电子束枪有望简化EUV光刻机
他们的装置主要依靠高压、大电流电子束枪,该电子束枪可以产生短电子脉冲,通过电子撞击电离产生等离子体。在测试中,它能够再现EUV生成等离子体的关键参数。海量资讯、精准解读,尽在新浪财经APP
光刻技术,有了新选择
在不同的阶段,每一代光刻机都遇到了前所未有的挑战与难题,与此同时,光刻技术也在这个过程中不断演进。01光刻技术的发展路径接触式光刻技术接触式光刻技术出现于20世纪60年代,是小规模集成电路时期最主要的光刻技术,有着良率低、成本高的特点。接触式光刻示意图接触式光刻技术中掩膜版与晶圆表面的光刻...
荷兰光刻机爆卖中国
“中国永远复制不出高端光刻机”。温彼得真正的意思是,世界上没有一个国家,包括荷兰,可以单靠自己制造出先进的光刻机。他说,阿斯麦是系统集成商,他们将数百家公司的技术整合在一起,才有了一台别人无法复制的光刻机。以一台5nm光刻机为例,它需要十余万个零件,机器重量180吨,光是组装就需要一年时间,而这...
冠石科技(605588.SH):近日宁波冠石引入首台电子束掩膜版光刻机
近日宁波冠石引入的首台电子束掩膜版光刻机,是光掩膜版40纳米技术节点量产及28纳米技术节点研发的重点设备。
光刻技术的过去、现在与未来
光刻技术的未来发展方向光刻技术作为一项精密的微纳米加工工艺,通过将设计好的微小图案转移到光敏感的材料表面,为各个领域的微细结构制造提供了技术支持。其核心在于利用光刻机,将精准的图案投射到光敏感材料上,从而实现微小结构的精确制造。在当今科技时代,光刻技术是推动半导体制造、光学器件、生物医学等领域发展的...
光刻技术,有了新选择
光刻机所使用的光源波长从最早的紫外光源(ultraviolet,UV),如g线(波长436nm)、i线(波长365nm)光源,发展到以KrF(波长248nm)、ArF(波长193nm)为代表的深紫外光源(deepultraviolet,DUV),再到现在波长13.5nm的极紫外光源(extremeultraviolet,EUV)(www.e993.com)2024年9月11日。随着光源波长的不断缩短,光刻机单次曝光分辨率不断...
光刻技术,有了新选择_投资界
在不同的阶段,每一代光刻机都遇到了前所未有的挑战与难题,与此同时,光刻技术也在这个过程中不断演进。1、光刻技术的发展路径,接触式光刻技术接触式光刻技术出现于20世纪60年代,是小规模集成电路时期最主要的光刻技术,有着良率低、成本高的特点。
冠石半导体入场首台先进电子束掩模版光刻机
近日宁波冠石半导体有限公司迎来关键节点,引入首台电子束掩模版光刻机。据悉,该设备是光掩模版40nm技术节点量产及28nm技术节点研发的重点设备。此举可填补国内高阶制程光掩模空白,打破国外高端光掩模版的垄断局面。
泽攸科技自主研制的电子束光刻机实现关键突破,有望打破国外技术壁垒
业内人士表示,电子束光刻机是当前推动新材料、前沿物理、半导体、微电子、光子、量子等研究领域发展的重要装备之一。我国在这一领域长期面临技术壁垒,市场高度依赖进口。泽攸科技通过多年技术积累,已构建起完整的电子束技术体系,其产品竞争力和影响力持续提升。
替代EUV光刻机光源,日本方案详解
在极紫外光刻技术中,由于光子能量高得多,在相同剂量下,晶片上单位面积吸收的光子数要比准分子激光器少得多。如果曝光能量不足,晶圆上会出现随机图案缺陷。为了抑制在很高产能吞吐量的情况下的EUV随机效应,需要很高的EUV功率。对于未来光刻机的最大产能吞吐量,需要估算出减轻随机效应所需的EUV功率。3nm节点所需的EUV...