雷神公司为量子电子器件和紫外激光器开发超宽带隙半导体
超宽带隙半导体将为各种军事和商业应用生产可靠的高性能超宽带隙器件奠定基础,如大功率射频开关、大功率密度射频放大器、大功率射频保护器件、高压开关、高温电子器件以及深紫外激光器和发光二极管。该计划将解决一些关键的技术难题,如实现高质量的超宽带隙材料;定制超宽带隙材料电气特性的能力;创建具有突变结和低缺陷密...
RTX雷神公司将开发用于量子电子和紫外激光器的超宽禁带半导体
超宽禁带技术代表了一种新型半导体,可用于未来射频和高功率电子、深紫外电光、量子电子以及必须在恶劣环境下运行的系统应用。UWBGS将为各种国防和商业应用的可生产和可靠的高性能超禁带器件奠定基础,例如高功率射频开关;高功率密度射频放大器;高功率射频保护装置;高压开关;高温电子器件;以及深紫外激光器和发光二极管等...
CITE 2025中国(深圳)国际半导体技术与应用展览会
4、第三代半导体展区:第三代半导体碳化硅SiC、氮化镓GaN、晶圆、衬底、封装、测试、光电子器件(发光二极管LED、激光器LD、探测器紫外)、电力电子器件(二极管、MOSFET、JFET、BJT、IGBT、GTO、ETO、SBD.HEMT等)、微波射频器件(HEMT、MMIC)等5、半导体材料展区:硅晶圆、硅晶片、光刻胶、晶圆胶带、光掩膜板...
半导体贵族砷化镓,蠢蠢欲动
资料显示,砷化镓(GaAs)是第二代半导体的代表性化合物,属于IIIA族、VA族化合物半导体材料,因其价格昂贵而素有“半导体贵族”之称。砷化镓具备工作温度高、耐热、抗辐射、发光效率等优秀特性,用于制造微波频率集成电路,单片微波集成电路,红外发光极管,激光二极管,太阳能电池和光学窗口等设备。按照材料特性,砷化镓可分为...
云南锗业(002428.SZ):子公司生产的化合物半导体产品为砷化镓晶片...
格隆汇9月23日丨云南锗业(002428.SZ)在投资者互动平台表示,公司子公司生产的化合物半导体产品为砷化镓晶片、磷化铟晶片。磷化铟晶片主要用于生产光模块中的激光器、探测器芯片,下游主要运用于5G通信/数据中心、可穿戴设备等;砷化镓晶片主要用于射频器件产品、激光器件、传感器,常用高亮度发光二极管(HBLED)器件产品,下游...
浙江大学赵保丹&狄大卫Nature全面解读:发光钙钛矿半导体中可控的p...
2.实现了超高亮度(超过1.1×106??cdm??2)和卓越的外量子效率(28.4%)的钙钛矿发光二极管(www.e993.com)2024年10月3日。一、半导体的可控掺杂金属卤化物钙钛矿最近作为一种新型半导体出现,具有显著的光电性能,包括高载流子迁移率、可调的带隙、强光学吸收和高发光量子产率。这些性能推动了钙钛矿基太阳能电池、LED、激光器和光电探测器的快速发展...
普渡研发新型半导体纳米线激光器,有望用于光子电路和激光探测
比如,设计更好的有机共轭分子,以便进一步增强纳米线的激光性能和稳定性。比如,通过调节无机部分的成分和结构,以便调控发光波长,从而能在紫外区域和近红外区域拓展材料的应用范畴。再比如,除了用于打造纳米激光器之外,这类材料还有希望用于光检测器、尤其是用于偏振光检测。当然,除了研究单根纳米线之外,他们也希望...
云南锗业:化合物半导体材料主要供应给外延生产厂商和器件生产厂商...
公司子公司生产的化合物半导体材料为砷化镓芯片、磷化铟芯片。磷化铟芯片主要用于生产光模块中的激光器、探测器芯片,下游主要运用于5G通信/数据中心、可穿戴设备等;砷化镓芯片主要用于射频器件产品、激光器件、传感器,常用高亮度发光二极管(HBLED)器件产品,下游可运用于手机及电脑、通信基站、无人驾驶、新一代显示(Mini...
半导体专题:一文看懂薄膜生长
(1)半导体和电子器件制造:-薄膜晶体管(TFT):用于液晶显示器(LCD)和有机发光二极管(OLED)等平面显示技术。-金属薄膜:用于集成电路和电子器件的金属化层,提供导电性。-介电薄膜:用于隔离不同电路层,防止电子器件之间的干扰。(2)光学应用:-抗反射薄膜:用于减少光学元件表面的反射,提高透过率。
【活动报道】求是缘半导体联盟走访SEMICON China 2024参展的会员...
众鸿自主研发设备有半导体芯片制造专用设备:涂胶显影设备、单片旋转式清洗设备、金属剥离设备、干法去胶设备等。生产设备广泛应用于半导体芯片制造领域:硅片(Si),碳化硅(SiC),砷化镓(GaAs),氮化镓(GaN),滤波器(Filter),发光二极管(LED),凸点工艺(Bumping),传感器(MEMS)等高科技制造领域,至今公司已获得专利70余项。