光子芯片取得重要突破,中国或将绕开EUV光刻机瓶颈

然而，光子芯片的崛起为中国芯片产业带来了新的希望。光子芯片的研发路径与传统电子芯片截然不同，避免了对EUV光刻机的依赖，能够更灵活地应对国际市场的变化。通过自主研发光子芯片，中国有望在不久的将来实现“弯道超车”，摆脱被动跟随的局面。这一进展不仅能够降低对外技术的依赖，还将增强中国在全球芯片市场的竞争力...

光子芯片迈出重要的一步,中国芯片绕开EUV光刻机将成真

相比起硅基芯片，光子芯片对工艺的要求较低，一般只要百纳米以上的工艺就能满足要求，而这方面国内的光刻机也已完全能达到技术水准，更无需依赖ASML用于生产7纳米以下工艺的EUV光刻机。据悉光子芯片较硅基芯片可以快1000倍，而功耗却低得多，如此可以对于5G、物联网、服务器等行业需要高性能、低功耗的行业尤为合适，...

关于国家工信部突然官宣的“国产光刻机”,你需要知道的10件事

也是打出一束光,穿过一组掩膜版,再穿过一层透镜系统,就能把掩膜版上刻着的电路图,投射到制作芯片的衬底,也就是晶圆片上。区别只在于,放电影,是用“放大镜”,把小图投成大图。光刻,则是用“缩小镜”,把大图投成小图。用光的投射做杠杆,真聪明。可是,到这一步,也只是清楚地描好了边,知道接下来往哪儿...

中美科技圈传出消息,美国芯片战要输,2款国产光刻机问世

功夫不负有心人，工信部首台套设备推广名单，包括两款光刻机，其中193nm光刻机分辨率小于65nm，套刻精度小于8nm。这款光刻机套刻距离ASML的最新款DUV2100还有差距，2100的套刻精度是小于2.5nm。但是，大部分芯片制程都是28nm，甚至65nm以上，比如汽车半导体，家用电器半导体，玩具半导体等等，那么这两款光刻机就能...

没有EUV光刻机,怎么做5nm芯片?

目前ArF光刻机的镜头可将sinθ值做到0.93,EUV光刻机目前只能达到0.33,Hyper-NAEUV的目标值是0.75,也是ASML的终极项目。如果未来没有新技术发明出来,这很可能是芯片物理光刻技术的终结。2)缩短波长:材料与镜头的精准搭配缩短波长主要依靠光源的改变,比如g-Line,i-Line的UV(紫外光),KrF,ArF的DUV(深紫外光)...

3纳米制程芯片为什么需要EUV光刻机和多重曝光技术?

图:EUV光刻机第二步:引入EUV技术(www.e993.com)2024年11月6日。EUV(极紫外光刻)使用13.5纳米的波长,可以更好地刻蚀出精细的图案。EUV技术有助于缩小芯片尺寸并提高密度。然而,即便是EUV,也面临着分辨率和准确性的问题,尤其是当我们试图在3纳米制程中实现更小的特征尺寸时。图:EUV光刻机原理...

2024,中国芯片还需更多DUV光刻机

光刻机之间,先进的和落后的型号之间不是相互替代的关系,而是协同关系,在台积电的生产过程中,7nm、5nm芯片并不是完全由EUV来制作,而是两种机型交替合作,其中,7nm的80层光罩里,由EUV完成的仅有12层,剩下的68层均是借助DUV曝光,5nm节点下的100层光罩里,由DUV机型负责曝光的比率,也高达78%。

芯片那些事儿

芯片制造的每一个环节,都离不开先进的制造设备和高质量的原材料。制造设备的进步,如光刻机、蚀刻机、薄膜沉积机等,是芯片制造技术不断突破的关键。ASML的EUV光刻机,作为芯片制造的“心脏”,其复杂的设计和精密的制造,体现了全球供应链和跨国合作的力量。在原材料方面,高纯度的硅材料是芯片制造的基础,而特殊气体...

??光刻机之战

机的研发费用就将远远超过5000万美元;其次,与光刻机所需的先进技术相比,ASM制造线焊机所需的专业技术简直不值一提,飞利浦认为普拉多对光刻机的复杂性估计不足;最后,光刻机的销售与其他芯片生产设备不同,其他芯片生产设备的采购,经理层就能定,而光刻机的销售只有董事会才能决策,所以ASM的销售渠道对光刻机也没有...

光刻技术的过去、现在与未来

光刻技术之所以能够在芯片制造中占据主导地位,部分原因在于其高度精确和可控的特性。光刻技术通过将光敏感材料(光刻胶)覆盖在芯片表面,然后使用光刻机将预定图案的光投影到光刻胶上,形成特定的图案。这个过程的精确性和可重复性决定了最终芯片结构的精度和性能。随着技术的不断进步,光刻技术在芯片制造中的应用不断...