详解第三代半导体材料:碳化硅和氮化镓
第三代半导体材料是指具有宽带隙(Eg≥2.3eV)的材料,代表包括碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石和氮化铝(AlN)。这些材料在半导体照明、电力电子、激光器和探测器等领域有着广泛的应用,每个领域都有不同的产业成熟度。第三代半导体材料以其宽带隙特性,在高温、高频、高效率和高功率电子器件中展现出巨...
第三代超导-半导体复合器件制备工艺——一种同时实现原子级异质...
第三代超导-半导体复合器件制备工艺——一种同时实现原子级异质界面以及能带调控的通用型方法|进展金属-半导体的异质界面对现代电子器件的性能起着至关重要的作用。当半导体和金属接触时,界面处的能带弯曲情况极大地影响了接触(电阻)的性质;它的细节,比如欧姆接触还是具有肖特基势垒,导致不同的电荷密度和电场分布,控...
第三代半导体掀起全球扩产潮
与第一代半导体硅(Si)和第二代半导体砷化镓(GaAs)相比,第三代半导体在高温、高压、高频这一类的极端条件下工作更稳定且消耗能量更少,具备更好的性能表现。近些年随着硅晶体管尺寸逼近物理极限,通过缩小晶体管尺寸来提高集成电路性能的方法变得越来难走通,第三代半导体成为了行业探索的新材料方向。作为新技术,第三...
海目星:主要研究第三代半导体上的碳化硅切片工艺及设备
公司回答表示:公司在以氮化镓和碳化硅为代表第三代半导体上的激光加工方面,主要研究方向为碳化硅切片的工艺及设备。本文源自:金融界AI电报
...深度的产学研合作,重点开发配套第三代半导体工作的高频率软磁...
与第一代和第二代半导体材料相比,第三代半导体材料的禁带宽度、击穿电场、热导率、电子饱和速率及抗辐射能力均有较大的提升,更适合用于制作高温、高频、大功率及抗辐射器件。目前,公司相关软磁粉末产品已应用于一体成型电感的生产,在电子电路中向CPU/GPU提供供电及滤波功能,终端应用场景包括笔记本电脑、服务器、显卡、...
第三代半导体距顶流还有多远?
SiC具有比GaN和Si更高的导热系数,理论上SiC器件比GaN或者硅具有更高的功率密度(www.e993.com)2024年10月22日。在高功率器件的基础上,高导热、宽禁带、高临界场的SiC半导体材料具有独特的优势。GaN的导热性能较差,这给系统设计者带来了很大的挑战。在第三代半导体中,竞争与互补的步伐正在把舞台拉得更近。#图文新星计划#...
因地制宜发展新质生产力丨技术“小白”如何变身第三代半导体独角兽
卫星通信、电动汽车、人工智能等领域的创新浪潮奔涌向前,以碳化硅单晶为代表的第三代半导体潜力巨大。郑清超说,站在新一轮科技革命和产业变革的风口,同光半导体必须抢抓机遇,立足企业实际加大创新力度,培育新质生产力。作为突破碳化硅单晶制备瓶颈的重要工艺节点,8英寸碳化硅单晶衬底是当前国内外厂家争相抢占的黄金赛道...
蓄势待发,浅谈第三代半导体材料——氮化镓
表1:第一代至第三代半导体物理指标资料来源:公开资料收集、英诺赛科招股书相较于目前广泛应用的第一代半导体,氮化镓具有宽带隙、电子迁移率高、开关频率高、导通电阻低、耐高压、耐高温等综合优势。更宽的带隙使氮化镓能够在更高的电压下工作,而更高的电子迁移率提高了电流驱动能力和响应速度,显著减少了热散失并提高...
全世界最“纯”的第三代半导体,是怎样炼成的?
第一代半导体是硅和锗,主要用于低压、低频、中功率的晶体管和光电探测器。硅基半导体的出现使得集成电路的大规模发展成为可能。第二代半导体是砷化镓和磷化铟,被用于制作毫米波器件、发光器件、通讯设备、卫星通讯、移动通讯、光通信、GPS导航等,由于它们的电子迁移率较高,因此特别适合用于通讯。但是,它们的明显缺点是...
预见2024:《2024年中国第三代半导体材料行业全景图谱》(附市场...
半导体材料是一类具有半导体性能、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料。半导体材料是半导体产业链上游的重要组成部分,在集成电路、分立器件等半导产品生产制造过程中起关键作用。第三代半导体材料是继以硅(Si)和砷化镓(GaAs)为代表的第一代和第二代半导体材料之后,迅速发展起来的宽禁带半导体材料。具体是指Eg(带...