三星计划2026年实现400层NAND闪存,2030年将超过1000层

三星是从24层V-NAND开始,逐渐积累了丰富的经验,目前最新量产的是第9代V-NAND,层数达到了290层。据TrendForce报道,随着人工智能(AI)的蓬勃发展,市场除了HBM这类高带宽存储器,也需要更多层数的NAND闪存,这是大型数据中心大容量SSD的理想选择,而三星的目标是2026年推出400层垂直堆叠的NAND闪存,以便在激烈的市场竞争中...

经典回顾|赛迪科创“独角兽”观察:中国领先的3D NAND闪存设计制造...

存储芯片可大致分为易失性存储器和非易失存储器两类,其中,易失性存储芯片在所在电路断电后,将无法保存数据,代表性产品是DRAM和SRAM。非易失性存储芯片在所在电路断电后,仍能保存数据,代表性产品是NANDFLASH和NORFLASH。DRAM、NANDFlash是目前主流的存储方案。目前全球存储芯片被海外企业高度垄断,行业集中度较高...

存储芯片巨头,秀肌肉!

该公司与西部数据合资生产NAND芯片。该公司不生产DRAM,但拥有快速的FL6SSD,该SSD被归类为存储级内存(SCM),但速度不如已停产的英特尔傲腾技术。Kioxia表示,SCM在内存层次结构中处于DRAM和NAND之间的一个级别,其设计“旨在处理比DRAM更大的数据量,并且速度比闪存更快”。Kioxia表示,它将推出...

业界最高密度,西部数据预览 BICS8 2Tb QLC NAND 闪存芯片

一个闪存颗粒由多个闪存芯片堆叠封装而成，单芯片2Tb意味着西数可通过16层堆叠提供4TB容量颗粒，为未来128TB乃至256TB量级企业级固态硬盘铺平道路。西部数据闪存业务总经理罗伯特??索德伯里（RobertSoderbery）还在这场活动上展示了BICS82TbQLCNAND闪存芯片实物，该芯片的长度与一个指尖的宽度大...

...长电科技巨资收购全球第二大NAND闪存供应商子公司股权后应声涨停

不论是当前业内一致看好的HBM，还是突然受爆炒的SRAM，实际都暗示着存储芯片赛道的不断升温。就在本周一，国内封测龙头长电科技盘后公告，拟收购晟碟半导体80%的股权，收购对价约6.24亿美元。据悉，标的公司主要从事先进闪存存储产品的封装和测试，产品类型主要包括iNAND闪存模块，SD、MicroSD存储器等，产品广泛应用于...

江波龙官宣首颗自研2D MLC NAND闪存:构建完整的存储芯片垂直整合...

江波龙宣布,继自研SLCNANDFlash系列产品实现规模化量产后,首颗自研32Gb2DMLCNANDFlash也于近日问世(www.e993.com)2024年11月25日。其采用了BGA132封装,支持ToggleDDR模式,数据访问带宽可达400MB/s,有望应用于eMMC、SSD等产品上,为江波龙存储产品组合带来更多可能性。江波龙近年来加大了对存储芯片的自主研发投入,引进了一批具备超过20年存储...

为什么QLC可能是NAND闪存的绝唱?

随着对闪存每平方毫米字节数的需求不断增加,制造商已尽最大努力缩小构成NAND闪存芯片的晶体管和其他结构。这导致了诸如由于电子泄漏导致数据保留时间缩短以及由于结构变薄导致磨损增加等问题。通过在每个单元中存储更多位来快速轻松地增加总存储大小的方法不仅加剧了这些问题,而且还带来了巨大的复杂性。

关键闪存芯片紧缺 固态硬盘价格或起飞在即

“关键闪存芯片”即多个NAND器件组成的NAND封装芯片。据了解,M.2-2280规格的单面固态硬盘需要4个3DNAND器件,目前这种规格的2TB和4TB产品普及率更高,该产品搭载的NAND芯片需要4个或8个3DNAND器件封装在一起,以确保高性能。但最近,一方面上游闪存厂商持续大规模减产,同时放缓升级制程工艺的节奏,另一方面,不少下游厂...

要涨价!传三星电子将与下游厂商就NAND闪存价格谈判

在经历了长达一年多的供过于求的市场环境后,三星电子的NAND闪存售价一度逼近成本线。因此,公司决定与大客户展开谈判,以期将价格调整至一个更为合理的水平。此前,国内重量级的NAND相关业者指出,NAND芯片供应商为了实现盈利目标,必将继续积极推高报价。业内人士预测,NAND芯片价格至少需要上涨四成以上,才能使大厂们...

中国消费级存储行业报告:产业链、行业分类、行业政策以及市场规模...

中游则是存储芯片制造商的天下,他们负责设计、制造和销售各类存储芯片,如DRAM、NAND闪存芯片和NOR闪存芯片等。存储晶圆颗粒作为存储器的核心,承载着所有数据和信息,而封装测试则是将晶圆颗粒和主控芯片整合在一起,并进行全面测试与调试的关键环节。下游则涵盖消费电子、信息通信、高新科技技术和汽车电子等多个应用领域,...