...长电科技巨资收购全球第二大NAND闪存供应商子公司股权后应声涨停
据媒体报道,谷歌新一代LPU的速度相较于英伟达GPU提高了10倍,与GPU核心区别就是LPU内存采用了SRAM,而不是HBM。消息刺激下,A股SRAM概念股西测测试在2月21日实现连续两个20cm涨停且2月6日至2月23日期间的8个交易日股价累计最大涨幅高达127%。据悉,西测测试采用算法图形和APG技术实现存储器地址自动累加、翻页功能,...
工业SSD的存储技术解读
控制器是SSD中负责管理数据读写和闪存擦写等操作的芯片,它决定了ssd的智能化程度和可靠性。接口是ssd与主机之间通信的方式,常见的接口有SATA、PCIe、SAS等,不同的接口有不同的传输速率和协议。缓存是SSD中用来提高读写速度和减少闪存擦写次数的内存,一般使用DRAM或SRAM等快速内存作为缓存。工业SSD的存储技术是一个...
因为树莓派新推的第二代MCU,工程师吵起来了
不同点方面,SRAM近乎翻倍,从264KB片上SRAM升级到520KB;板载4MB的外部Flash,相对Pico的2MB扩充了一倍;PWM通道从16个提升到24个;从8PIO状态机提升为3个可编程IO(PIO)模块,总共12个状态机。不止如此,这次树莓派还提供了更多的封装选项。我们都知道,Pico(RP2040)仅提供单个7×7mmQFN56封装选项,这次Pico2...
ROM、RAM、FLASH、DDR、EMMC 都是什么?一次性搞清楚!
他与ROM的最大区别是数据的易失性,断电丢失。RAM在计算机和数字系统中用来暂时存储程序、数据和中间结果。手机和电脑的运行内存都是使用ram为存储空间,内存条的作用是增加运行ram空间。SRAM:静态随机存储器,SRAM存放的信息在不停电的情况下能长时间保留,状态稳定,不需外加刷新电路,从而简化了外部电路设计。常作为Cac...
汽车存储产业研究:Transformer时代,存储成本将飞速增长
SRAM:速度远超NAND、DRAM,但成本高昂,独立的SRAM几乎已经消失,主要以IP内核的形式直接被集成到CPU,GPU,以及各种SoC芯片内部。高性能汽车SoC普遍集成高容量的片上SRAM。新型存储(MRAM):三星、台积电等晶圆制造巨头正在研发MRAM内存产品,并推动下一代汽车应用的实现。恩智浦下一代S32区域处理器(ZonalECU)、以及微处...
两会将至,应该重点关注哪些产业投资机会?——全球产业趋势跟踪...
而LPU与GPU核心区别就是LPU内存采用了SRAM,而不是HBM(www.e993.com)2024年11月22日。具体而言,SRAM(StaticRandom-AccessMemory,静态随机存取存储器)通常被用作Cache(高速缓存)存储器,应用于网络、航空航天、汽车电子、消费电子等领域,不需要刷新电路就可以保存其内部存储的信息。SRAM通常由4-6个晶体管组成一个单元,当该单元被赋予二进制状态...
巨头押注,MRAM开始爆发
与SRAM相比,MRAM速度稍慢,但MRAM在速度上仍然具有足够的竞争力,此外SRAM的设计更复杂,MRAM的密度更高,以及MRAM是非易失性的,而SRAM是易失性的,断电就会丢失数据,MRAM则不会面临这种困扰。与DRAM相比,由于DRAM需要电容器充电/放电来完成读写,所以MRAM的读/写速度更快,在密度上MRAM和DRAM相似,但DRAM也是一种易...
存储芯片,中国什么时候能成?
与DRAM相对的是SRAM(静态随机存取存储器),两者的存储原理、结构不同,特性完全相反。除了能够应用在缓存中,SRAM一般还会用在FPGA内,不过SRAM价格昂贵,全球市场规模占比也始终较小。在过去几十年内,易失性存储器没有特别大的变化,DRAM和SRAM各有专长,可以适用不同应用场景。
三星布局下一代存储:MRAM
综合来说,MRAM集Flash非挥发性技术、SRAM快速读写、DRAM高集积度等特性,堪称[完美内存],甚至可能替代SRAM,未来发展备受业界期待。展望未来,MRAM及STTMRAM有望逐步替代部分NOR闪存和SRAM,甚至在几年内取代部分DRAM。部分资料参考:Andy730:《下一代非易失性内存:MRAM》,半导体行业观察:《MRAM,最被看好!》,电子...
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高达2兆字节的闪存,支持边读边写高达1兆字节的RAM:192千字节的TCMRAM(股份有限公司64千字节的ITCMRAM+128千字节的DTCMRAM用于时间关键型例程),高达864千字节的用户SRAM,以及备份域中的4千字节SRAM运行高达133MHz的双模QuadSPI存储器接口具有高达32位数据总线的灵活外部存储器控制器:SRAM、PSRAM、SDRAM/...