干货满满!荷兰刚宣布扩大管制,我国就公布2条重磅光刻机消息
目前,前道光刻机已经发展了五代,分别是接触式光刻机、接近式光刻机、扫描投影式光刻机、步进扫描投影式光刻机、浸没式步进扫描投影式光刻机、极紫外光刻机。每一代都是向着缩小曝光线宽的方向在发展,主要方式就是缩小光刻设备光源光波长,从原来的g线、h线、i线发展成深紫外、极紫外,X射线,波长...
中国自主研发的光刻机成功问世,标志着重大突破!
简单来说,光刻机是制作芯片时不可或缺的设备,没有它,就无法将设计好的电路图案精确地转移到硅片上,生产出我们日常使用的各种电子产品所需的芯片。西方国家通过控制光刻机的出口和技术转让,对中国芯片产业的发展构成了重大挑战。这种做法不仅影响了中国芯片产业的自主创新能力,也对中国的科技自立自强之路带来了阻碍...
水杨酸己酯安全性:从光安全性到人体研究
②吸收紫外/可见光后产生反应物质;③在光暴露组织(如皮肤、眼睛等)有足够的分布。如果不满足这些条件中的一个或多个,化合物通常不会产生直接的光毒性。《化妆品安全评估技术导则》皮肤光毒性试验评价化妆品原料和/或风险物质引起皮肤光毒性的可能性;皮肤光变态反应试验可评估重复接触化妆品原料和/或风险物质...
...政府保证,有能力远程瘫痪台积电位于台湾地区最先进的极紫外光...
美媒:阿斯麦向荷兰政府保证,有能力远程瘫痪台积电位于台湾地区最先进的极紫外光刻机环球时报报道记者倪浩李炫旻据美国彭博社21日引述知情人士的话报道,荷兰半导体生产设备制造商阿斯麦(ASML)称,有能力远程瘫痪台积电位于台湾地区的最先进的极紫外光刻机(EUV)。知情人士透露,台湾地区生产了全球绝大多数...
可量产0.2nm工艺!ASML公布Hyper NA EUV光刻机:死胡同不远了
ASML公布HyperNAEUV光刻机:死胡同不远了快科技6月16日消息,ASML去年底向Intel交付了全球第一台HighNAEUV极紫外光刻机,同时正在研究更强大的HyperNAEUV光刻机,预计可将半导体工艺推进到0.2nm左右,也就是2埃米。ASML第一代LowNAEUV光刻机孔径数值只有0.33,对应产品命名NXE系列,包括已有的3400B/C、...
EUV光刻机的局限与半导体产业的未来
然而,加工尺寸越小,紫外光进行多重曝光所需的掩膜版数量也就越多,到了7纳米技术节点就需要几十层掩膜版(www.e993.com)2024年9月19日。掩膜版越多,加工步骤越多,所花费的成本和时间也就越多。10纳米工艺制造的晶圆比14纳米工艺制造的晶圆贵了32%,而在7纳米的技术节点又比10纳米贵了14%。如果到5纳米技术节点时再不采用下一代EUV光刻机,...
一周科技汇总:高大上的互联网经济,本质与封建时代没有区别
奥秘就在于,这种灯发射的不是普通紫外线,而是远紫外线。普通紫外线的波长是254纳米,远紫外线的波长则是207纳米或222纳米,更偏光谱的外侧。远紫外线的波长短,所以穿透力弱,不损害人体皮肤和眼部细胞,同时又能杀死病毒和细菌。室内只要安装几盏这种灯,就能保证空气无害,同时它的光对人眼不可见,人体不会有任何察...
詹姆斯·韦布空间望远镜的早期科学成果
此外,类星体顾名思义,其寄主星系本身会因核区的高亮度而难以被探测(就好比盯住汽车的远光灯)。而韦布望远镜的强大性能,使其能前所未有做到将两颗红移6附近类星体的暗弱寄主星系辨析出来,据此发现,测量出的中央黑洞质量大约是星系的恒星总质量(百亿到千亿倍太阳)的1%,符合在晚近宇宙中观测到的普适经验范围,为研...
科学网—科学快讯
原行星盘中观察到远紫外线驱动的光致蒸发流大多数低质量恒星都是在包含大质量恒星的星团中形成的,这些恒星是远紫外线(FUV)辐射的来源。理论模型预测,这种FUV辐射会在低质量恒星周围的原行星盘表面产生光解离区(PDRs),从而影响盘内行星的形成。科研人员利用韦布太空望远镜和阿塔卡马大型毫米波/亚毫米波阵列在猎户...
基础知识之激光二极管
激光二极管接合部在垂直方向和水平方向上外观的焦点位置不同。将这2个焦点间的距离定义为像散差(As)。像散差(As)像散差(As):测量方法像散差通过[图1]所示的刀缘法测量。将半导体激光器的光束用刀缘从一侧切下去。[图1]如果对通过刀缘的光量和刀缘的位置(X)进行绘图,就能得到激光束的...