AI大模型需要新型存储器!北京大学唐克超老师谈FeRAM铁电存储器...

FeRAM铁电存储器FeRAM铁电存储器是一种随机存取存储器技术,是一种在断电时不会丢失内容的非易失存储器,具有高速、高密度、低功耗和抗辐射等优点。随着人工智能和大数据技术的飞速发展,对算力和存储的需求日益增长。传统的计算架构逐渐显露出局限性,这促使学术界和产业界开始探索新的计算架构和信息器件。02铁电...

RAMXEED以全新一代FeRAM迎接边缘智能高可靠性无延迟数据存储需求

该类存储器以其超快的读写速度、出色的写入耐久性以及较低的功耗特性而著称。FeRAM的读写速度是纳秒级,这远超过NORflash、EEPROM;读写次数达到1014、1013之多,在某种意义上相当于无限次,而EEPROM、NORFlash一般都有次数的限制。基于这两个特点,在实时写入、掉电保护等、需要读写次数比较高的快速非易失性存储...

【对话前沿专家】基于铁电晶体管科研,共探集成电路的创新之路

目前FTJ的存储成熟度相对较低,因此研究和开发主要集中在FeRAM和FeFET上,这两种技术更接近实际应用和产业化。FeRAM,即基于电容型的铁电存储器,因其与现有DRAM结构的相似性而最接近产业化应用。它旨在提供非易失性存储解决方案,以结合DRAM的快速访问和低功耗特性,特别适合需要频繁刷新的场景。FeFET,即基于晶体管型的...

新书上架《半导体存储器件与电路》

几种受关注的候选者包括相变存储器(PCM)及用于相关3DX-point技术的选通器;阻变随机存取存储器(RRAM);磁性随机存取存储器(MRAM),包括自旋转移力矩(STT)和自旋轨道力矩(SOT)两种切换机制的MRAM;铁电存储器,如铁电随机存取存储器(FeRAM)和铁电场效应晶体管(FeFET)。此外,这些新型非易失性存储器的多比特存储、离散...

新兴存储,冰火两重天

目前业界主要聚焦的新兴存储器主要包括四种:铁电存储器(FeRAM/FRAM)、阻变存储器(ReRAM/RRAM)、磁性存储器(MRAM)和相变存储器(PCM),这些新兴存储技术旨在集成SRAM的开关速度和DRAM的高密度特性,并具有Flash的非易失特性。面对新旧技术冲突,当前DRAM和NAND的行业统治趋势能否持续下去?还是FeRAM、ReRAM、MRAM或PCM等...

存储芯片,中国什么时候能成?

NORFlash属于代码型闪存芯片,用来存储代码及部分数据,是终端电子产品种不可或缺的重要元器件,具备随机存储、可靠性高、读取速度快、可执行代码等特性,在中低容量应用时具备性能和成本上的优势(www.e993.com)2024年11月17日。EEPROM则是一种支持电可擦除和即插即用的非易失性存储器,具有体积小、接口简单、数据保存可靠、可在线改写、功耗低等...

NOR Flash也要创新了

最初,旺宏是在一个8层结构上开发的,已经完成了34层堆栈的工作,这似乎是可行的。旺宏认为,在70层以上时,该公司提出的3DNORFlash将挑战20nm半间距的两层交叉点相变存储器。进一步的改进可能来自铁电存储器晶体管,它允许更低的电压操作和更快的写入速度。

国芯思辰拍字节新型3D铁电存储器(VFRAM)弥补两大主流存储器鸿沟

的新型内存。同EEPROM、FLASH等非易失性存储器相比，具有优越的耐高温、高速写入、高读写、耐久性和低功耗的优点，在所有存储器中，性能是数一数二的。而传统的铁电存储器存在强污染性，产量难提升，仅应用于2D架构，存储密度很难提升等弊端。据拍字节介绍，公司研发的新型3D铁电存储器在材料上创新性使用无污染...

怀旧老照片 细数计算机内存的那些事

超声波存储器是内存发展过程中重要的一环,这套系统超声波存储器拥有1024个44位,相当5.5KB的存储容量。超声波存储器被使用在世界上第二台电子计算机EDVAC上。#p#1952年:FeRAM铁电存储器铁电存储器在今天感觉仍然有点异国情调的感觉,它的历史可以追溯到1952年,麻省理工学院的研究生DudleyAllenBuck在硕士论文中...

关于半导体存储的最强入门科普

█非易失性存储器(NVM)接下来,再看看非易失性存储器产品。非易失性存储器产品的技术路线,就比较多了。最早期的,就是前面所说的ROM。最老式的ROM,那是“真正”的ROM——完全只读,出厂的时候,存储内容就已经写死了,无法做任何修改。这种ROM,灵活性很差,万一有内容写错了,也没办法纠正,只能废弃。