SiC MOSFET在电动汽车中的应用问题

3、SiCMOSFET的体二极管退化由于SiC晶体上存在的基面位错（BPD），SiCMOSFET的体二极管处于双极性状态。体二极管的退化会导致体二极管导通状态下的载流子传导不良，从而引起额外的通态损耗，还会造成关断状态下的高漏电流，影响器件的耐压能力。这些异常增加了SiCMOSFET在长期使用期间的失效率，也增加了使用SiCMOSFET...

罗姆| 有助于车载和工业设备降低功耗!内置SiC二极管的IGBT

此外,开关器件元件本身采用了比SiCMOSFET更便宜的IGBT,因此可以降低成本,从而支持更广泛的应用。ROHMHybridIGBT的性能和优势IGBT的续流二极管需要选用适合IGBT特性的产品。只是用碳化硅基二极管取代现有的硅基二极管,效率改善效果并不能达到预期。ROHM的650V耐压HybridIGBT“RGWxx65C系列”融合了IGBT和SiCSBD特性...

东芝推出新一代DTMOSVI高速二极管型功率MOSFET

[2]MOSFET体二极管从正向偏置切换到反向偏置的开关动作[3]数值由东芝测量得出:-新产品TK042N65Z5为0.2mA(测试条件:VDS=650V、VGS=0V、Ta=150°C)-现有产品TK62N60W5为1.9mA(测试条件:VDS=600V、VGS=0V、Ta=150°C)[4]600VDTMOSIV(HSD)系列[5]数值由东芝测量得出。...

银河微电:MOSFET、保护器件、二极管、三极管等产品可应用于光通信...

银河微电(688689.SH)12月7日在投资者互动平台表示,公司产品广泛应用于汽车电子、能源动力、网络通信等领域,公司主营产品为半导体分立器件和芯片,其中MOSFET、保护器件、二极管、三极管等产品可应用于光通信领域。(记者尹华禄)免责声明:本文内容与数据仅供参考,不构成投资建议,使用前核实。据此操作,风险自担。如...

...95mohm 和 125mohm, 600V 快恢复体二极管aMOS5?? 超结MOSFET

经过工程师们实验论证:这两款快恢复体二极管在高达150°C的结温下,都能够承受高di/dt的挑战。此外,实验测试说明,aMOS5??FRDMOSFET方案的关断损耗(Eoff)明显低于竞争对手,这有助于在轻负载或中负载条件下提高系统效率。AOS全球电源业务及高压产品线资深市场总监RichardZhang指出:“我们推出更多的aM...

罗姆第4代SiC MOSFET裸芯片批量应用于吉利集团电动汽车品牌“极氪...

在罗姆自身擅长的功率电子领域和模拟领域,罗姆的优势是提供包括SiC功率元器件及充分地发挥其性能的驱动IC、以及晶体管、二极管、电阻器等外围元器件在内的系统整体的优化解决方案(www.e993.com)2024年11月13日。欲了解更多信息,请访问罗姆官网(httpsrohm/)。市场背景与第4代SiCMOSFET...

MOSFET基本原理、参数及米勒效应全解

。从下图转移特性曲线可以看出,温度不同,VGS(th)不同,相应的跨导差别很大。表9MOSFET的跨导图12MOSFET转移特性曲线2.3动态电气特性表10MOSFET动态特性Ciss:输入电容,将漏源短接,用交流信号测得的栅极和源极之间的电容。Ciss是由栅漏电容CGD和栅源电容CGS并联而成,或者Ciss=CGD+CGS(CGD为栅-漏极间...

全面升级!安森美第二代1200V SiC MOSFET关键特性解析

体二极管特性安森美碳化硅MOSFET也具有与硅MOSFET类似的pn结本征双极体二极管。由于材料的宽带隙特性,碳化硅MOSFET的正向电压相对高于硅MOSFET,因为pn结的内置电压更高。一般来说,IGBT芯片在封装内有一个额外的独立二极管,称为共封装或反并联,IGBT是单向器件,除非它是反向导通IGBT技术。因此,IGBT在共封装二极管的选择上有...

为什么D类放大器需要反并联二极管

这种二极管被称为体二极管,出现在源极和漏极端子之间。当漏极-源极电压为负时,本体二极管导通并将电流从源极传导到漏极。不管栅极到源极电压如何,都会发生这种情况。由于本体二极管,电压开关D类放大器的MOSFET实现可以在不使用外部反并联二极管的情况下工作。虽然MOSFET通过反向电流而没有损坏的风险,然而,我们有时...

收藏!汽车48V方案指南完整版

T10MOSFET技术:40V和80V低压和中压MOSFETT10是安森美继T6和T8成功之后推出的新型技术节点。T10-M采用特定应用架构,具有极低的RDS(ON)和软恢复体二极管,专门针对电机控制和负载开关进行了优化。另一方面,T10-S专为开关应用而设计,更加注重降低输出电容。虽然会牺牲少量的RDS(ON...