毁掉承诺,ASML不再维修中国的光刻机!契约精神阿斯麦说了算?
光刻机的关键部件大多依赖于国外供应,一旦供应链出现任何意外,整个生产过程可能会陷入困境。尽管当下挑战重重,我国的芯片企业绝不会轻言放弃。中微公司等“拼命三郎”在技术攻关方面始终不遗余力。中微公司不仅在等离子刻蚀机领域实现了重大突破,同时也在高端光刻机的研发方面全力追赶。这些努力就像逐步铺设的“台阶”...
国产光刻机研发提速,美国突然意识到自己落伍,迫使ASML对华禁售
NXT:2050i以及NXT:2100i光刻系统属于DUV光刻机这一大家子,和ASML最新的EVU光刻机在工艺上差别老大了,通常是用来生产7纳米、5纳米芯片的。但也有人觉得,晶圆多经历几次刻蚀,也能达到2纳米的工艺水平,就是得多耗电而已。ASML不许给中国大陆的客户交付NXT:2050i以及NXT:2100i光刻...
大量采购ASML光刻机:国产光刻机正经历黎明前的黑暗
根据中微公司创始人、董事长兼CEO尹志尧的说法是,目前刻蚀机上已经有60%的零部件是通过国内采购,在MOCVD设备上的零部件国内采购比例高达80%,但是,60~80%还有一部分是国外比较领先的供应厂商在中国的子公司做的,而这些零部件在中国可能会受到相当程度上的限制,因此中国最近两年正在解决这些零部件的自主可控问题。从...
半导体刻蚀设备行业研究:半导体制造核心设备,国产化之典范
刻蚀可分为湿刻和干刻,湿刻各向异性较差,侧壁容易产生横向刻蚀造成刻蚀偏差,通常用于工艺尺寸较大的应用,干刻是目前主流的刻蚀技术,其中,等离子体干刻应用最广。根据等离子体产生方法不同,等离子体刻蚀又划分为ICP(电感性等离子体刻蚀)和CCP(电容性等离子体刻蚀)两大类,ICP主要用于硅、金属以及部分介质刻蚀,CCP...
3纳米制程芯片为什么需要EUV光刻机和多重曝光技术?
图:EUV光刻机第二步:引入EUV技术。EUV(极紫外光刻)使用13.5纳米的波长,可以更好地刻蚀出精细的图案。EUV技术有助于缩小芯片尺寸并提高密度。然而,即便是EUV,也面临着分辨率和准确性的问题,尤其是当我们试图在3纳米制程中实现更小的特征尺寸时。图:EUV光刻机原理...
俄罗斯宣称赶超中国光刻技术,但现实与理想差距有多大?
此外,中国在其他半导体设备上也在进行创新,如蚀刻机技术(www.e993.com)2024年9月8日。据报道,中微公司的刻蚀机销售在今年上半年收入大增。因此,虽然俄罗斯在EUV光刻机技术上取得进展,但认为其会超过中国的芯片半导体自主化速度仍需审慎看待。中国半导体技术在全球范围内已显示强劲发展势头,尤其是在设计、制造和封测三大领域均有突破。尽管与...
2025-2030年中国集成电路(IC)制造行业投资规划及前景预测报告
三、光刻机市场供需四、光刻机市场规模五、光刻机国产趋势六、光刻机竞争格局七、光刻机出货情况八、光刻机技术趋势第四节、刻蚀机设备一、刻蚀机的主要分类二、刻蚀机的市场规模三、刻蚀机市场竞争四、刻蚀机国产化率五、刻蚀机企业动态...
2024,中国芯片还需更多DUV光刻机
一方面,光刻系统没有所谓的“落后制程”。光刻机之间,先进的和落后的型号之间不是相互替代的关系,而是协同关系,在台积电的生产过程中,7nm、5nm芯片并不是完全由EUV来制作,而是两种机型交替合作,其中,7nm的80层光罩里,由EUV完成的仅有12层,剩下的68层均是借助DUV曝光,5nm节点下的100层光罩里,由DUV机型负责曝光...
半导体刻蚀机行业专题报告:国产替代空间充裕
据国际半导体产业协会测算,一片7nm集成电路所经历刻蚀工艺140次,较28nm生产所需的40次增加2.5倍。此外,更多的步骤、更小的尺寸以及不同的材料对刻蚀机的数量、精度、重复性等都提出更高的要求。(2)3DNAND存储芯片堆叠层数不断增长,涉及的刻蚀步骤繁多,对设备的性能及数量都提出需求。1)...
ASML光刻机是怎样一步步走上“绝路”的?-虎嗅网
请记住套印这个词(overlay),也是把光刻机一步一步逼疯的关键之一。光刻里面的overlay,一般也是指不同层的图案对准的精度。印刷机的套印精度大概是0.05mm,据说这样就够骗过人眼了,而最先进的光刻机overlay精度是<1nm,两者差了5万倍。早期光刻机的原理和印刷确实也是一毛一样的,有图案和没图案的地方通过光敏胶...