AI衍生大量储存/运算需求 存储器速度/密度/频宽再进化

高频宽存储器(HighBandwidthMemory,HBM)和混合存储器立方体(HybridMemoryCube,HMC)是为了克服2DDRAM技术的存储器频宽瓶颈而研发出的3DDRAM技术。HBM晶片采用堆叠式DRAM晶片,具备额外I/Q连接埠,根据堆叠式晶片的数量同步增加存储器频宽。存储器频宽增加后,更接近处理核心(通常是GPU或FPGA),相较于2D存储器...

平头哥半导体申请数据压缩相关专利,能够提高处理器访问主存储器的...

专利摘要显示,本申请实施例提供了一种数据压缩单元、数据解压单元、处理器和相关方法,该数据压缩单元包括:掩码子单元,用于根据多个压缩方案分别将待压缩数据切分为多个数据组,并根据数据组包括的数据值生成相对应压缩方案的位掩码,其中,根据不同的压缩方案切分出的数据组的位数不同,位掩码用于指示待压缩数据组;压缩子单...

华为申请薄膜晶体管、存储器及电子设备专利,减小接触电阻增大薄膜...

金融界2024年10月29日消息,国家知识产权局信息显示,华为技术有限公司申请一项名为“薄膜晶体管、存储器及电子设备”的专利,公开号CN118825052A,申请日期为2023年4月。专利摘要显示,本申请实施例公开一种薄膜晶体管、存储器及电子设备,涉及半导体技术领域。该薄膜晶体管包括第一极、栅极、栅介质层、沟道层和第二极...

华为技术申请存储器编程方法和装置专利,提高存储器编程的速度...

金融界2024年10月18日消息,国家知识产权局信息显示,华为技术有限公司申请一项名为“存储器编程方法和装置”的专利,公开号CN118782120A,申请日期为2023年4月。专利摘要显示,本申请提供了一种存储器编程方法和装置,该方法包括:对每个待编程的寻址单元进行预编程得到一个编程值,编程值为电导值或电阻值;若...

新存科技公布国产新型 3D 存储器参数:最高 IO 速度 3200MT/s

IT之家10月8日消息，参考IT之家此前报道，新存科技9月23日发布了其自主研发的国产首款最大容量新型3D存储器芯片NM101。该新品采用先进工艺制程结合三维堆叠技术，单芯片容量达64Gb。新存科技官网现在公布了NM101芯片的参数情况：可以看到NM101采用SLC存储单元类型，最高IO速度（I/O...

新存科技公布国产最大容量新型 3D 存储器芯片参数:最高 IO 速度...

IT之家10月8日消息,参考IT之家此前报道,新存科技9月23日发布了其自主研发的国产首款最大容量新型3D存储器芯片NM101(www.e993.com)2024年11月23日。该新品采用先进工艺制程结合三维堆叠技术,单芯片容量达64Gb。新存科技官网现在公布了NM101芯片的参数情况:可以看到NM101采用SLC存储单元类型,最高IO速度(I/O接口...

美光科技申请基于潜在事件以提高的写入速度执行写入操作专利,提高...

金融界2024年11月15日消息,国家知识产权局信息显示,美光科技公司申请一项名为“基于潜在事件以提高的写入速度执行写入操作”的专利,公开号CN118942513A,申请日期为2023年5月。专利摘要显示,本申请案涉及基于潜在事件以提高的写入速度执行写入操作。在一些实施方案中,存储器装置可从主机装置接收指示潜在事件的信号。所...

半导体需求火爆!韩国芯片库存以2009年以来最快速度减少

韩国统计厅周一公布的数据显示,上个月韩国的半导体库存以2009年以来最快的速度减少,这表明用于AI开发的高性能存储芯片的需求持续增长。数据显示,8月份韩国芯片库存同比下降了42.6%,比7月份同比下滑34.3%的降幅更大。与此同时,韩国8月份芯片产量和出货量分别增长了10.3%和16.1%,进一步表明半导体行业的景气周期,正持续...

合肥康芯威存储技术取得一种存储器及其数据读取方法专利,提高数据...

金融界2024年8月28日消息,天眼查知识产权信息显示,合肥康芯威存储技术有限公司取得一项名为“一种存储器及其数据读取方法“,授权公告号CN113223584B,申请日期为2021年5月。专利摘要显示,本发明提出一种存储器及其数据读取方法,包括:收集多个历史分区号,

万润科技:进一步加大力量和加快速度发展半导体存储器业务,切实做...

公司将按照“十四五”发展战略和2024年经营工作计划,加快发挥混合所有制上市公司平台作用与优势,进一步加大力量和加快速度发展半导体存储器业务,切实做大做强以LED、存储半导体电子产业为主的新一代信息技术主产业,加快实现转型升级和高质量发展;公司2024年上半年在半导体存储器业务上所做的主要工作及进展请您关注公司2024...