晶圆代工三巨头:从纳米时代转战埃米时代

三者的路线图都显示,晶体管的扩展将至少持续到18/16/14埃米(1埃米等于0.1nm)的范围,并可能从纳米片和forksheetFET开始,在未来的某个时间点出现互补FET(CFET)。主要驱动因素是人工智能(AI)/移动计算以及需要处理的数据量激增,在大多数情况下,这些设计将涉及处理元件阵列,通常具有高度冗余和同质性,以实现更高的产量。

半导体进入“埃米时代”?

实际上，5纳米、3纳米等指标从约5年前开始与电路线宽的实际尺寸出现背离。目前还没有关于应测量半导体电路哪个位置的国际标准，据半导体设计公司高管称，台积电和三星正在量产的3纳米也只是“企业方面的说辞”。英特尔宣告“埃米时代的到来”，但没有明确说明是长度单位。这只是一个营销口号，目的是彰显先进形象。那么，...

综述文章|微米、纳米、原子及近原子尺度激光加工机理

库仑爆炸是低辐照条件下纳米尺度非热去除的一种重要机制,材料表面被电离后暂时带正电,由于晶格原子间距仅为埃米量级,表层粒子或团簇在强库仑斥力下被发射,其速度大、沿表面法向附近分布且动量与电荷态正相关,这些特征与烧蚀去除等离子体羽辉中粒子的低速、电中性及大角度分布截然不同。原子层去除机理是建立在量子理...

英特尔公布最新路线图,半导体的埃米时代来了?

如上文所说,转向20A时,英特尔的工艺名称指的是埃米而不是纳米。也就是在这个时刻,英特尔将从其FinFET设计过渡到一种新型晶体管,称为Gate-All-Around晶体管或GAAFET。在英特尔的案例中,他们为其版本提供的营销名称是RibbonFET。人们普遍预计,一旦标准FinFET失去动力,半导体制造行业将转向GAAFET设计。每个领先的供应商...

Intel 火力全开:2024开启埃米时代,2025或用下一代光刻机「反超...

物理意义上，埃米是晶体学、原子物理、超显微结构等常用的长度单位，是比纳米更小的单位，10埃米等于1纳米。Intel20A标志着半导体埃米时代的启幕，或将成为制程技术的又一个分水岭。在更远的未来，Intel20A下一代工艺Intel18A也已在研发中，预计将在2025年初推出，将会对RibbonFET进行改进，实现晶体管性能的又...

0.01微米什么概念?净水器也成玄学了吗?

微滤膜的孔径为0.05-5.00μm,操作压力0.01-0.2Mpa,可以截留0.02-10μm的例子;超滤膜孔径为5nm-0.1μm,操作压力为0.1-1.0Mpa;纳滤介于超滤和反渗透之间,可在0.5-1.0Mpa的压力下实现较高的水通过量;而反渗透膜的孔径仅为1-10埃米(纳米的十分之一),几乎可以去除水中的一切杂质,包括各种悬浮物、胶体、溶解性有...

英特尔要逆袭!公布最新芯片技术路线图 计划2025年重返行业巅峰

正如PatGelsinger在演讲中所说,最初,制程工艺“节点”的名称与晶体管的栅极长度相对应,并以微米为度量单位。随着晶体管越变越小,栅极的长度越来越微缩,我们开始以纳米为度量单位。他接着说,在过去多年的发展中,英特尔在工艺制程上面有过很多的贡献。例如在1997年,英特尔推出了应变硅(strainedsilicon)技术,在加上...