MOS管的导通条件和MOS驱动电流计算
a.**ID(持续漏极电流)**:该参数含义是mos可以持续承受的电流值,在设计中,产品的实际通过电流值应远小于该值,至少应小于1/3以下,例:该mos管的使用持续电流应小于50A。b.**PD(mos管的最大耗散功率)**:该参数是指设计中,实际通过mos管的电流与漏源两端的电压差值乘积,不应大于该值。所以该值的很大...
2024年计算机软考中级【硬件工程师】面试题目汇总(附答案)
常用逻辑电平主要包括以下五种:输入高电平门限Vih、输入低电平门限Vil、输出高电平门限Voh、输出低电平门限Vih、阈值电平门限Vt。这五种常用电平的关系是Voh>Vih>Vt>Vil>Vol。7、二极管的特性是什么解题思路二极管与PN结一样都具有单向导电性。其正向特性和反向特性如下:①正向特性:只有在正向电压足够大时,正向电...
MOS管主要参数
2.直流输入电阻RGS·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比·这一特性有时以流过栅极的栅流表示·MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。3.漏源击穿电压BVDS·在VGS=0(增强型)的条件下,在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS·ID剧增的原因有下列两个方面:(1)漏极附近...
干货|技术参数详解,MOS管知识最全收录
MOS管是FET的一种(另一种为JFET结型场效应管),主要有两种结构形式:N沟道型和P沟道型;又根据场效应原理的不同,分为耗尽型(当栅压为零时有较大漏极电流)和增强型(当栅压为零,漏极电流也为零,必须再加一定的栅压之后才有漏极电流)两种。因此,MOS管可以被制构成P沟道增强型、P沟道耗尽型、N沟道增强型、N...
irfb4227场效应管替代料200v mos管SVT20240NT参数
200v低压mos管SVT20240NT采用士兰微LVMOS工艺,具有优越的开关性能、很高的雪崩击穿耐量及较低的导通电阻,SVT20240NT极性、封装、导通电阻及耐压和IRFB4227PBFTO-220基本一致,IRFB4227国产替代料可用SVT20240NT代换。irfb4227代替型号SVT20240NT关键参数SVT20240NT是72A、200VN沟道增强型场效应管,采用TO-220-3L封装...
干货|内阻很小的MOS管为什么会发热?
我们经常看MOS管的PDF参数,MOS管制造商采用RDS(ON)参数来定义导通阻抗,对开关应用来说,RDS(ON)也是最重要的器件特性(www.e993.com)2024年9月22日。数据手册定义RDS(ON)与栅极(或驱动)电压VGS以及流经开关的电流有关,但对于充分的栅极驱动,RDS(ON)是一个相对静态参数。一直处于导通的MOS管很容易发热。另外,慢慢升高的结温也会导致RDS(ON)...
菜鸟充电:帮你认识常见的显卡基本参数
为了方便网友区分,我们将常见的显卡参数分为以下三部分:一、显示核心(芯片厂商、代号、型号、架构、频率)二、显存颗粒(封装、类型、位宽、速度、频率、容量)三、PCB板(PCB层数、接口、供电位、散热器)2显示核心:芯片名称回顶部一、显示核心:显示核心...
MOS管知识最全收录
MOS管的种类及结构MOS管是FET的一种(另一种为JFET结型场效应管),主要有两种结构形式:N沟道型和P沟道型;又根据场效应原理的不同,分为耗尽型(当栅压为零时有较大漏极电流)和增强型(当栅压为零,漏极电流也为零,必须再加一定的栅压之后才有漏极电流)两种。因此,MOS管可以被制构成P沟道增强型、P沟道耗尽...
开关电源MOS管怎么选?参数说了算
栅极电荷是产生开关损耗的主要原因。栅极电荷单位为纳库仑(nc),是MOS管栅极充电放电所需的能量。栅极电荷和导通阻抗RDS(ON)在半导体设计和制造工艺中相互关联,一般来说,器件的栅极电荷值较低,其导通阻抗参数就稍高。开关电源中第二重要的MOS管参数包括输出电容、阈值电压、栅极阻抗和雪崩能量。
干货|实例讲解MOS管电源开关电路的软启动
不过从作者的描述来看,只是电路参数有区别,能通过的电流、能承受的耐压等不一样,但是软启动的原理是一样的。作为上面案例的补充,让我们重温一下MOS管电源开关电路软启动的原理。下面用来讲解的电路,以5V的电压为例,一般控制1A左右的电流的通断,已经大批量使用:...