芯片行业的几个专业术语

21-FULLMASK“全掩膜”的意思,即制造流程中的全部掩膜都为某个设计服务。22-Shuttle就是MPW的时间,MPW的时间就是固定的,每个月或者每个季度有一次,有个很形象的翻译:班车,到点就走。23-SEAT一个MPW的最小面积,就类似“班车”的座位,可以选择一个或者几个座位。简单来说,MPW就是和别的厂家共享一张掩...

晶圆级封装(WLP),五项基本工艺

首先在前道工序(Front-endofLine)中,在晶圆上制作晶体管,如互补金属氧化物半导体等。随后使用硬掩模(HardMask)6在硅通孔形成区域绘制电路图案。之后利用干刻蚀(DryEtching)工艺去除未覆盖硬掩膜的区域,形成深槽。再利用化学气相沉积工艺(ChemicalVaporDeposition)制备绝缘膜,如氧化物等。这层绝缘膜将用于隔绝...

日本半导体禁令限制了啥?

(2)用于半导体前段制程,带有为净化晶圆表面而设计的腔体的设备。(3)外延生长的工作温度在685度以下的设备。8.可利用等离子技术,形成厚度超过100纳米、而且应力低于450MPa的碳硬掩膜(CarbonHardMask)的设备。9.可利用原子层沉积法或者化学气相法,形成钨(W)膜(仅限每立方厘米内氟原子数量低于1019个)的设备。

高端半导体设备领军者中微公司深度解析

从刻蚀角度来说,主要难点包括硬掩膜版刻蚀(Hardmasketch)、极高深宽比刻蚀(HAR)和阶梯刻蚀(Stairetch)。硬掩膜版刻蚀将光刻胶图案转移到硬掩膜版上,并进行HAR刻蚀前的开孔。制造3DNAND要从衬底开始,首先要用化学气相沉积(CVD)方法,在衬底上逐层淀积和堆叠薄膜。在堆叠层沉积工艺之后,将硬掩模版施...

半导体光刻工艺及光刻机全解析

8、硬烘(HardBaking)方法:热板,100～1300C(略高于玻璃化温度Tg),1～2分钟。目的:a、完全蒸发掉光刻胶里面的溶剂(以免在污染后续的离子注入环境,例如DNQ酚醛树脂光刻胶中的氮会引起光刻胶局部爆裂);b、坚膜,以提高光刻胶在离子注入或刻蚀中保护下表面的能力;c、进一步增强光刻胶与硅片表面之间的黏附性...

稳步前行中的国产半导体设备企业

b.hardmaskPVD:公司的产品可以保证薄膜中心到边缘的microstructure一致,使得在做CMP时,中心到边缘磨的速率一致,效果非常好,是28nm生产的baseline机台;c.ALD/CVDW:film的resistivity比别家要低;这类设备一方面用于填高深宽比的via或者trench,另一方面用于PowerIC;...

薄膜沉积设备行业深度报告:工艺升级提升需求,加速国产化进程

2、薄膜主要分为半导体、介质、金属三大类,薄膜种类针对不同场景有不同侧重常见的薄膜主要分为半导体、介质、金属/金属化合物薄膜三大类,特点在于沉积材料与不同场景下应用的复杂多样,并且材料的进步伴随制程等的演变,推动薄膜沉积工艺/设备不断研发。

元宇宙周刊丨Facebook正式更名Meta;迪士尼将推出数字藏品;国内...

NFT链游Tryhards上线新角色Vestoid据Tryhards官方消息,NFT链游Tryhards上线新角色Vestoid,作为Blockon的宿敌正式登陆X星球,代表来自塔洛西姆星球的机器人阵营。TryHards是一款NFT的区块链射击游戏,基于Polygon网络。用户参与并赢得尽可能多的战斗时,他们便能够升级角色和武器。玩家通过质押赚取TRYtoken。TryHard...

关于黄光及其100个疑问,这篇文章已全面解答……

答:Energy(曝光量),Focus(焦距)。如果能量和焦距调整的不好,就不能得到要求的分辨率和要求大小的图形,主要表现在图形的CD值超出要求的范围。因此要求在生产时要时刻维持最佳的能量和焦距,这两个参数对于不同的产品会有不同。25、何为Reticle?答:Reticle也称为Mask,翻译做光掩模板或者光罩,曝光过程中的原始图...