长鑫存储取得半导体储存器的晶体管结构及其制造方法专利,降低了有...
专利摘要显示,本发明提出一种半导体储存器的晶体管结构及其制造方法,该方法包括:在衬底上形成有源区及与之相交的字线;在两个字线之间形成接触窗并沉积导电材料;在衬底上形成位线并与有源区相交错;刻蚀未被位线遮盖的导电材料,形成位线接触垫;以及通过接触窗中的未覆盖区域向有源区注入离子,形成离子再注入区域,并...
市政府关于表彰常州市第十三次自然科学优秀科技论文的决定
1、镨掺杂的Bi7Ti4NbO21陶瓷的发光、铁电和介电多功能性研究邹华、惠新伟、王旭升(江苏理工学院)2、AnalysisofTorsionStiffnessofFlexiblePivotBearingwithRadialArrayRectangularSection刘春节、干为民(常州工学院)3、激光冲击处理诱导AZ31B镁合金表层纳米化葛茂忠、项建云、张永康(江苏理工学院)...
宝玉石的成分有哪些?详解常见种类与构成
3.水晶:水晶是一种含有高纯度二氧化硅成分的和田玉宝石,它颜色通常是无色透明的透闪石,但也可以有黄色、粉色、紫色等等。它不含杂质,通常是最纯净的包括宝石之一。4.玛瑙蛋白石:玛瑙蛋白石是一种含有二氧化硅成分的大类宝石,其颜色通常是淡红色、棕色、灰色等等。它通常含有锆、锂、银等元素。5.碧玉:...
可重构晶体管登场,可用于构建有编程功能的芯片电路
RFET则是静电掺杂取代了化学掺杂,这是一种不会永久改变半导体材料化学结构的新方法。静电掺杂替代"复杂而昂贵"的化学掺杂过程之后,晶体管就可以动态地重新配置,以执行不同的逻辑运算。研究人员表示RFET是电子电路和芯片设计技术的重大突破。RFET和当前半导体工业一样,使用硅和锗两种材料,但可以显著改善功耗和...
2023年中国十大科技进展新闻有哪些?两院院士把票投给了它们
3.超越硅基极限的二维晶体管问世北京大学彭练矛院士、邱晨光研究员团队构筑了10纳米超短沟道弹道二维硒化铟晶体管,创造性提出“稀土钇元素掺杂诱导二维相变理论”,并发明“原子级可控精准掺杂技术”,从而克服二维领域金属和半导体接触的国际难题,研制出国际上迄今速度最快、能耗最低的二维晶体管。
院士增选、退出等制度再次修订,中国工程院可根据国家需要设置特别...
光晶格中的超冷原子具有系统纯净,以及原子间相互作用强度、隧穿速率和掺杂浓度可精确调控等诸多优势,是最有希望构建专用量子模拟机以求解费米子哈伯德模型的体系之一(www.e993.com)2024年9月11日。其中,构建量子模拟器验证包括掺杂条件下的反铁磁相变,是实现能够求解费米子哈伯德模型的专用量子模拟机的第一步,也是获得该模型低温相图的重要基础。然...
盘点国内SiC碳化硅衬底与外延片公司(附碳化硅投资逻辑)
根据Wolfspeed预计,2022年全球碳化硅器件市场规模达43亿美元,2026年碳化硅器件市场规模有望成长至89亿美元。当前SiC功率器件价格较高,是硅基IGBT的3~5倍左右,但凭借优异的系统节能特性,SiC器件开始在新能源汽车、光伏、储能等领域替代硅基器件。2、两种类型的碳化硅材料...
氧化镓会取代碳化硅吗?一文看懂氧化镓 | 金刚石大会 | 碳材料展
熔体法是生长半导体材料最理想的方式,有以下几个优势。尺寸大:小籽晶能够长出大晶体;产量高:每炉晶锭可切出上千片衬底;品质好:位错可趋于0,晶体品质很好;长速快:每小时能够长几厘米,比气相法快得多。氧化镓是宽禁带半导体中唯一有常压液态的材料,即可用上述熔体法生长。氧化镓生长常用的直拉法为熔体法...
中材人工晶体院:“金刚钻”是如何炼成的
2021年,大尺寸多光谱ZnS已在红外光学系统中获得应用。晶体院由此成为全球仅有的几家具备热压、单质CVD法、气体CVD法3种ZnS制备技术、全部5种ZnS窗口材料的单位,是国内元素级ZnS镀膜窗口材料的为数不多供应单位,具有CVDZnS单炉产能高、产品尺寸大等优势,材料品种全、覆盖波段宽、制备方法多、技术水平高等特色。
中美俄实验室同日复现常温超导晶体,美国超导股票盘前暴涨140%
第二步,把铜单质和磷粉末放入真空管,然后在坩埚里以480度的温度加热48小时,得到磷化亚铜晶体。第三步,把前两步烧制出来的两种晶体研磨成粉末后放入真空管,在坩埚里以925度加热5~20个小时,然后你就得到了一种铜掺杂的铅磷灰石,也就是LK-99晶体,具备常压室温超导性能。