唯导申请一种单光子雪崩二极管像素结构及其制备方法专利,消除后期...
专利摘要显示,本发明提供一种单光子雪崩二极管像素结构及其制备方法,所述结构包括:多个SPAD单元,相邻所述SPAD单元之间通过DTI结构隔离;设置在每一所述SPAD单元之上的频谱滤波器结构,所述频谱滤波器结构自下而上依次包括:设置于所述SPAD单元顶表面的顶抗反射层、第一多晶硅层、第一氧化层,多晶硅结构层,第二氧化...
山东同华半导体取得一种插件二极管的引线支架专利,使固定结构便于...
专利摘要显示,本实用新型涉及二极管技术领域,具体涉及一种插件二极管的引线支架,包括引线支架主体、二极管引脚、转动结构和固定结构,所述引线支架主体开设有若干个安装格,所述安装格内安装有转动结构,所述转动结构的右侧安装有固定结构,所述固定结构内安装有二极管引脚。本实用新型设置有转动机构,按压固定板的底部,弹簧收缩...
...性能的测试方法及装置专利,能够有效检测闪烁体和光电二极管间...
赛诺威盛申请一种针对CT探测器封装性能的测试方法及装置专利,能够有效检测闪烁体和光电二极管间是否存在气泡及间隙金融界2024年9月18日消息,天眼查知识产权信息显示,赛诺威盛科技(北京)股份有限公司申请一项名为“一种针对CT探测器封装性能的测试方法及装置“,公开号CN202410677890.3,申请日期为2024...
扬杰科技申请半桥整流芯片及其制备方法专利,有效降低封装工艺步骤...
传统半桥器件需要将两个二极管芯片反向并联封装,封装工艺流程复杂,封装本体大,造成器件功率密度的降低和成本的增加,本案中半桥整流芯片将两个反向并联的二极管集成在一个芯片上,第一阳极到第一阴极区域的二极管垂直导电,第二阳极到第二阴极区域的二极管水平导电,有效利用了芯片的面积,使用本案中半桥整流芯片只需要封装一...
银河微电涨1.66%,短期趋势看,该股当前无连续增减仓现象,主力趋势...
汽车芯片+先进封装+芯片概念+汽车电子+第三代半导体1、公司车规级产品类型为各类硅基二极管、三极管、MOSFET。车规级半导体器件的应用场景主要包括照明系统、辅助驾驶系统、动力传动系统、主动安全系统、车身控制系统、信息娱乐系统以及新能源汽车的电池系统、电机系统、电驱动系统(以下简称“新能源汽车‘三电’系统”)。
收藏!汽车48V方案指南完整版
TCPAK57,MOSFET封装顶部露出漏极(www.e993.com)2024年10月21日。??MOSFET技术–从成功的T8和T6到新一代T10新型T10屏蔽栅极沟槽技术提高了效率,降低了输出电容、RDS(ON)和栅极电荷QG,改善了品质因数。改进的品质因数FOM(RDSxQOSS/QG/QGD)提升了性能和整体效率。??业界领先的软恢复体二极管(Qrr、Trr)降...
...业务涉及半导体发光二极管研发生产与工艺封装、测试及其产品销售
芯瑞达董秘:感谢您对芯瑞达的关注。公司新型显示材料端与模组业务涉及半导体发光二极管研发生产与工艺封装、测试及其产品销售。以上内容由证券之星根据公开信息整理,由算法生成(网信算备310104345710301240019号),与本站立场无关,如数据存在问题请联系我们。本文为数据整理,不对您构成任何投资建议,投资有风险,请谨慎决策。
贴片小二极管贴装侧立、翻贴不良的影响因素及改善方法
贴片二极管的种类很多,封装外形和尺寸不同,在编程时需要选择对应的器件类型、合适的吸嘴(吸嘴不能太大或太小)及影像测量模式。吸嘴使用接触式拾取方式,吸料点要居中。元件本体X/Y的公差不能设置过大,一般不超过本体尺寸的15%,拾取X/Y公差不超过25%,元件厚度尽量与实物厚度一致,公差不超过5%。针对内管脚的二极...
苏州固锝获得发明专利授权:“整流芯片的封装结构”
专利摘要:本发明公开一种整流芯片的封装结构,包括由环氧封装体包覆的第一、第二、第三、第四二极管芯片、正极金属条和负极金属条,所述第一二极管芯片和第二二极管芯片分别通过焊锡反向贴装于第一芯片基板和第二芯片基板上表面,所述第一二极管芯片的负极端、第二二极管芯片的负极端均通过第一连接片与正极金属条上表面...
解密!苏联宇宙飞船内部电路曝光
贴片封装细节内部没有使用任何接插件,全部使用焊接的形式来安装,这将大大增加实时时钟运行的稳定性。晶振实时时钟所使用的内部晶振。数码管来显示时间的数码管。电路板之间的走线19PIN插针这个19口插针是实时时钟与飞船唯一的连接口,第一个作用是让飞船给实时时钟供电;另外一个作用是与飞船通讯,比如当到达...