中国大陆迎来第二家28nm芯片制造厂商

从技术实力来看，中芯国际明显处于领先地位，能够为华为生产麒麟9010芯片，表明其技术已经进入10nm以下的阶段。然而，华虹的主攻方向仍然是40nm及以上的芯片，连28nm的技术都尚未掌握。而晶合集成则之前专注于150nm到40nm的不同工艺制程，相较中芯国际仍显得较为落后。不过，近日有消息称，晶圆代工大厂晶合集成发布了公告...

大型科普(三)为什么28nm光刻机上多曝也无法做到7nm?

我给大家总结一下,就是在平面MOS时代,也就28nm以上工艺,halfpitch代表Channellength,也就是沟道距离;但是在FinFET,也就是22nm以下工艺,halfpitch的实际物理意义是变成,第一层最小金属之间间距的一半。两者是有区别的。这段历史也确实够混乱的,我也是整了半天才明白。在22nm时代之后,各种制程变得眼花缭乱,都...

中国大陆,第二家能制造28nm芯片的厂商,诞生了

而从技术来看，中芯国际断层领先，毕竟能帮华为制造麒麟9010芯片，就知道早进入10nm以下了。至于另外两家，而华虹主要还是制造40nm及以上的芯片为主，连28nm都没有搞定。而晶合集成，之前也是只为客户提供150-40纳米不同制程工艺，也是远远落后于中芯国际的。但是近日，有消息传出，国内晶圆代工大厂晶合集成发布公告，已...

首先得有,28nm/65nm突破为何被工信部列为“重大技术”

1.35NA的浸没式DUV分辨率约38nm,单次曝光能满足28nm逻辑节点,在2015年EUV光刻机量产之前,台积电最先进制程已发展到16/12nm,实现手段便是多重曝光技术。当制程微缩至10nm及以下时,浸没式DUV多重曝光的工艺复杂度急剧上升。ArF+双重曝光广泛用于22/20/16/14nm,三重或多重光刻技术可达到10nm甚至7nm。台积电第一代...

国产光刻机突破28nm了吗

还是以2100i光刻机为例,各种Buff叠满之后,其理论的CD=(0.07×193)/(1.44×0.93)=13.51/1.3392≈10nm,注意是10nm指的是分辨率,对应的是2nm工艺,用大家的话说,“28nm光刻机造2nm”。既然多重曝光这么好用,国产65nmArF光刻机的分辨率,能否通过多重曝光的方式提高分辨率?暂时不能。

聊聊网传的“8nm光刻机”:这是干式光刻机,造不出来28nm工艺

1,这是干式光刻机,造不出来28nm工艺;8nm光刻机纯扯;2,28nm光刻机实际上是ArFi浸没式光刻机,虽然不该“28nm光刻机”这么叫,但是这么叫好理解,就是可以用在28产线上的光刻机(www.e993.com)2024年11月3日。这个和干式的区别就是曝光系统模组下有没有水作为介质;光从玻璃,经过水作为介质,折射角要远小于空气,所以193nm的波长等效为134...

一文讲透半导体28nm技术节点

从发展趋势来看,尽管先进制程技术(如14nm、10nm、7nm等)正在快速发展并逐步实现量产,但28nm技术仍然具有其独特的市场优势。从市场需求来看,28nm工艺因其成本效益高而广受欢迎。根据Gartner的数据,28nm平面器件的设计成本约为5130万美元,远低于更先进的7nm和14nm工艺。因此,许多客户选择转向28nm以降低设计成本和生产成本...

中国半导体现状:7nm及其以下芯片生产仍困难,发力10-28nm等制程

2022年,中国10nm以下芯片产能几乎为零,28nm及以上芯片产能占比却高达33%。面对这一现状,我们不得不直视与美国等发达国家在这一领域的巨大差距。以美国为例,虽然目前也缺乏10nm以下芯片的生产能力,但它正在通过引进台积电、三星等国际巨头在本土建厂来快速弥补短板。

...中国半导体现状:7nm及其以下芯片生产仍困难,发力10-28nm等成熟...

=快科技5月10日消息,对于国产半导体厂商来说,未来很长时间想要生产7nm及其以下的芯片依然是困难的。半导体行业协会(SIA)和波士顿咨询公司(BCG)的报告显示,2032年中国将生产28%的10nm以下芯片,但先进制程预计只有2%。与中国一样,美国目前也不具备生产10nm以下芯片的能力,但这对于他们来说问题并不大,台积电、三星等...

摩尔定律,其实已死在了28nm,中国芯片完全能追上台积电?

过去的几十年间,芯片产业的发展规律基本上就是如此,但当芯片工艺进入28nm之后,摩尔定律是不是还继续有效,就一直引来无数的争议。一些人认为摩尔定律是继续有效的,因为28nm之后,芯片工艺还在持续的进步,越来越小,进入了14nm、10nm……甚至是3nm,未来还有2nm、1nm等。