无锡中科芯:基于晶圆级芯片尺寸封装技术的制造平台已量产

无锡中科芯:基于晶圆级芯片尺寸封装技术的制造平台已量产据无锡日报报道,中科芯集成电路股份有限公司团队顺利攻克了晶圆级再布线及晶圆级凸点制备关键技术。据报道,目前该公司基于晶圆级芯片尺寸封装技术的制造平台已经实现量产,为国内多家客户提供制造服务,补全了目前国内在该领域的空白。中科芯集成电路股份有限公司是中国...

芯片三维集成的“风口”之下,金刚石凭啥备受瞩目?

晶圆级封装:TSV用于传感器封装可减小尺寸、提高生产效率,硅基埋入扇出技术实现了芯片三维堆叠封装,不同系统或功能芯片可集成在一个芯片中。2016年,华天科技有限公司开发出硅基埋入扇出(eSiFO)技术,使用硅片作为载体,将芯片置于在12英寸硅晶圆上制作的高精度凹槽内,重构出1个晶圆;然后采用可光刻聚合物材料填充芯片和...

大芯片的救星:异构集成

借助台积电的5纳米技术,在单个晶圆上制造了四万亿个晶体管,芯片尺寸约为GPU的57倍。然而,计算和内存组件是分离的,以实现内存容量扩展,因此单个WSE-3系统能够比由10,000个GPU组成的集群更高效地存储和训练具有24万亿个参数的模型。相比Cerebras,其他半导体公司正在使用先进的封装技术来设计大规模...

芯片巨头:几家欢喜,几家愁

ASML首席执行官ChristopheFouquet表示:“在逻辑芯片方面,竞争激烈的代工厂动态导致某些客户的新节点增长放缓,从而导致几家工厂停工,并导致光刻需求时间发生变化,尤其是EUV。”“在内存方面,我们看到产能增加有限,重点仍然是支持HBM和DDR5AI相关需求的技术转型。”当被问及销售额下降是否因为ASML的部分客户在工艺技术方面...

晶圆(硅片)为什么越来越大?

较大的硅片允许在同一片硅片上制造更多的芯片。假设芯片的结构尺寸(即芯片的设计和所需的物理空间)相同,那么在300毫米的硅片上可以比200毫米的硅片上多制造超过两倍的芯片。这意味着更大的硅片可以显著提升产量。2.成本降低硅片面积增大后,产量增加,而制造工艺的一些基本步骤(例如光刻和蚀刻)不随硅片尺寸的变化...

TSV,太贵了!|玻璃|基板|lsi|中介层_网易订阅

但是这种连接方式非常复杂,这是因为,在EMIB技术中,不同的芯片可能需要通过不同尺寸和形状的凸块进行连接(www.e993.com)2024年11月18日。例如,C4凸块(通常较大)和C2凸块(通常较小)可能分别用于不同的信号、电源传输需求,或是为了适应芯片的不同尺寸和特性。由于在同一晶圆上的每个芯片都要使用两种不同类型的焊点,这就增加了制造工艺的复杂性。

中国正在研发一款芯片,其尺寸相当于整个硅晶圆,以规避美国对超级...

它具有两个主要特点。首先,BigChip非常大。由于其尺寸,它可以拥有比使用现有技术制造的常规单一芯片更多的微小电子部件或晶体管。其次,BigChip具有多个功能块,使用几种新兴的半导体制造技术将预制块集成到BigChip中。由于BigChips包含更多的核心,核心之间的通信将影响它们的协同性,因此芯片的架构设计对性能有重要...

三星:BSPDN技术可将芯片尺寸缩小17%

三星:BSPDN技术可将芯片尺寸缩小17%三星电子副总裁兼晶圆代工厂PDK开发团队主管SungjaeLee当地时间8月22日介绍BSPDN(背面供电网络)技术时表示,该技术将使2纳米芯片的尺寸缩小17%,同时性能提升8%,功耗降低15%。SungjaeLee介绍称,三星将从2027年起将BSPDN应用于2纳米工艺的量产。

三星称BSPDN让芯片尺寸减少17%,背面供电将带来15%能效和8%性能提升

据TrendForce报道，最近三星晶圆代工PDK开发团队的高级副总裁LeeSun-Jae在活动上，介绍了BSPDN背面供电技术的一些情况，表示相较于传统的FSPDN供电方式，在同样是2nm芯片的情况下，采用BSPDN的SF2Z工艺可以减少约17%的芯片面积，并为能效和性能带来约15%和8%的提升。此外，通过背面供电技术，可以消除供电线路和信号...

玻璃——先进封装的大机会

大尺寸优势：玻璃面板的尺寸比硅片大，提供了更好的成本效率。例如，620mmx750mm的玻璃板面积为465000平方毫米，是12英寸硅片的6.6倍，这可以在一个载体或中介层中容纳更多的芯片。同时，玻璃面板是矩形的，而硅中介层是圆形的，圆形可能导致晶圆边缘出现一些未使用区域。当芯片尺寸增大时，晶圆面积使用效率可能...