储器等

公司回答表示,尊敬的投资者,您好。晟碟半导体主要从事先进闪存存储产品的封装和测试,产品类型主要包括iNAND闪存模块,SD、MicroSD存储器等。感谢您对公司的关注和支持。

...衬底上设置包括下部堆叠结构和上部堆叠结构的三维半导体存储器件

金融界2024年4月8日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社取得一项名为“三维半导体存储器件“,授权公告号CN111326523B,申请日期为2019年9月。专利摘要显示,本发明提供一种三维半导体存储器件,该三维半导体存储器件包括:堆叠结构,设置在衬底上并包括下部堆叠结构和上部堆叠结构;第一隔离沟槽和第二隔离沟槽,限定...

三星申请非易失性存储器装置和包括其的存储器系统专利,实现垂直...

垂直集成的非易失性存储器装置包括:外围电路结构,其中具有外围电路;以及单元阵列结构,接合到外围电路结构,并且其中具有单元区域和连接区域。单元区域包括在连接区域中交替堆叠的多个栅电极和多个绝缘层。多个栅电极包括具有阶梯形状的单元堆叠件、被配置为穿过单元区域中的单元堆叠件的多个电容器芯接触结构、以及在连接区域...

RAMXEED以全新一代FeRAM迎接边缘智能高可靠性无延迟数据存储需求

FeRAM依赖铁电材料的独特性质进行数据存储。该类存储器以其超快的读写速度、出色的写入耐久性以及较低的功耗特性而著称。FeRAM的读写速度是纳秒级,这远超过NORflash、EEPROM;读写次数达到1014、1013之多,在某种意义上相当于无限次,而EEPROM、NORFlash一般都有次数的限制。基于这两个特点,在实时写入、掉电保护等...